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用于鋰離子電池保護(hù)電路的N溝道低導(dǎo)通電阻MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2012-12-13 責(zé)任編輯:easonxu

【導(dǎo)讀】東芝推出新款N溝道低導(dǎo)通電阻MOSFET,可用于鋰離子電池保護(hù)電路和手機(jī)電源管理開關(guān)。采用了TSON Advance封裝,可提供出色的散熱性能和高抗雪崩性能。


東芝公司(Toshiba Corporation)推出了一款低導(dǎo)通電阻MOSFET—TPN2R503NC。該產(chǎn)品采用最新的第八代工藝打造,可用于鋰離子電池保護(hù)電路和手機(jī)電源管理開關(guān)。其他兩款第八代產(chǎn)品TPN4R203NC和TPN6R303NC也被添加到該產(chǎn)品系列中,成為現(xiàn)有型號(hào)的換代產(chǎn)品。所有三款產(chǎn)品均有助于降低設(shè)備厚度和總體尺寸,并可提高效率。

規(guī)格

應(yīng)用
 
鋰離子電池保護(hù)電路
手機(jī)電源管理開關(guān) 
 
主要特點(diǎn)
 
由于采用了最新的第八代工藝,因此產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻比現(xiàn)有的東芝產(chǎn)品要低。
采用了TSON Advance封裝,可提供出色的散熱性能。
高抗雪崩性能。
 

 

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