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2017年晶圓代工廠TOP10,第一名市占比后9位加起來(lái)還多
發(fā)布時(shí)間:2017-12-01 來(lái)源:拓墣產(chǎn)業(yè)研究院 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】根據(jù)拓墣產(chǎn)業(yè)研究院最新報(bào)告指出,受到高運(yùn)算量終端設(shè)備以及數(shù)據(jù)中心需求的帶動(dòng),2017年全球晶圓代工總產(chǎn)值約573億美元,較2016年成長(zhǎng)7.1%,全球晶圓代工產(chǎn)值連續(xù)五年年成長(zhǎng)率高于5%。
從應(yīng)用來(lái)看,高運(yùn)算量相關(guān)應(yīng)用持續(xù)帶動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)先進(jìn)工藝的需求,2017年10nm工藝節(jié)點(diǎn)開始放量,估計(jì)2017年全年10nm節(jié)點(diǎn)營(yíng)收將占晶圓代工整體市場(chǎng)的6.5%。而2017年半導(dǎo)體整體產(chǎn)值年成長(zhǎng)率7.1%當(dāng)中,超過(guò)95%的成長(zhǎng)動(dòng)能來(lái)自10nm的銷售貢獻(xiàn),顯示10nm工藝的開出成為2017年晶圓代工產(chǎn)值成長(zhǎng)最重要的引擎。
觀察2017年全球前十大晶圓代工業(yè)者排名,整體排名與2016年相同,臺(tái)積電、格羅方德(GLOBALFOUNDRIES)、聯(lián)電分居前三,其中臺(tái)積電產(chǎn)能規(guī)模龐大加上高于全球平均水平的年成長(zhǎng)率,市占率達(dá)55.9%,持續(xù)拉大與競(jìng)爭(zhēng)者的距離;全球排名第二的格羅方德受惠于新產(chǎn)能的開出與產(chǎn)能利用率提升,2017年?duì)I收呈現(xiàn)年增8.2%的相對(duì)高成長(zhǎng)表現(xiàn)。
在晶圓代工市場(chǎng)排名第三的聯(lián)電于今年量產(chǎn)14nm,但僅占全年?duì)I收約1%,然而,在整體產(chǎn)能提升與產(chǎn)品組合轉(zhuǎn)換帶動(dòng)下,實(shí)際營(yíng)收年成長(zhǎng)率達(dá)6.8%;而與臺(tái)積電同為10nm工藝技術(shù)先驅(qū)的三星(Samsung),則因采用的大客戶僅有高通(Qualcomm),致使成長(zhǎng)受限,排名第四;排名第五的中芯雖然持續(xù)擴(kuò)大資本支出,然而,受限于2017年實(shí)際開出的產(chǎn)能有限與28nm良率的瓶頸未突破,使得成長(zhǎng)率低于全球市場(chǎng)平均。
高塔半導(dǎo)體(TowerJazz)及華虹宏力則透過(guò)產(chǎn)能擴(kuò)增,在市場(chǎng)對(duì)8吋廠需求持續(xù)暢旺下,帶來(lái)大于10%的年成長(zhǎng);力晶則因調(diào)升代工業(yè)務(wù)比重,交出高成長(zhǎng)率成績(jī)單。
另一方面,在5G與電動(dòng)車的需求驅(qū)使下,可觀察到晶圓代工業(yè)者積極的投入第三代半導(dǎo)體材料GaN及SiC的開發(fā),如臺(tái)積電提供GaN的代工服務(wù)及X-Fab公布SiC晶圓代工業(yè)務(wù)將于2017第四季貢獻(xiàn)營(yíng)收。
展望2018年,除7nm先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)將帶動(dòng)整體產(chǎn)值之外,在2018年為5G試營(yíng)運(yùn)重要的觀察年下,第三代半導(dǎo)體的代工服務(wù)所帶來(lái)的產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈變化,同為市場(chǎng)值得關(guān)注的重點(diǎn)。
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