在商標(biāo)中使用“crosspoint”一詞可能會造成混淆，因?yàn)檫@些存儲器中的任何一個(gè)都可以配置為crosspoint存儲器。它有一個(gè)由字線（word lines）和位線（bit lines）相互正交的簡單陣列-與SRAM類似，但不類似于閃存。當(dāng)某些人提到crosspoint存儲器時(shí)，他們專門指的是英特爾產(chǎn)品。其他人則更廣泛地使用該術(shù)語。

 

下一代技術(shù)（也是最先進(jìn)的一種存儲技術(shù)）是磁性隨機(jī)存儲器（MRAM）。我們在這里的重點(diǎn)將是當(dāng)前的MRAM技術(shù)，稱為自旋轉(zhuǎn)移矩技術(shù)存儲器（STT-MRAM）。這涉及夾在隧道材料之間的兩個(gè)可磁化層，稱為磁性隧道結(jié)（MTJ）。其中一層（“固定”或“參考”層）具有固定的極性，另一層（“自由”層）的極性可以通過流過存儲單元的電流來設(shè)置。隧穿電流看到的電阻取決于固定層和自由層是否具有平行或反平行磁化。 MRAM已經(jīng)以各種形式出現(xiàn)了一段時(shí)間。

 

 

圖2：MRAM存儲單元。圖片來源：Cyferz 維基百科（公共領(lǐng)域）

 

最后，還有阻式存儲器（RRAM/ReRAM），由于它們都是阻性技術(shù)，其名稱可能會造成混淆。 RRAM有兩種主要的類型-一種是電極中的材料遷移以在整個(gè)電介質(zhì)上形成導(dǎo)電絲，另一種是氧離子和空位四處遷移以形成導(dǎo)電通路（或不形成）。這是一個(gè)更加完全開放的類別，需要通過大量實(shí)驗(yàn)來找到最佳配方。

 

PDF Solutions（這家公司雖然不是一家存儲器供應(yīng)商，但可以幫助供應(yīng)商進(jìn)行技術(shù)鑒定和評估，為他們揭露許多必須解決的低級別問題）高級研究員Tomasz Brozek說：“RRAM吸引人的地方是，存儲單元可選用的材料很豐富。”

 

圖3：概念性RRAM存儲單元狀態(tài)。資料來源：Adesto

 

所有這些技術(shù)的挑戰(zhàn)之一是編程機(jī)制具有一定的內(nèi)在隨機(jī)性，而閃存或DRAM中沒有這種隨機(jī)性。將值寫入存儲單元可能會導(dǎo)致錯(cuò)誤的值。這不是存儲單元本身的錯(cuò)。它可能會在下一次完美編程。這是必須通過糾錯(cuò)碼（ECC）之類的伴隨電路來緩解的問題。

 

Nantero還提供了一種更新的NVM技術(shù)，稱為NRAM。這是用碳納米管制成的（CNTs – NRAM中的N是“ 納米管”）?？删幊痰奶技{米管（CNTs）形成松散的，無方向性的團(tuán)塊，利用溫度（通過電流）或靜電，它們可以越過范德華極限而使這些碳納米管緊密結(jié)合在一起或分離得更遠(yuǎn)，從而使它們在一側(cè)相互吸引或在另一側(cè)互相排斥。這使編程狀態(tài)穩(wěn)定。在堆積在一起的狀態(tài)下，碳納米管相互接觸并導(dǎo)電。而在分離狀態(tài)下，它們不會如此。因此，電阻再次成為要讀取的參數(shù)。

 

 

圖 4: NRAM 存儲單元. 資料來源: Nantero

 

由于這些技術(shù)都是新技術(shù)，因此它們沒有面臨閃存已經(jīng)具有的多級存儲單元的挑戰(zhàn)。無論是打開還是關(guān)閉，每個(gè)單元仍然代表一個(gè)位（bit）。多級存儲單元還允許使用中間值，例如，一個(gè)四級單元可以存儲兩位數(shù)據(jù)。最近，無論是閃存還是RRAM（都已嘗試使用其他方法），都已將其應(yīng)用到極致，并將它們用作模擬存儲器，并且在單元中進(jìn)行幾乎是連續(xù)的編程。這對于使用所謂的“內(nèi)存中計(jì)算”的機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用程序是有益的。

 

由于多級和模擬用途需要更高的編程和讀取精度，因此，Brozek說：“越來越多的存儲器正在使用寫入驗(yàn)證”。這種方法嘗試寫入內(nèi)存，然后退回并讀取，重復(fù)進(jìn)行直到達(dá)到所需的級別。這會花費(fèi)更長的時(shí)間，但會給出更精確的結(jié)果。

 

這些存儲器中的每一個(gè)都可以制成專用的大容量芯片，也可以嵌入到SoC或MCU中。作為大容量芯片，可以量身定制該工藝，以實(shí)現(xiàn)最高的良率和可靠性。但是，當(dāng)嵌入時(shí)，它們必須盡可能與底層CMOS技術(shù)保持一致，從而使其每比特成本更高，但仍要求高可靠性。英特爾的Optane是大容量存儲器；尚不清楚該技術(shù)是否適合嵌入。 Brozek和Handy都將MRAM與NOR-flash作為嵌入式存儲器進(jìn)行競爭。 RRAM是Adesto提供的一種大容量技術(shù)，而作為嵌入式技術(shù)也引起了廣泛的興趣。

 

NVM可靠性方面的考慮

 

作為NVM，除了考慮適用于所有集成電路外，所有這些技術(shù)均要與閃存共同考慮可靠性。數(shù)據(jù)的保留和耐用性尤其重要。對于諸如DRAM和SRAM這樣的易失性存儲器，這兩個(gè)都不是問題。具有諷刺意味的是，對于DRAM而言，這不是問題，是因?yàn)槠鋽?shù)據(jù)保留時(shí)間如此之短，以至刷新電路是DRAM的基本要求，因此只要保持電源就不會造成數(shù)據(jù)丟失。通常，在這些新的NVM技術(shù)中，刷新被認(rèn)為是不可取的（盡管有可能）。

 

數(shù)據(jù)保留率是一種規(guī)范，它指示存儲器在所有條件下（存儲或操作）將保持其內(nèi)容多長時(shí)間。借助閃存技術(shù)，薄的電介質(zhì)可以在讀寫條件下將電子傳遞到浮柵中。從理論上講，這些電子然后被困在浮柵中，沒有明顯的方式泄漏出來。但是，隨機(jī)電子可以通過超過能量勢壘的熱能或通過電介質(zhì)隧穿而緩慢泄漏。如果有足夠的時(shí)間，足夠多的電子會泄漏出去，從而使存儲單元狀態(tài)退化。

 

每種NVM技術(shù)（新技術(shù)也不例外）都有一種逐漸泄漏數(shù)據(jù)的方式。因此，數(shù)據(jù)保留率成為存儲器將保留其內(nèi)容一段時(shí)間的保證。此后，它的內(nèi)容可能還會保留更長時(shí)間，但不能保證。十年一直是閃存的典型規(guī)格，盡管考慮到汽車的使用壽命長，汽車應(yīng)用正在逐步淘汰該要求。

 

數(shù)據(jù)保留率與其他基本的NVM規(guī)范耐久性有關(guān)。每次對NVM進(jìn)行編程時(shí)，可能會發(fā)生一些輕微的損壞。在閃存中，這是由于電子嵌入到將浮柵與電路其余部分分開的電介質(zhì)中而導(dǎo)致的。也可能會出現(xiàn)加速電子從浮柵泄漏的缺陷。耐久性是指在數(shù)據(jù)保留率低于規(guī)格之前存儲器可被編程的次數(shù)。

 

從理論上講，可以對給定器件進(jìn)行超出其耐久性的編程，它可能會繼續(xù)運(yùn)行-但數(shù)據(jù)保留時(shí)間較短。但是，某些器件可能會計(jì)算編程周期，并阻止超出限制的編程。多年來，10,000個(gè)周期是閃存預(yù)期達(dá)到的極限。如今，越來越多的存儲器指定了100,000個(gè)周期的標(biāo)準(zhǔn)。

 

這些特性需要減輕存儲器外部的影響，以便最大程度地延長給定芯片的壽命。例如，如果數(shù)據(jù)集中在存儲器的下半部分，則這些單元可能會耗盡，而存儲器的上半部分基本上保持不變。那是對存儲單元的低效使用。損耗均衡是一種在存儲器外部施加的技術(shù)，它可以移動(dòng)數(shù)據(jù)的位置以確保使用整個(gè)存儲器，從而延長了芯片的壽命。

 

但是損耗均衡不是萬能，Brozek指出，“你可以將損耗均衡用于大容量存儲，但不能用于[嵌入式]MCU NVM”，因?yàn)樗饕糜诖鎯Υa，該代碼必須位于已知的固定位置。

 

所有這些考慮因素將適用于任何新的NVM技術(shù)。在大多數(shù)情況下，它們必須滿足閃存運(yùn)行的級別，并且如果可能的話，需要超過它們。如果將耐久性提高了多個(gè)數(shù)量級，則不再需要進(jìn)行損耗均衡，盡管該決定不在存儲器制造商的手中，而在系統(tǒng)設(shè)計(jì)者的控制之下。

 

當(dāng)考慮可靠性時(shí)，Brozek說： “所有這些技術(shù)都是不理想的，您要對它們進(jìn)行表征，并添加電路級工具來對其進(jìn)行管理。一旦采取了緩解措施，就應(yīng)該有一個(gè)抵消其內(nèi)在問題的黑匣子。”

 

溫度等級

 

溫度越高，任何磨損機(jī)制都將越明顯。數(shù)據(jù)保留和耐久性規(guī)格假定高溫是恒定的，這意味著偶爾出現(xiàn)高溫且有間歇期的器件可能持續(xù)時(shí)間會更長。但是，沒有實(shí)際的方法來指定這種變化的溫度曲線，因此數(shù)據(jù)表指定了最壞的情況。

 

但是“高溫”是什么意思？多年來，有兩種級別的集成電路：商業(yè)級的溫度范圍為0至70°C；軍事級的溫度范圍為-55 – 125°C。這代表了兩個(gè)截然不同的業(yè)務(wù)，因?yàn)檐娪眉壊牧暇哂袠O其嚴(yán)格的要求。因此，一些公司或部門選擇專注于其中一項(xiàng)或多項(xiàng)業(yè)務(wù)。在某種程度上，也出現(xiàn)了工業(yè)級溫度范圍為-40 – 85°C的產(chǎn)品。盡管工業(yè)級產(chǎn)品的生產(chǎn)不像軍用級產(chǎn)品那樣困難，但它們?nèi)詢A向于將其應(yīng)用領(lǐng)域與使用商業(yè)級IC的設(shè)備區(qū)分開來。

 

隨著汽車市場的出現(xiàn)，這種情況發(fā)生了變化，可以說它需要以商業(yè)水平的價(jià)格獲得軍事水平的堅(jiān)固性。然而，實(shí)際上，并非車輛中的所有組件都必須在發(fā)動(dòng)機(jī)附近的溫度下運(yùn)行。因此，目前在汽車內(nèi)使用五個(gè)溫度等級。這是一個(gè)根本性的變化，因?yàn)樗羞@些等級都可以在同一設(shè)備中找到。

 

圖5：汽車溫度等級。溫度是環(huán)境溫度。數(shù)字來源：AEC Q100標(biāo)準(zhǔn)

 

KLA產(chǎn)品市場經(jīng)理Meng Zhu表示：“由于電子的熱能變化，溫度通常是影響電子器件的重要因素。”對于諸如MCU或高速緩存之類的MRAM應(yīng)用，通常要求工作溫度范圍在-40°C至125°C之間。較高的環(huán)境溫度可能會由于各向異性勢壘上方的磁躍遷而導(dǎo)致數(shù)據(jù)保留問題，并會由于隧穿磁阻（TMR）的降低而影響器件的可讀性。用于MRAM制造的所有熱處理工藝也都需要得到良好控制。退火工藝步驟用于改善MgO / CoFeB層的結(jié)晶度，從而增強(qiáng)各向異性和TMR。另一方面，過多的熱預(yù)算會導(dǎo)致MRAM層之間的原子相互擴(kuò)散，降低器件性能。例如，Ta擴(kuò)散進(jìn)入MgO勢壘中可能會降低MgO的結(jié)晶度，而B擴(kuò)散到CoFeB外可能會改變垂直各向異性并影響TMR。”

 

一個(gè)令人驚訝的溫度考慮因素是回流焊接。正如GlobalFoundries嵌入式存儲器高級總監(jiān)Martin Mason所描述的那樣，每個(gè)芯片都應(yīng)能夠承受五種不同的回流焊接。前兩種發(fā)生在最初將芯片安裝在板上時(shí)–一個(gè)用于表面安裝，另一個(gè)用于同一板上的通孔組件。如果需要返工，那么將有一個(gè)以上的設(shè)備來移除任何有故障的單元，然后最多有兩個(gè)來更換那些單元。

 

每個(gè)焊接周期都需要將溫度升高到220至270°C并持續(xù)10至15分鐘，據(jù)Adesto創(chuàng)始人兼存儲器工程副總裁Shane Hollmer所說：“這些技術(shù)中的許多技術(shù)都在熱穩(wěn)定性和數(shù)據(jù)保留方面作了努力。”這對于那些在芯片測試中編寫程序，之后組裝到電路板上的設(shè)備來說是個(gè)問題。

 

PDF Solutions（普迪飛半導(dǎo)體技術(shù)有限公司）是一家為集成電路整個(gè)生命周期提供良率提升技術(shù)服務(wù)的領(lǐng)先供應(yīng)商，同時(shí)也是業(yè)內(nèi)頂級的半導(dǎo)體大數(shù)據(jù)解決方案專家。在公司成立近30年時(shí)間里，持續(xù)為全球客戶提供良率提升和數(shù)據(jù)分析方面的專業(yè)經(jīng)驗(yàn)和技術(shù)服務(wù)。針對中國大陸的半導(dǎo)體市場，PDF Solutions公司推出了基于云端部署的Exensio-Hosted半導(dǎo)體數(shù)據(jù)分析平臺。Exensio–Hosted是一款不需要任何IT維護(hù)的企業(yè)級的云端數(shù)據(jù)分析系統(tǒng)，它可以讓我們隨時(shí)隨地去訪問數(shù)據(jù)，并且可以做一些定制化的數(shù)據(jù)分析，快速的查找問題的根源。該平臺目前提供免費(fèi)賬號的注冊申請，方便芯片設(shè)計(jì)企業(yè)迅速掌握先進(jìn)的數(shù)據(jù)分析手段。