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LED芯片漏電的九大“真相”

發(fā)布時間:2014-11-11 責任編輯:echolady

【導讀】相信大多數(shù)人都遇到過LED漏電問題,二漏電的時機卻各有不同。有的漏電原因是LED封裝完成后測試時產(chǎn)生的,有的是長時間放置產(chǎn)生的,有的是老化之后產(chǎn)生的,有的是在焊接后產(chǎn)生的。下面給大家總結(jié)一下LED的漏電原因。

LED漏電的原因

在導讀部分,羅列了一些人給出的造成LED漏電的原因。根據(jù)本人多年處理LED問題及使用LED的經(jīng)驗,本人認為,在目前,最可能導致LED發(fā)生漏電的主要原因排序應該如下:
(1)芯片受到沾污 (——最主要、高發(fā)問題)
(2)銀膠過高
(3)打線偏焊
(4)應力
(5)使用不當
(6)晶片本身漏電
(7)工藝不當,使得芯片開裂
(8)靜電
(9)其它原因

1. 芯片受到沾污引起漏電

LED芯片是非常小的,灰塵等易對它產(chǎn)生遮蔽作用,最重要的是灰塵、水汽、各種雜質(zhì)離子會附著與芯片表面,不僅會在表面對芯片內(nèi)部產(chǎn)生作用,還會擴散進入芯片內(nèi)部產(chǎn)生作用。比如,銅離子、鈉離子都很容易擴散進入半導體材料中,非常微小的數(shù)量就可以使半導體器件的性能嚴重惡化。對于半導體器件的制造,通常都要求有凈化等級非常高的潔凈廠房??梢钥疾煲幌翷ED封裝廠,上千家之中有幾家的廠房能有什么樣的潔凈等級?絕大多數(shù)都是能與大氣直接相通的房間,根本談不上凈化。雖然有人會說,“我們的廠房沒有灰塵,很潔凈”,可是,潔凈程度不是用眼睛來看的!眼睛是根本看不到芯片生產(chǎn)和封裝要求的潔凈程度的,必須是用專門的儀器來檢測。不僅僅要求廠房要達到要求的潔凈度,對涉及到芯片裸露的工序,工作人員要穿凈化工作服,戴工作帽,戴口罩,工作人員不許涂化妝品等。這些個嚴苛生產(chǎn)條件,目前對LED封裝廠來講,不是想不到,就是不愿做。不愿做的原因非常簡單,成本上的增加無法接受——競爭太激烈。封裝廠房達不到要求的潔凈程度,那么,LED的質(zhì)量問題就來了。

早期的LED芯片以及現(xiàn)在很多廠家的芯片,都沒有在芯片的側(cè)面做保護層。現(xiàn)在國外一些芯片廠商已經(jīng)開始在芯片的側(cè)面做保護層了。但是,現(xiàn)在的保護層一般是采用二氧化硅材料,而且厚度很薄,保護能力是有限的。在潔凈度很差的封裝廠,仍然會由于沾污造成漏電現(xiàn)象。

1.1 芯片側(cè)面沒有做鈍化

很多芯片由于各種因素,沒有對芯片的側(cè)面做鈍化保護,使得芯片劃片后,PN結(jié)在側(cè)面裸露于空氣中。如圖1所示。

LED芯片漏電的九大“真相”
LED芯片漏電的九大“真相”
LED芯片漏電的九大“真相”
LED芯片漏電的九大“真相”
 
以前未作側(cè)面鈍化的圓片,劃片方法見圖2和圖3.從圖4對實際芯片包裝的照片上就可以證明芯片側(cè)面是不做鈍化的。因為從照片上可以看到,芯片側(cè)面極不規(guī)整。為什么這樣芯片還可以出廠呢?因為,在芯片廠里,側(cè)面即使沒有保護層,由于廠房的潔凈度高,加之裸露時間不長,側(cè)面還沒有受到沾污,所以測量是沒有漏電的,就將它們出廠了。
為什么這樣的狀況就會造成漏電呢?下面就要從微觀結(jié)構(gòu)上來講講了。
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LED芯片漏電的九大“真相”
LED芯片漏電的九大“真相”
 
圖5是一個晶體表面處的微觀結(jié)構(gòu)示意圖。表面處原子外層電子數(shù)不飽和,存在懸掛鍵。這些懸掛鍵形成表面態(tài)能級,引起漏電【3】【4】。而且,這些懸掛鍵非常有活性,很容易吸附其它分子、原子和離子。所吸附的雜質(zhì)發(fā)生電離,直接就形成了電流通道。這個電流通道相當于給PN結(jié)并聯(lián)了一個電阻。
這種表面沾污造成的漏電及短期失效問題,早已被半導體元器件制造行業(yè)認識,并通過制作保護層來加以解決。

1.2 芯片側(cè)面有保護層

現(xiàn)在有些LED芯片廠在芯片側(cè)面也做上了二氧化硅保護層。但是,即使是PN結(jié)端面上有二氧化硅保護層,由于制造方面的原因,在二氧化硅中可能會有可移動的離子存在。在封裝廠的不潔凈環(huán)境中,還會收到沾污。所以,沒有良好的二氧化硅生產(chǎn)工藝,沒有達到潔凈等級的封裝廠房,LED封裝后出現(xiàn)漏電的幾率仍然是很高的。

二氧化硅層中的可移動離子移動到半導體材料表面,可能使P型材料表面產(chǎn)生耗盡層,嚴重的發(fā)生反型,從而發(fā)生漏電。

在通常的硅半導體器件制造中,為了解決二氧化硅的問題,一般會在芯片功能制造完畢后,再增加一層鈍化層?,F(xiàn)在常用的是氮化硅材料。這樣會大大提高半導體器件的穩(wěn)定性和可靠性【5】【6】。這些不是本文討論的內(nèi)容,提及它只是提醒大家,在LED中,雖然有二氧化硅保護層,但后期不注意保潔,還是會有漏電問題的。
對于二氧化硅中含可移動離子及沾污對漏電的更詳細的分析,讀者可以參考有關半導體的資料,如半導體物理、晶體管原理、半導體器件制造工藝等書籍。

1.3 沾污漏電的表現(xiàn)

晶體管的漏電,可能是PN結(jié)制造不良產(chǎn)生,也可能是沾污造成。通常,PN結(jié)不良或受損產(chǎn)生漏電是不可恢復的,具有正、反向漏電狀況基本相同的特征,而且常表現(xiàn)為完全穿通。沾污造成的漏電,觀察其伏安特性,通常有多種表現(xiàn),如:正、反向漏電的伏安特性曲線不同;反向擊穿電壓蠕變;正向伏安曲線蠕變;嚴重的也會表現(xiàn)出正、反向都是穿通的狀況等。沾污漏電還表現(xiàn)出不穩(wěn)定性,某些狀況下,漏電狀況還會暫時恢復正常,即暫時不漏電。

下面通過一些實例來看看沾污對LED帶來的漏電表現(xiàn)。
實例一:被反向電壓擊正常的LED
白光LED,測試正向時,有漏電,見圖7(a)。測反向時,在反向電壓小于某個值時,可以看到有很大的漏電,圖7(b)中的反向電壓為10V。當著反向電壓繼續(xù)增大時,漏電突然消失,呈現(xiàn)不漏電的狀況。圖7(c)中漏電消失時的發(fā)現(xiàn)電壓約大于10V。此時再測試正向伏安特性,可以看到,漏電完全消失,LED恢復正常。見圖7(d)。但是,這種恢復正常是暫時的,放置一段時間后,LED又會出現(xiàn)漏電。測試時,還會重復上述過程。

LED芯片漏電的九大“真相”
 
從正、反向的漏電曲線看,它們的漏電程度是不同的。
這種反向電壓擊正常的現(xiàn)象,分析為外加電場使得沾污離子的再分布,使其遠離PN結(jié)端面區(qū)域。因而使得PN結(jié)端面恢復正常。但是放置一段時間,由于溫度的變化,或在正向電壓作用下,沾污離子又會遷移到PN結(jié)端面附近,重新造成漏電。
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實例二、反向電流蠕變,較高反電下漏電消失。
讀者可以先看一下附件1的實測視頻——反向電壓擊正常的LED。
在此示例中可以看到,在施加反向電壓時,隨著電壓的升高,反向電流忽大忽小,即發(fā)生蠕變現(xiàn)象。當著反向電壓高到某個值時,漏電流消失了。再測正向特性,可以看到是正常的,沒有漏電流了。不過,這種恢復正常也是暫時的,放置一段時間后又會恢復漏電狀況。

實例三、反向漏電蠕變非常大,正向漏電蠕變,到VF時不漏電。 讀者可以先看一下附件2的實測視頻——大漏電會亮的LED。
本例與實例一不同的是,在較高反壓下也沒能使漏電消失,并且反向漏電非常大。但是在正向時,漏電并沒有反向的大,在正向?qū)ê?,漏電狀況反倒消失了。
實例四、反向漏電不是很大,正向電壓小于VF時漏電很大,到VF之后漏電變到很小。 讀者可以先看一下附件3的實測視頻——沾污漏電。
實例五、正向點亮前漏電非常大,到VF時基本正常。而反向漏電遠比正向漏電小。 讀者可以看一下附件4的實測視頻――LED非擊穿漏電。
實例六、LED產(chǎn)品嚴重漏電,類似穿通。解剖出芯片后,芯片正常,沒有漏電。

1.4 沾污漏電的判定

沾污漏電和PN結(jié)或體材料受損漏電的區(qū)分,有些狀況很難直接判定,需要解剖取出芯片來觀察分析。但是,有些現(xiàn)象確實可以區(qū)分的。比如上面的六個實例中都是沾污造成的漏電。

2. 銀膠過高造成漏電

這個問題在LED封裝業(yè)中已是常識性的、看得見的問題了,無需我多啰嗦了。

3. 打線偏焊造成漏電

這個問題在LED封裝業(yè)中也是常識性的、看得見的問題了,也無需我多啰嗦了。

4. 應力造成漏電

應力,往往是看不見的,若對材料的一些基本性質(zhì)不了解,則不太好理解這個問題。其實,應力相對于日常可見的比如推土機推土那樣大的力相比,它是很難看得見的作用力而已。它往往是由于材料的熱脹冷縮而產(chǎn)生。應力的影響往往是在兩種材料的接觸方面。應力作用可以是直接壓力,也可以是與材料接觸面平行的橫向剪切力。舉一個簡單的例子,在兩根鐵軌之間是有一段間隙的,如果將這個間隙留的很小,當溫度升高時,兩段鐵軌的端面就會接觸,甚至擠壓變形。這就是應力作用。當兩種不同的材料粘結(jié)接觸時,當溫度發(fā)生變化,若兩種材料的熱膨脹系數(shù)不同,在接觸面由于延伸或收縮尺度不同,相互間產(chǎn)生拉力,這就是橫向的剪切應力。

在LED中,有不同的材料,熱膨脹系數(shù)是不同的。在溫度反復變化的過程中,各物質(zhì)不可能回復到它們最初接觸時的狀態(tài),相互間會保持有一定的應力。但不一定會有害。只有當膨脹系數(shù)相差太大、工藝條件不合適時,就可能留下很大的應力。這個應力嚴重的會壓壞芯片,使芯片破損,造成漏電、部分區(qū)域裂開而不亮,嚴重的徹底開路不亮。應力不是很大時,有時也會產(chǎn)生嚴重的后果。

原本在LED的側(cè)面就存在著懸掛鍵,應力的作用,使得表面原子發(fā)生微位移,這些懸掛鍵的電場更加處于一種不平衡狀態(tài),從而造成端面PN結(jié)處的能級狀態(tài)發(fā)生改變,造成漏電。

5. 使用不當造成漏電

這種狀況一般較少發(fā)生。當較高的反向電壓加給LED,可能損壞PN結(jié),造成漏電。
這種損壞,和靜電損壞的機理是相同的。如果不是當事人自己確認,封裝廠的工程師單憑損壞的樣品來看,是很難分辨的。

6. 芯片本身漏電

通常,這種情況也是較少發(fā)生。除非芯片的次品出廠。
一般來講,芯片在制造廠是不容易受到沾污的。但是,在芯片的后續(xù)分選、包裝時,是有可能發(fā)生沾污的。本人看到過某芯片廠的后續(xù)分選、包裝車間環(huán)境就是沒有凈化等級的普通廠房。

7. 工藝不當,使得芯片開裂

芯片底部膠體不均勻,或焊盤下面有空洞,打線時可能損傷芯片產(chǎn)生漏電或失效。 焊線機調(diào)整不當,打傷芯片,產(chǎn)生漏電或失效。

8. 靜電問題

在LED行業(yè),似乎將靜電當成了損壞LED的頭號大敵。但本人卻不這么認為。相反,將它當成次要問題。
對于靜電對LED的損壞問題,本人在一些論壇里有談過【7】?,F(xiàn)在將那些內(nèi)容搬過來,并加以補充,以便大家閱讀與了解。

8.1 靜電的產(chǎn)生機理

通常,靜電的產(chǎn)生是由于摩擦或感應而產(chǎn)生。

摩擦靜電是由于兩個物體接觸摩擦或分離過程中產(chǎn)生電荷的移動而產(chǎn)生。導體間的摩擦留下的靜電通常比較弱,這是由于導體的導電能力強,摩擦產(chǎn)生的離子會在摩擦過程中及終止時很快運動到一起而中和。而絕緣體摩擦后,可能會產(chǎn)生較高的靜電電壓,但是電荷量卻很小。這是由于絕緣體本身的物理結(jié)構(gòu)決定的。絕緣體的分子結(jié)構(gòu)中,電子很難脫離原子核的束縛自由移動,所以,摩擦結(jié)果也只能產(chǎn)生少量的分子或原子電離。

感應靜電是物體處于電場之中,受電磁場的作用,物體中的電子發(fā)生移動而形成電場。感應靜電一般只能在導體上產(chǎn)生??臻g電磁場對絕緣體的作用可以忽略。

8.2 靜電的放電機理

220V的市電可以打死人,可人們身上上千伏的電壓卻打不死人,是何道理? 電容兩端的電壓滿足下列公式:
U=Q/C
根據(jù)這個公式可以知道,當電容量很小時,很少的電荷量,就會產(chǎn)生很高的電壓。

通常我們的身體、身邊的物體,電容都非常小,當產(chǎn)生電荷后,很少的電荷量,也會產(chǎn)生很高的電壓。

由于電荷量很少,放電時,形成的電流非常小,時間非常短,電壓不能維持,極短的時間就降下來。由于人體不是絕緣體,所以,身體各處積累的靜電荷,在有放電通路的情況下,都會匯集過來,所以感覺電流大些,有電擊的感覺。人體、金屬物品等導體在產(chǎn)生靜電后,放電電流會比較大。

對于絕緣性能好的材料,一個是產(chǎn)生的電荷量非常小,另一方面,產(chǎn)生的電荷,很難流動。電壓雖然高,但某處有放電通路時,只是接觸點及附近極小范圍內(nèi)的電荷可以流動放電,非接觸點的電荷則不能放電(誰叫它是絕緣體呢)。故而,就是有上萬伏的電壓,放電能量也是微乎其微的。如圖8所示。
LED芯片漏電的九大“真相”
 
所以,雖然塑料周轉(zhuǎn)箱、包裝泡沫上、化纖地毯等的靜電電壓非常高,其實放電能量非常小。

8.3 靜電對電子元器件的危害

靜電會對LED有危害,并不是LED獨有的“專利”,就是用硅材料制造的常用的二極管、三極管,也都會受到威脅。甚至建筑、樹木、動物都可能被靜電損害(雷電就是一種靜電,我們這里就不去考慮它了)。

那么,靜電是怎么對電子元件損害的呢?我也不要扯得太遠,就只講半導體器件的問題,而且就局限于二極管、三極管、IC、LED方面。

電對半導體元器件的損壞,最終是有電流的參與。在電流的作用下,由于熱而損壞器件。要有電流,就要有電壓。但是,半導體二極管有PN結(jié),無論是正向還是反向,PN結(jié)都會有阻擋電流的一個電壓范圍。正向勢壘低,反向勢壘則要高很多。在一個電路中,哪里的電阻大,電壓就在哪里集中。但就來看LED,電壓正向加給LED時,當外電壓小于二極管的閾值電壓(大小與材料禁帶寬度對應),沒有正向電流,電壓全部加在PN結(jié)上。電壓反向加給LED時,當外電壓小于LED的反向擊穿電壓時,電壓也是全部加在PN結(jié)上,此時,LED的虛焊點也罷,支架也罷、P區(qū)也罷、N區(qū)也罷,統(tǒng)統(tǒng)都沒有電壓降!因為沒有電流。當著PN結(jié)擊穿后,外電壓才會由電路上的所有電阻分擔。哪個地方電阻大,哪個部分承擔的電壓就高。就LED而言,自然是PN結(jié)承擔了大部分電壓。在PN結(jié)上產(chǎn)生的熱功率就是它上面的壓降乘以電流值。若是電流值不加限制,過高的熱量就會將PN結(jié)燒壞,PN結(jié)失去作用而穿通。

IC為什么會比較怕靜電,因為,IC中的每個元件的面積非常小,每個元件的寄生電容也就非常小(往往電路功能就要求寄生電容非常小),所以,少量的靜電電荷就會產(chǎn)生很高的靜電電壓,而且每個元件的功率耐量通常也很小,所以,靜電放電就很容易損壞IC。但是通常的分立元件,如普通的小功率二極管、小功率三極管都不是非常怕靜電,因為它們芯片的面積比較大,寄生電容也比較大,一般的靜定不容易在它們上面積累高電壓。小功率的MOS管,由于柵極氧化層很薄,寄生電容小,所以很容易遭靜電損壞,通常會在封裝完成后將三個電極短路后出廠。使用中也常要求在焊接完成后再去掉短路線。而大功率的MOS管,由于芯片面積大,一般的靜電也不會損壞它們。所以你會看到,現(xiàn)在功率MOS管的三個電極是沒有短路線保護的。(早期制造廠還是將它們短路后出廠的)

LED實際就是有個二極管,它的面積相對IC內(nèi)的每個元件來講,是非常大的。所以LED的寄生電容相對來說也是比較大的。所以,一般場合的靜電并不能損壞LED。
一般場合的靜電,尤其是絕緣體上產(chǎn)生的靜電,電壓會很高,但放電電荷量極微,而且放電電流持續(xù)時間很短。而導體上感應的靜電,電壓可能不是很高,但是放電電流卻可能很大,而且往往是持續(xù)的電流。這樣對電子元件的危害就非常大。

8.4 為什么說靜電對LED的損害是不常發(fā)生的呢

先來看一個試驗現(xiàn)象。一塊金屬鐵板上帶有500V的靜電,將LED放到金屬板上(放的方法要注意,避免下述的問題發(fā)生),大家說LED會被損壞嗎?這里,LED要被損壞,通常應該是被加上大于其擊穿電壓的電壓,也就是說LED的兩個電極要同時接觸金屬板,并具有大于擊穿電壓的電壓。由于鐵板是良導體,其上各處的感應電壓相等,所謂500V的電壓是相對于地而言的,所以,LED兩電極間是沒有電壓的,自然也就不會受到任何損傷了。除非,你將LED的一個電極接觸鐵板,另一個電極你用導體(未戴絕緣手套的手或?qū)Ь€)連接到地或其它導體上。

上面的試驗現(xiàn)象提示我們,LED在靜電場中時,必須是一個電極接觸靜電體,另一個電極要接觸地或其它導體才可能受損。在實際生產(chǎn)和應用中,以LED那么小的體積,很少有機會發(fā)生那樣的事情,尤其是批量發(fā)生那樣的事情。偶然的事件是可能的。比如,LED處于靜電體上,且一個電極接觸到靜電體,另一個電極剛好是懸空的,此時有人去觸及了懸空的那個電極,就可能損傷LED。

上面的現(xiàn)象告訴我們,靜電問題也不是可以忽視的。 靜電放電是要有導電回路的,不是有靜電就有損害。
上面的現(xiàn)象還提示我們,當著僅有極少量的漏電問題發(fā)生,可以考慮靜電偶然損壞問題。若是大量發(fā)生,則更多的可能是芯片沾污或應力的問題。

9. 其它原因引起漏電

本人曾遇到過這樣的漏電狀況,LED被封裝與一個殼體中,LED周圍灌有軟膠以防水??墒菑腖ED的引線上測到有嚴重的漏電。將周圍的灌封膠去除后,漏電消失。這里其實并不是LED漏電,而是灌封膠有問題。

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