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通用方波電路:雙柵極SET 與MOSFET 的混合特性

發(fā)布時間:2013-03-18 責(zé)任編輯:easonxu

【導(dǎo)讀】數(shù)字電路中,最基本的單元在于邏輯門設(shè)計。由SET 的周期振蕩特性和MOSFET 的閾值電壓特性可構(gòu)成雙柵極SET/MOSFET通用方波電路。


由SET 的周期振蕩特性和MOSFET 的閾值電壓特性可構(gòu)成雙柵極SET/MOSFET 通用方波電路,它是構(gòu)成邏輯門電路的基本單元,如圖1所示。

圖1:雙柵SET/MOSFET的通用方波電路
圖1:雙柵SET/MOSFET的通用方波電路

圖中雙柵SET/MOSFET 的通用方波電路由SET、MOSFET 和恒流源構(gòu)成。SET 的漏極電壓由Vgg 控制,Vgg-Vth 要足夠低以確保SET 漏源電壓近似恒定工作在庫侖振蕩條件下,Vcon控制漏電流周期振蕩的相位。接入恒流源Io 后,當(dāng)IdsIo時,輸出電壓為低電平。同時,這里的恒流源Io 可利用耗盡型NMOSFET 設(shè)置加以實現(xiàn)。

數(shù)字電路中,最基本的單元在于邏輯門設(shè)計。在上述電路基礎(chǔ)上,由雙柵SET/MOSFET基本電路單元可構(gòu)造出所需的邏輯‘與或非’、‘異或’等基本門電路結(jié)構(gòu),如圖(2)所示。當(dāng)a=0,b=1 時,SET并聯(lián)門實現(xiàn)邏輯函數(shù)Z =X•Y功能;當(dāng)a=1,b=0 時,SET并聯(lián)門實現(xiàn)邏輯函數(shù)Z =X•Y功能。當(dāng)a=0,SET求和門實現(xiàn)邏輯函數(shù)Z =X⊕Y功能;當(dāng)a=1,SET求和門實現(xiàn)邏輯函數(shù)Z =X⊕Y功能。

圖2:SET/MOSFET 構(gòu)成的邏輯門電路及相應(yīng)符號
圖2:SET/MOSFET 構(gòu)成的邏輯門電路及相應(yīng)符號

 

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