【導(dǎo)讀】PoC是Power over Coax的縮寫(xiě)，是一種通過(guò)在信號(hào)電纜上疊加電源實(shí)現(xiàn)無(wú)需另外準(zhǔn)備電源專(zhuān)用電纜的傳輸方法。在汽車(chē)中被用于ADAS和環(huán)視攝像頭，有助于簡(jiǎn)化布線設(shè)計(jì)和減輕線束的重量。在工業(yè)設(shè)備中被用于外觀檢查攝像頭等，寬敞的生產(chǎn)線需要較長(zhǎng)的電纜，但是通過(guò)使用PoC可以減少電纜數(shù)量并簡(jiǎn)化布線。
01. 什么是PoC?
PoC是Power over Coax的縮寫(xiě)，是一種通過(guò)在信號(hào)電纜上疊加電源實(shí)現(xiàn)無(wú)需另外準(zhǔn)備電源專(zhuān)用電纜的傳輸方法。
傳統(tǒng)傳輸系統(tǒng)和PoC之間的區(qū)別
PoC用于汽車(chē)和工業(yè)設(shè)備。在汽車(chē)中被用于ADAS和環(huán)視攝像頭，有助于簡(jiǎn)化布線設(shè)計(jì)和減輕線束的重量；
在工業(yè)設(shè)備中被用于外觀檢查攝像頭等，寬敞的生產(chǎn)線需要較長(zhǎng)的電纜，但是通過(guò)使用PoC可以減少電纜數(shù)量并簡(jiǎn)化布線。
PoC系統(tǒng)應(yīng)用實(shí)例
02. PoC所需的電路
PoC多用于SerDes接口，其中串行器和解串器通過(guò)同軸電纜連接。
在該同軸電纜上，高頻信號(hào)和直流電流疊加在一起。
在這種情況下，將配置偏置T電路，以防止高頻信號(hào)串入電源線中，或者直流電流流入解串器中。
偏置T電路中使用了阻斷直流并同時(shí)使高頻通過(guò)的電容器，以及阻斷高頻并同時(shí)使直流通過(guò)的線圈。
本文中將用于偏置T電路的電容器稱(chēng)為偏置T電容器。
PoC系統(tǒng)的典型電路構(gòu)成
由于Bias-T電感器的作用是阻止交流電并通過(guò)直流電，因此該電感器必須具有高阻抗。如果阻抗過(guò)低，則交流信號(hào)成分會(huì)泄漏到電源線，并且沿同軸電纜傳輸?shù)男盘?hào)成分會(huì)衰減。
Bias-T電感器所需的特性：必須具有高阻抗
我們調(diào)查了Bias-T電感器對(duì)信號(hào)線特性阻抗的影響。將網(wǎng)絡(luò)分析儀連接到配備了SerDes IC或Bias-T電路的基板上，并通過(guò)TDR法測(cè)量特性阻抗（下圖）。
測(cè)量信號(hào)線的特性阻抗，結(jié)果如下圖。傳輸線的特性阻抗會(huì)根據(jù)基板的布線設(shè)計(jì)和元件的位置而變動(dòng)。通過(guò)抑制這種變動(dòng)并使之保持平滑，傳輸特性將得到改善。為了保持平滑，Bias-T電感器的阻抗必須足夠高。因?yàn)槿绻鸅ias-T電感器的阻抗較低，則傳輸線的特性阻抗將下降。下圖(右)顯示了將Bias-T電感器替換為短路片的極端例子?？梢源_認(rèn)特性阻抗從50歐姆迅速變化到0Ω。
測(cè)量信號(hào)線的特性阻抗
03. Bias-T電路對(duì)SI的影響
Bias-T電感器還需有較廣的頻率范圍。
理想的電感器阻抗會(huì)與頻率成比例增加，但實(shí)際的電感器卻并非如此。阻抗曲線呈拋物線形。
為了找出PoC用的Bias-T電感器需要在哪個(gè)頻率下具有較高的阻抗，我們?cè)陬l率軸上測(cè)量了SerDes的信號(hào)成分（下圖）。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，SerDes的信號(hào)分布在較寬的頻率范圍內(nèi)，Bias-T電感器需要在較寬的頻率范圍內(nèi)具有高阻抗。
PoC系統(tǒng)(SerDes)信號(hào)頻率成分測(cè)量方法及結(jié)果
由于單個(gè)普通電感器不能覆蓋較寬的頻率范圍，因此需要將具有不同自諧振頻率的多個(gè)電感器進(jìn)行組合以覆蓋較寬的頻率范圍。另一方面，為Bias-T開(kāi)發(fā)的電感器LQW32FT系列單體可覆蓋較寬的頻率范圍，因此可以減少電感器元件的數(shù)量。
用于驗(yàn)證的Bias-T電路的特性
我們確認(rèn)了多個(gè)電感器的組合和針對(duì)Bias-T開(kāi)發(fā)的LQW32FT兩者之間在SerDes信號(hào)的SI（Signal Integrity）上是否存在差異（下圖）。組合多個(gè)電感器時(shí)，阻抗曲線不穩(wěn)定，因此信號(hào)波形受到干擾。另一方面，使用LQW32FT系列時(shí)，信號(hào)波形被正常傳輸，未受到干擾。
測(cè)量SI
波形完整性的下降是由傳輸線的傳輸特性的劣化所導(dǎo)致的。查看偏置T信號(hào)傳輸端的穿透特性S21，可知使用LQW32F系列時(shí)的特性更佳。另外，反射特性S11也在使用LQW32FT系列時(shí)較為良好（下圖）。
信號(hào)線透射特性（S21）和反射特性（S11）
04. 電纜對(duì)SI的影響
為了確認(rèn)車(chē)載同軸電纜的特性對(duì)波形的影響，我們讓信號(hào)發(fā)生器的信號(hào)流過(guò)車(chē)載同軸電纜并用示波器觀察波形，同時(shí)通過(guò)S21測(cè)試了電纜的透射損耗特性。測(cè)量系統(tǒng)如下圖。
測(cè)量系統(tǒng)
更改電纜長(zhǎng)度后發(fā)現(xiàn)，電纜越長(zhǎng)，高頻波形質(zhì)量下降越明顯（下圖）。這就說(shuō)明，電纜對(duì)SI的影響不容忽視。測(cè)試Bias-T電感器時(shí)，必須通過(guò)包括電纜在內(nèi)的測(cè)試系統(tǒng)確認(rèn)S參數(shù)。
電纜的透射損耗特性（S21）
05. 電源噪聲對(duì)PoC系統(tǒng)的影響
直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器通常被作為PoC電路的電源IC使用，但是由于直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器在內(nèi)部進(jìn)行高速開(kāi)關(guān)，因此開(kāi)關(guān)噪聲可能會(huì)成為問(wèn)題。由直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器引起的開(kāi)關(guān)噪聲問(wèn)題會(huì)對(duì)PoC系統(tǒng)產(chǎn)生不良影響的事例已經(jīng)得到了確認(rèn)。開(kāi)關(guān)噪聲可以在差模和共模兩種模式下通過(guò)同軸電纜進(jìn)行傳導(dǎo)。
圖片居中使用：
PoC信號(hào)在同軸電纜的中心導(dǎo)體和屏蔽層之間以差模方式傳導(dǎo)。在不受外部噪聲影響的情況下，可以保持良好的波形質(zhì)量。但是，如果開(kāi)關(guān)噪聲進(jìn)入同軸電纜并以差分模式傳導(dǎo)，則波形質(zhì)量可能會(huì)下降（下圖）。
開(kāi)關(guān)引起的電源噪聲對(duì)SI的影響
我們確認(rèn)了多個(gè)電感器的組合和針對(duì)Bias-T開(kāi)發(fā)的LQW32FT兩者之間在SerDes信號(hào)的SI（Signal Integrity）上是否存在差異。
組合多個(gè)電感器時(shí)，阻抗曲線不穩(wěn)定，因此信號(hào)波形受到干擾。另一方面，使用LQW32FT系列時(shí)，信號(hào)波形被正常傳輸，未受到干擾。
為了確認(rèn)開(kāi)關(guān)控制的直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器噪聲造成的影響，我們將Bias-T電感器和同軸電纜連接到直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器，并用示波器確認(rèn)了其對(duì)波形的影響。
此時(shí)，信號(hào)發(fā)生源為3Gbps，并且使用了開(kāi)關(guān)頻率為200kHz的直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器。測(cè)量系統(tǒng)配置如下圖。
測(cè)量開(kāi)關(guān)引起的電源噪聲對(duì)SI的影響
下圖是用示波器觀察到的波形。Bias-T電感器：LQW32FT(10uH+47uH)。觀察到的波形為3Gbps的高頻和200 kHz的低頻疊加后的波形。3Gbps信號(hào)的基準(zhǔn)電位以200kHz的周期進(jìn)行變動(dòng)。變動(dòng)幅度為約70mV。由于基準(zhǔn)電位的變動(dòng)可能會(huì)對(duì)通信產(chǎn)生不良影響，因此我們討論了如何使基準(zhǔn)電位穩(wěn)定。
為了抑制200kHz噪聲，我們?cè)谥绷?直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器和信號(hào)線之間安裝Bias-T電感器的地方添加了100uH電感器LQH3NPH101MME。通過(guò)對(duì)Bias-T電感器以串聯(lián)方式添加100uH的電感器，可以增加200kHz左右的低頻區(qū)域的阻抗。
通過(guò)添加Bias-T電感器來(lái)降低開(kāi)關(guān)噪聲
更改電纜長(zhǎng)度后發(fā)現(xiàn)，電纜越長(zhǎng)，高頻波形質(zhì)量下降越明顯。這就說(shuō)明，電纜對(duì)SI的影響不容忽視。測(cè)試Bias-T電感器時(shí)，必須通過(guò)包括電纜在內(nèi)的測(cè)試系統(tǒng)確認(rèn)S參數(shù)。
改善后的結(jié)果
接下來(lái)，我們考慮開(kāi)關(guān)噪聲在同軸電纜的中心導(dǎo)體與屏蔽層之間以共模方式傳導(dǎo)的情況。共模噪聲往往會(huì)增加輻射噪聲電平，因此開(kāi)關(guān)噪聲有可能會(huì)引起輻射噪聲問(wèn)題。
開(kāi)關(guān)引起的電源噪聲對(duì)輻射噪聲的影響
為了測(cè)試同軸電纜輻射的噪聲，我們按以下方法連接內(nèi)置直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的基板和內(nèi)置Bias-T電路的基板，并用同軸電纜將配備Bias-T電路的基板彼此連接，然后用電流探頭測(cè)量從同軸電纜輻射的噪聲。由于要用電流探頭夾住同軸電纜，因此檢測(cè)到的是共模噪聲。
開(kāi)關(guān)引起的電源噪聲對(duì)輻射噪聲的影響及測(cè)量方法
我們來(lái)看一下測(cè)量結(jié)果，分析開(kāi)關(guān)引起的電源噪聲對(duì)輻射噪聲的具體影響。
首先，由于Bias-T電感器預(yù)期可以起到濾波器的作用，因此我們?cè)谖窗惭b電感器（無(wú)濾波器）和已安裝電感器（僅電感器）的條件下比較了噪聲測(cè)量結(jié)果，但兩者之間幾乎沒(méi)有變化。這可能是因?yàn)锽ias-T電感器僅對(duì)差模噪聲有效。
接下來(lái)，為了抑制沿中心導(dǎo)體與屏蔽層傳導(dǎo)的共模噪聲而添加了共模扼流線圈（CMCC）后，發(fā)現(xiàn)能將噪聲電平抑制5到10dB。
開(kāi)關(guān)引起的電源噪聲對(duì)輻射噪聲的影響
06. 輻射噪聲對(duì)策實(shí)例
接下來(lái)，我們嘗試使用帶有PoC系統(tǒng)的SerDes測(cè)試基板測(cè)量輻射噪聲，并采取了靜噪對(duì)策。用1.5米的車(chē)載同軸電纜連接Tx側(cè)和Rx側(cè)的測(cè)試基板，并向Rx側(cè)供電，再測(cè)量測(cè)試基板工作時(shí)的輻射噪聲。
測(cè)試樣品(DUT)：SerDes測(cè)試基板
測(cè)量輻射噪聲時(shí)，在30MHz至2.5GHz的整個(gè)范圍內(nèi)均確認(rèn)到寬帶噪聲，并且存在超出標(biāo)準(zhǔn)值的頻帶(下圖)。
初始狀態(tài)
為了確定基板上的噪聲源，我們?cè)诨灞砻孢M(jìn)行了近磁場(chǎng)分布測(cè)量。
在SerDes IC的信號(hào)線及IC電源線上觀測(cè)了寬帶噪聲頻譜。此外，在比較兩者的光譜形狀時(shí)，發(fā)現(xiàn)其值不同但形狀相似。
這表明信號(hào)線和電源線具有相同的噪聲源。
信號(hào)線顯示較高的電平，因此SerDes信號(hào)很可能是噪聲源。
近磁場(chǎng)分布測(cè)量結(jié)果
※由于此測(cè)試基板上的直流-直流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器不是開(kāi)關(guān)控制類(lèi)型，因此不是由開(kāi)關(guān)噪聲引起的磁場(chǎng)分布。
推測(cè)的噪聲傳導(dǎo)路徑如下。
來(lái)自Serializer的噪聲傳導(dǎo)路徑（推測(cè)）
路徑①: 噪聲傳導(dǎo)至基板GND、電纜的屏蔽層和信號(hào)線。
路徑②: 路徑①的噪聲耦合到電源層，噪聲傳導(dǎo)至電源電纜。
從Serializer IC發(fā)送的信號(hào)的噪聲成分耦合到基板上的GND層，并以共模方式沿同軸電纜傳導(dǎo)。（路徑①）
噪聲成分傳導(dǎo)至配備了Deserializer IC的基板上，并且通過(guò)在基板內(nèi)耦合至電源層，從而沿電源電纜以共模方式傳導(dǎo)。（路徑②）
為了對(duì)路徑①實(shí)施對(duì)策，安裝了信號(hào)用CMCC——DLW21SH391XQ2。
為了對(duì)路徑②實(shí)施對(duì)策，安裝了電源用CMCC——PLT5BPH5013R1SN。
結(jié)果如下。在30MHz到1000MHz之間，與沒(méi)有濾波器的狀態(tài)相比，噪聲被抑制了10到20dB。
30～1000MHz
這里，村田推薦的共模扼流線圈是PLT5BPH5013R1SN和DLW21SH391XQ2。
通過(guò)同時(shí)采用這2種對(duì)策（下圖），在30MHz到2.5GHz的所有頻率中，最大抑制約25dB的噪聲。
對(duì)策①＋②
07. 結(jié)論
1. 對(duì)于PoC系統(tǒng)，驗(yàn)證了Bias-T電感器對(duì)SI的改善以及CMCC對(duì)噪聲的抑制效果。
2. 通過(guò)使用具有寬帶特性的電感器（LQW32FT系列），SI得到了改善。
3. 由于電纜對(duì)SI的影響不容忽視，因此測(cè)試PoC系統(tǒng)的Bias-T電感器時(shí)，最好通過(guò)包括電纜在內(nèi)的S參數(shù)特性來(lái)進(jìn)行測(cè)試。
4. 考慮并驗(yàn)證了直流-直流（DC-DC）轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)噪聲對(duì)SI產(chǎn)生不良影響的可能性。結(jié)果，確認(rèn)了通過(guò)PoC的Bias-T電感器可以減少開(kāi)關(guān)噪聲。
5. 確認(rèn)了直流-直流（DC-DC）轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)噪聲和SerDes信號(hào)會(huì)成為噪聲源，并可能使輻射噪聲電平惡化。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，共模扼流線圈（DLW21S系列）對(duì)解決該問(wèn)題是有效的。
本案例中村田推薦的產(chǎn)品為：偏置T電感器LQW32FT系列，村田推薦的共模扼流線圈PLT5BPH5013R1SN以及DLW21SH391XQ2 / DLW21PH201XQ2。采用村田推薦產(chǎn)品后的優(yōu)化結(jié)果如下圖：
來(lái)源： Murata村田中國(guó)
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