∣Z_{L，ext}（f_{U}-f_{L}）∣=2πL_{e}（f_{U}-f_{L}） （4）

 

若電感L2與Le的值相同，那么阻抗Z_{L，ext}（f_{U}-f_{L}）將是Z_{L，ext}（2f_{U}）的二分之一。最后，需要匹配的優(yōu)化基波阻抗為

 

jX_{opt}（ω）=［jωL_{2}+1/（jωC_{2}）］// jωL_{e}// jωC_{ds} （5）

 

其中ω_{L}≤ω≤ω_{U}，如果濾除二次諧波和包絡(luò)的LC諧振回路在基波頻率處的阻抗非常小，則在實(shí)際中難以將這個(gè)優(yōu)化基波阻抗匹配到實(shí)際的負(fù)載阻抗，故匹配的難度將限制L2、Le和C2的取值。根據(jù)要求，可以得到濾除二次諧波和包絡(luò)的LC諧振回路的最小阻抗值。因此，在設(shè)計(jì)短路網(wǎng)絡(luò)的時(shí)候，應(yīng)注意使濾除二次諧波和包絡(luò)的LC諧振回路在基波頻率處的阻抗要大于這個(gè)最小值。

 

4、 某軍用集群系統(tǒng)基站降低功放記憶效應(yīng)的實(shí)現(xiàn)

 

軍用集群系統(tǒng)所用的頻率范圍一般為400~420MHz，其基站的功率放大器通常使用封裝后的晶體管，故實(shí)際中不得不考慮封裝引腳的電感效應(yīng)。當(dāng)和外部匹配電路配合使用時(shí)，封裝引腳的寄生電感具有改善晶體管的穩(wěn)定性、增加有用帶寬的優(yōu)點(diǎn)。以MRF5P21180HR6 LDMOSFET為例，這種晶體管由兩個(gè)90W的功率單元構(gòu)成，能達(dá)到180W的功率峰值。封裝后單個(gè)功率單元的等效電路如圖3所示。

 

 

在包絡(luò)這種低頻下，小電容的阻抗非常大，并聯(lián)結(jié)構(gòu)中可忽略不計(jì)。則針對(duì)包絡(luò)分量的阻抗和頻率ω、Lg1、Lg2和Ld2有關(guān)系，并可求出阻抗Z_{S，ext}（f_{U}-f_{L}）和Z_{l，ext}（f_{U}-f_{L}）的表達(dá)式：

 

∣Z_{S，ext}（f_{U}-f_{L}）∣=2π（L_{g1}+L_{g2}+L_{e}）（f_{U}-f_{L}） （6）

 

∣Z_{S，ext}（f_{U}-f_{L}）∣=2π（L_{d2}+L_{e}）（f_{U}-f_{L}） （7）

 

另一方面，對(duì)于二次諧波分量，柵極和漏極外相應(yīng)的阻抗Z‘_{S，ext}（ω=2ω_{1}≈2ω_{2}）和Z’_{L，ext}（ω=2ω_{1}≈2ω_{2}）的表達(dá)式為，

 

Z‘_{S，ext}（ω=2ω_{1}≈2ω_{2}）=-﹛1/jωC_{pad}/2）//［jωL_{g2}+ （jωL_{g1}//1/jωC_{g，mos}）］﹜（8）

 

Z’_{L，ext}（ω=2ω_{1}≈2ω_{2}）=？［1/（jωC_{pad}/2）//jωL_{d2} （9）

 

等式（8）、（9）很容易用包含串聯(lián)LC諧振回路的匹配電路實(shí)現(xiàn)，這是因?yàn)槎沃C波分量的相對(duì)帶寬要比包絡(luò)分量的相對(duì)帶寬窄得多，故濾除包絡(luò)分量比濾除二次諧波分量的難度更大。因此，包絡(luò)分量對(duì)記憶效應(yīng)的作用要比二次諧波分量更大。在實(shí)際應(yīng)用中，由于包絡(luò)分量對(duì)功率放大器的記憶效應(yīng)起主要作用，故一般只對(duì)濾除包絡(luò)分量的輔助電路進(jìn)行優(yōu)化，高頻下可用某些寄生參數(shù)較強(qiáng)的大電容（如鉭電容）來(lái)代替濾除包絡(luò)分量的串聯(lián)LeCe諧振回路。