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Si7625DN:Vishay推出30V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2010-05-07

產(chǎn)品特性:

  • 3.3mmx3.3mm占位面積
  • 導(dǎo)通電阻是最低的
  • 減小電壓降

應(yīng)用范圍:

  • 筆記本電腦、上網(wǎng)本
  • 工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負(fù)載和電池開關(guān)


賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 5 日 — 日前,Vishay 宣布,推出首款采用PowerPAK® 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中,該器件的導(dǎo)通電阻是最低的。

新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網(wǎng)本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負(fù)載和電池開關(guān)。適配器開關(guān)(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開啟并且吸收電流。Si7625DN更低的導(dǎo)通電阻意味著更低的功率損耗,節(jié)省能源,延長兩次充電之間的電池壽命,同時(shí)還可以減少發(fā)熱,減小PCB焊盤的面積。對于工業(yè)/通用系統(tǒng)中的電壓達(dá)24V的負(fù)載切換和熱插拔應(yīng)用,該MOSFET的低導(dǎo)通電阻還可以減小電壓降。

Si7625DN在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻低至7mΩ和11mΩ,這些數(shù)值比此前3.3mmx3.3mm占位面積的30V器件在10和4.5V下的導(dǎo)通電阻分別低30%和39%。

新款MOSFET采用了Vishay此前發(fā)布的30V P溝道第三代TrenchFET Si7145DP所采用的PowerPAK SO-8封裝。為滿足工業(yè)應(yīng)用的要求,第三代TrenchFET封裝讓設(shè)計(jì)者可在具有最大漏電流和功率耗散的PowerPAK SO-8(分別比SO-8高85%和79%)或節(jié)省空間的PowerPAK 1212-8之間進(jìn)行選擇。由于占位只有3.3mmx3.3mm,該器件的占位面積只有PowerPAK SO-8或SO-8型封裝的1/3。

MOSFET進(jìn)行了完備的Rg和UIS測試,符合ROHS指令2002/95/EC,符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)范。

新款Si7625DN TrenchFET功率MOSFET現(xiàn)可提供樣品,將于2010年第二季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十六周。
 

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