【導(dǎo)讀】NPC2三電平拓?fù)湟驗(yàn)槠湫矢撸C波含量低，在光伏逆變器設(shè)計(jì)中應(yīng)用非常廣泛。由下圖可以看到，NPC2由四個(gè)開(kāi)關(guān)管構(gòu)成，包含豎管T1/T4，橫管T2/T3。
在市電異?；蛘吣孀兤飨到y(tǒng)故障時(shí)，逆變器是否需要特殊的開(kāi)關(guān)邏輯，對(duì)NPC2拓?fù)渲械臋M管進(jìn)行過(guò)壓保護(hù)呢？
我們以橫管T2/3采用50A 650V H5 IGBT IKW50N65H5，豎管T1/4為40A 1200V S6 IGBT IKW40N120CS6為例子。
當(dāng)市電異常時(shí)，逆變器啟動(dòng)保護(hù)機(jī)制，如下圖，從波形上看，T1與T2同時(shí)開(kāi)始關(guān)斷，但因?yàn)镠5芯片開(kāi)關(guān)速度天然比CS6快很多，即使在關(guān)斷電阻T2>T1的情況下（T2 Rg=40ohm,T1 Rg=20ohm），T1的Vge下降速度依然比T2的Vge下降速度要慢，T2先關(guān)斷。從波形上看，T2的Vce電壓平臺(tái)維持在780Vdc附近，持續(xù)了50us。對(duì)于800V母線系統(tǒng)，NPC2拓?fù)?，橫管最好用650V器件，其損耗比1200V低，但780V的電壓平臺(tái)已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)器件的最大CE耐壓。雖然下面波形圖的管子還沒(méi)有損壞，但是這在設(shè)計(jì)中絕對(duì)不允許的，需要把電壓降低至合理的水平。
對(duì)于這種情況，可能的原因是，線路上雜散電容Cs(或者RC吸收電路上的電容Cs)的電荷無(wú)法釋放造成。
如上圖，Cs模擬雜散電容(或者RC吸收電容)，以正半周為例，T2比T1先關(guān)斷：
左圖T1，T2開(kāi)通T3的電容(Cs)會(huì)被充電，電壓在+Bus，中圖當(dāng)T2先關(guān)斷時(shí)，Cs的電荷的泄放回路被切斷，Cs電壓會(huì)維持在+Bus，右圖當(dāng)T1關(guān)斷時(shí)，輸出電感電流通過(guò)T4的二極管續(xù)流，AC輸出的點(diǎn)會(huì)被嵌位到-Bus。從而T2 CE兩端電壓會(huì)在+Bus和-Bus之間，總電壓會(huì)是2倍Bus，遠(yuǎn)超橫管常用的1倍Bus電壓的器件選型。
如果，改變T1,T2的關(guān)斷時(shí)序，T1比T2先關(guān)斷：
如上圖，左圖，T1開(kāi)通時(shí)，Cs電壓為+Bus。中圖，當(dāng)T1先關(guān)斷，因?yàn)門2還在開(kāi)通，電感在續(xù)流情況下，電流會(huì)從中點(diǎn)流向AC輸出端，Cs電容上的電壓會(huì)被釋放掉至0。右圖，當(dāng)T2關(guān)斷時(shí)，電流通過(guò)T4二極管續(xù)流，AC輸出端被嵌位在-Bus。在T2CE兩端的電壓為0和-Bus?？傠妷菏?倍Bus電壓。與第一種情況相對(duì)，T2上電壓會(huì)減少一半。T2沒(méi)有過(guò)壓的風(fēng)險(xiǎn)。
仿真驗(yàn)證：
以PLECS仿真軟件，搭建上圖的線路。以T2先于T1關(guān)斷，和T2延后T1關(guān)斷兩種情況來(lái)進(jìn)行仿真。
上圖當(dāng)T2比T1先關(guān)斷，三通道T2 Vce=800V.
上圖當(dāng)T1比T2先關(guān)斷，三通道T2 Vce=400V.
實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證：
第二次測(cè)試，減小T1 Rg=10ohm,維持T2 Rg=40ohm,從下面的波形可以看出，T1Vge下降速度比T2Vge下降速度要快，T1比T2先關(guān)斷，T2 Vce電壓平臺(tái)會(huì)維持在390Vdc附近，大約為1/2母線電壓?？梢缘弥朔椒▽?duì)減少T2過(guò)壓有很好的效果。
從上述的分析和實(shí)驗(yàn)可知，當(dāng)橫管雜散電容較大(或有RC吸收電路)時(shí)，在市電異?；蛘吣孀兤飨到y(tǒng)故障時(shí)，逆變器需要加入橫管的延時(shí)關(guān)斷策略，以減少橫管過(guò)壓的風(fēng)險(xiǎn)發(fā)生。
作者：何通 來(lái)源：英飛凌
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