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IR推出增強(qiáng)型25V及30V N通道溝道HEXFET 功率MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2009-05-21

產(chǎn)品特點(diǎn):

  • 新器件的低傳導(dǎo)損耗改善了滿載效率及熱性能
  • 新型 MOSFET 采用 Power QFN 封裝
  • 新器件符合RoHS,可以不含鹵素

應(yīng)用領(lǐng)域:

  • 消費(fèi)和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計(jì)算應(yīng)用

國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對(duì)同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護(hù)增強(qiáng)了轉(zhuǎn)換性能,適用于消費(fèi)和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計(jì)算應(yīng)用。

新 MOSFET 系列采用了 IR 經(jīng)過驗(yàn)證的硅技術(shù),可提供基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) ,并且提高了轉(zhuǎn)換性能。新器件的低傳導(dǎo)損耗改善了滿載效率及熱性能,即使在輕負(fù)載條件下,低轉(zhuǎn)換損耗也有助于實(shí)現(xiàn)高效率。

IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“這些新型 MOSFET 采用 Power QFN 封裝,可比 SO-8封裝提供更高的功率密度,同時(shí)保持相同的引腳排列配置。新型雙 SO-8 MOSFET 還可通過‘二合一’交換來減少元件數(shù)目,滿足不同應(yīng)用的要求。”

單雙 N通道 MOSFET 現(xiàn)已開始供應(yīng)。除了 D-PAK、I-PAK 和 SO-8 封裝之外,單個(gè) N通道器件也可在高量產(chǎn)時(shí)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化,采用 PQFN 5×6mm 和 3×3mm 封裝,而雙 N通道器件則采用 SO-8 封裝。新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) ,可以不含鹵素。
 
單個(gè) N通道

器件編號(hào)
Bvdss
 (V) 
封裝
10Vgs下的
最大RDS(on) (mΩ)
4.5Vgs下的
最大RDS(on) (mΩ)
TC=25°C 下的Id (A)
TA =25°C 下的Id (A)
典型Qg
(nC)
IRL(R,U)8256(TR)PBF
25
D-Pak/I-PAK
5.7
8.5
81
N/A
10
IRL(R,U)8259(TR)PBF
25
D-Pak/I-PAK
8.7
12.9
57
N/A
6.8
IRF8252(TR)PBF
25
SO-8
2.7
3.7
N/A
25
35
IRL(R,U)8743(TR)PBF
30
D-Pak/I-PAK
3.1
3.9
160
N/A
39
IRL(R,U)8726(TR)PBF
30
D-Pak/I-PAK
5.8
8.0
86
N/A
15
IRL(R,U)8721(TR)PBF
30
D-Pak/I-PAK
8.4
11.8
65
N/A
8.5
IRL(R,U)8729(TR)PBF
30
D-Pak/I-PAK
8.9
11.9
58
N/A
10
IRFH3702(TR,TR2)PBF
30
PQFN 3 x 3
7.1
11.8
N/A
16
9.6
IRFH3707(TR,TR2)PBF
30
PQFN 3 x 3
12.4
17.9
N/A
12
5.4
IRFH7932(TR,TR2)PBF
30
PQFN 5 x 6
3.3
3.9
N/A
24
34
30
PQFN 5 x 6
3.5
5.1
N/A
24
20
IRFH7936(TR,TR2)PBF
30
PQFN 5 x 6
4.8
6.8
N/A
20
17
IRFH7921(TR,TR2)PBF
30
PQFN 5 x 6
8.5
12.5
N/A
15
9.3
IRFH7914(TR,TR2)PBF
30
PQFN 5 x 6
8.7
13
N/A
15
8.3
IRF8788(TR)PBF
30
SO-8
2.8
3.8
N/A
24
44
IRF7862(TR)PBF
30
SO-8
3.7
4.5
N/A
21
30
30
SO-8
3.5
5.1
N/A
21
20
IRF8736(TR)PBF
30
SO-8
4.8
6.8
N/A
18
17
IRF8721(TR)PBF
30
SO-8
8.5
12.5
N/A
14
8.3
IRF8714(TR)PBF
30
SO-8
8.7
13
N/A
14
8.1
IRF8707(TR)PBF
30
SO-8
11.9
17.5
N/A
11
6.2


N通道

器件編號(hào)
封裝
配置
Bvdss
 (V) 
10Vgs
最大RDS(on) (mΩ)
最大Vgs (V) 
典型Qg
(nC)
IRF8313PBF
SO-8
獨(dú)立
對(duì)稱
30
15.5
± 20
6.0
IRF8513PBF
SO-8
半橋
非對(duì)稱
30
12.7
± 20
7.6
15.5
5.7
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