新款的 PQFN2x2 器件提供 20V、 25V 和 30V 的選擇,并帶有標(biāo)準(zhǔn)或邏輯水平柵極驅(qū)動(dòng)器。這些器件只需要 4mm² 的占位空間,采用IR最新的低電壓 N-通道和P-通道硅技術(shù),從而達(dá)到極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ,以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封裝的高功率密度。
可用于智能手機(jī)的新款超小型功率MOSFET
發(fā)布時(shí)間:2013-01-24 責(zé)任編輯:alexwang
【導(dǎo)讀】國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱 IR) 擴(kuò)展其封裝系列,推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的 HEXFET MOSFET 硅技術(shù),為一系列的低功耗應(yīng)用,包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、筆記本電腦、服務(wù)器和網(wǎng)絡(luò)通訊設(shè)備,提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
圖1 器件
新款的 PQFN2x2 器件提供 20V、 25V 和 30V 的選擇,并帶有標(biāo)準(zhǔn)或邏輯水平柵極驅(qū)動(dòng)器。這些器件只需要 4mm² 的占位空間,采用IR最新的低電壓 N-通道和P-通道硅技術(shù),從而達(dá)到極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ,以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封裝的高功率密度。
IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“IR的新型PQFN2x2器件進(jìn)一步擴(kuò)展IR廣闊的功率 MOSFET系列,也可以滿足我們客戶的需求,進(jìn)一步縮小封裝尺寸,并結(jié)合基準(zhǔn)硅技術(shù)。這些新器件擁有超小尺寸和高密度,非常適合于高度數(shù)字化內(nèi)容相關(guān)的應(yīng)用。”
圖2 產(chǎn)品規(guī)格表
這個(gè)PQFN2x2系列包括為負(fù)載開關(guān)的高側(cè)而優(yōu)化的P-通道器件,帶來一個(gè)更簡單的驅(qū)動(dòng)解決方案。同時(shí),新器件的厚度少于1 mm,使它們與現(xiàn)有的表面貼裝技術(shù)兼容,并且擁有行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的占位空間,還符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令 (RoHS) 。
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