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GaN耐壓600V產(chǎn)品亮相,SiC功率元件開發(fā)加快

發(fā)布時(shí)間:2012-12-26 責(zé)任編輯:easonxu

【導(dǎo)讀】進(jìn)入2012年后,SiC功率元件的開發(fā)也在加快,最先行動(dòng)的是羅姆,,科銳及三菱電機(jī)則緊跟其后。GaN功率元件在2012年也有長(zhǎng)足進(jìn)步,已有耐壓600V的GaN功率晶體管產(chǎn)品亮相,2013年相關(guān)行動(dòng)將更為活躍。


SiC及GaN等新一代功率半導(dǎo)體有望實(shí)現(xiàn)現(xiàn)有Si材料無法實(shí)現(xiàn)的大幅提高效率及小型化。2012年,這些新一代功率半導(dǎo)體在實(shí)用化方面取得了很大進(jìn)展。其中,應(yīng)用最為活躍的是SiC二極管,已擴(kuò)展到鐵路及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域。

比如鐵路領(lǐng)域,東京Metro地鐵銀座線的“01系車輛”配備三菱電機(jī)制造的帶SiC二極管的逆變器裝置,從2012年2月開始運(yùn)營(yíng)。

在工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域,富士電機(jī)于2012年9月推出了配備SiC二極管的、可驅(qū)動(dòng)泵機(jī)及風(fēng)扇的逆變器裝置。三菱電機(jī)在對(duì)連接在CNC(數(shù)控裝置)上的機(jī)床馬達(dá)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)及控制的“馬達(dá)驅(qū)動(dòng)裝置”上采用SiC二極管,從2012年12月開始銷售。

SiC功率元件的開發(fā)也在加快。尤其是功率模塊方面,不斷有新產(chǎn)品亮相。進(jìn)入2012年后,科銳(Cree)、三菱電機(jī)、羅姆均推出了全SiC功率模塊產(chǎn)品。最先行動(dòng)的是羅姆,,科銳及三菱電機(jī)則緊跟其后。三菱電機(jī)早已在自家的逆變器裝置上采用SiC功率模塊,而對(duì)外銷售是從2012年開始的。

SiC晶體管方面也有新種類的晶體管產(chǎn)品推出,這就是BJT(bipolar junction transistor)。飛兆半導(dǎo)體(Fairchild Semiconductor)宣布,將于2013年上半年開始量產(chǎn)BJT。

耐壓600V的GaN產(chǎn)品亮相

GaN功率元件在2012年也有長(zhǎng)足進(jìn)步,已有耐壓600V的GaN功率晶體管產(chǎn)品亮相。以往產(chǎn)品的最大耐壓只有200V。開始提供耐壓600V產(chǎn)品的是美國(guó)的TransPhorm公司,該公司的GaN功率晶體管單體為常開工作,但通過在該GaN功率晶體管上級(jí)聯(lián)Si制MOSFET,可實(shí)現(xiàn)常閉工作。

隨著耐壓600V的產(chǎn)品亮相,GaN功率元件在輸出功率為數(shù)kW的功率轉(zhuǎn)換器領(lǐng)域的應(yīng)用也進(jìn)入了實(shí)質(zhì)性階段。實(shí)際上,安川電機(jī)就試制出了使用GaN功率元件的太陽能發(fā)電用功率調(diào)節(jié)器,該公司2012年10月宣布,力爭(zhēng)在2014年內(nèi)實(shí)現(xiàn)實(shí)用化。

如上所述, SiC及GaN功率元件的實(shí)用化在2012年取得了長(zhǎng)足進(jìn)步,2013年相關(guān)行動(dòng)將更為活躍。

 

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