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百科全書大講壇:細(xì)說(shuō)SSR固態(tài)繼電器的二三事

發(fā)布時(shí)間:2015-03-25 責(zé)任編輯:echolady

【導(dǎo)讀】固態(tài)繼電器簡(jiǎn)稱SSR,是由分立電子器件、電力電子功率器件、微電子電路器件一起構(gòu)成的無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)。固態(tài)繼電器用隔離器件就實(shí)現(xiàn)了控制端與負(fù)載端的隔離。本文就SSR固態(tài)繼電器的工作原理和常見問(wèn)題,細(xì)說(shuō)繼電器的二三事。

固態(tài)繼電器工作原理詳細(xì)介紹

SSR固態(tài)繼電器以觸發(fā)形式,可分為零壓型(Z)和調(diào)相型(P)兩種。在輸入端施加合適的控制信號(hào)VIN時(shí),P型SSR立即導(dǎo)通。當(dāng)VIN撤銷后,負(fù)載電流低于雙向可控硅維持電流時(shí)(交流換向),SSR關(guān)斷。

Z型SSR內(nèi)部包括過(guò)零檢測(cè)電路,在施加輸入信號(hào)VIN時(shí),只有當(dāng)負(fù)載電源電壓達(dá)到過(guò)零區(qū)時(shí),SSR才能導(dǎo)通,并有可能造成電源半個(gè)周期的最大延時(shí)。Z型SSR關(guān)斷條件同P型,但由于負(fù)載工作電流近似正弦波,高次諧波干擾小,所以應(yīng)用廣泛。

有的公司SSR由于采用輸出器件不同,有普通型(S,采用雙向可控硅元件)和增強(qiáng)型(HS,采用單向可控硅元件)之分。當(dāng)加有感性負(fù)載時(shí),在輸入信號(hào)截止t1之前,雙向可控硅導(dǎo)通,電流滯后電源電壓90O(純感時(shí))。t1時(shí)刻,輸入控制信號(hào)撤銷,雙向可控硅在小于維持電流時(shí)關(guān)斷(t2),可控硅將承受電壓上升率dv/dt很高的反向電壓。這個(gè)電壓將通過(guò)雙向可控硅內(nèi)部的結(jié)電容,正反饋到柵極。如果超過(guò)雙向可控硅換向dv/dt指標(biāo)(典型值10V/s,將引起換向恢復(fù)時(shí)間長(zhǎng)甚至失敗。

單向可控硅(增強(qiáng)型SSR)由于處在單極性工作狀態(tài),此時(shí)只受靜態(tài)電壓上升率所限制(典型值200V/s),因此增強(qiáng)型固態(tài)繼電器HS系列比普通型SSR的換向dv/dt指標(biāo)提高了520倍。由于采用兩只大功率單向可控硅反并聯(lián),改變了電流分配和導(dǎo)熱條件,提高了SSR輸出功率。

固態(tài)繼電器的應(yīng)用


固態(tài)繼電器是由固態(tài)元件組成的無(wú)觸點(diǎn)開關(guān),具有工作安全可靠、壽命長(zhǎng)、無(wú)觸點(diǎn)、無(wú)火花、無(wú)污染、高絕緣、高耐壓(越過(guò)2.5kv)、低觸發(fā)電流、開關(guān)速度快、可與數(shù)字電路巨配,以阻燃型環(huán)氧樹脂為原料,采用灌封技術(shù),使與外界隔離,具有良好的耐壓、防潮、防腐、抗震動(dòng)等性能。固態(tài)繼電器內(nèi)部采用電壓過(guò)零時(shí)開啟,負(fù)載過(guò)零時(shí)關(guān)斷的特性,在負(fù)載上可以得到一個(gè)完整的正弦波形。因此電路的射頻干擾很小,可降低感性負(fù)載(如風(fēng)扇、三相電動(dòng)機(jī)等)的反電動(dòng)勢(shì)以及驅(qū)動(dòng)阻性負(fù)載(如白熾燈、發(fā)熱絲等)時(shí)可顯著降低浪涌電流等優(yōu)點(diǎn)。

S系列固態(tài)繼電器,HS系列增強(qiáng)型固態(tài)繼電器、可以廣泛用于:計(jì)算機(jī)外圍接口裝置,恒溫器和電阻爐控制、交流電機(jī)控制、中間繼電器和電磁閥控制、復(fù)印機(jī)和全自動(dòng)洗衣機(jī)控制、信號(hào)燈交通燈和閃爍器控制、照明和舞臺(tái)燈光控制、數(shù)控機(jī)械遙控系統(tǒng)、自動(dòng)消防和保安系統(tǒng)、大功率可控硅觸發(fā)和工業(yè)自動(dòng)化裝置等。

固態(tài)繼電器的基本特性

輸入信號(hào)能與計(jì)算機(jī)終端及數(shù)字邏輯電路兼容

設(shè)計(jì)余量≥160%表面貼裝技術(shù)。

電氣開關(guān)壽命大于6×107次。

分過(guò)零觸發(fā)和隨機(jī)觸發(fā)兩種規(guī)格。

發(fā)光二極管指示工作狀態(tài)。

內(nèi)置阻容吸收回路。

三極可以根據(jù)用戶要求,增加缺相保護(hù)功能。

工作環(huán)境-20℃-80℃。

動(dòng)作應(yīng)答時(shí)間ON<10ms/OFF。

固態(tài)繼電器的使用注意事項(xiàng)

1. 電阻性負(fù)載不能超過(guò)額定電流的60%。

2. 電感性或容性負(fù)載不能超過(guò)額定電流的40%,在控制感性負(fù)載時(shí),一定要考慮負(fù)載的啟動(dòng)性,盡量選耐電壓高的產(chǎn)品,因?yàn)楦行载?fù)載有6倍左右 的反峰值電壓。

3. 固態(tài)繼電器導(dǎo)通時(shí),兩端總有壓降,會(huì)產(chǎn)生焦耳熱尤其是大電流工作時(shí)更加突出,電流10A時(shí)必須加裝散熱器,電流大于40A時(shí),需加風(fēng)扇強(qiáng)冷 或水冷。

4. 過(guò)流和負(fù)載短路可能造成SSR內(nèi)部可控硅永久性失效,所以必須加裝熔斷器或空氣開關(guān),小容量可選用保險(xiǎn)絲。

5. 過(guò)壓保護(hù)可采用并聯(lián)壓敏電阻,根據(jù)用戶要求也可內(nèi)置壓敏電阻。

固態(tài)繼電器是半導(dǎo)體器件的組合裝置。它具有無(wú)觸點(diǎn),壽命長(zhǎng),可靠性高,使用安全,電磁干擾小等優(yōu)點(diǎn)。

它分為直流固態(tài)(輸出用MOS管、IGBT等控制)和交流固態(tài)(輸出用可控硅控制)。

固態(tài)繼電器的常見問(wèn)題

一、繼電器不斷開:

(1) 負(fù)載電流大于SSR的額定切換電流,這樣會(huì)使繼電器永久短路,此時(shí)應(yīng)使用額定電流較大的SSR。

(2) 在繼電器所處的環(huán)境溫度下,對(duì)于所承受的電流來(lái)說(shuō)如散熱不良,會(huì)損壞輸出半導(dǎo)體器件,此時(shí)應(yīng)使用較大的或更有效的散熱片。

(3) 線電壓瞬變引起SSR輸出部分穿通,此時(shí)應(yīng)使用額定電壓較高的SSR或提供額外的瞬態(tài)保護(hù)電路。

(4) 使用的線電壓高于SSR的額定電壓。

二、切斷輸入后SSR才斷開:

在SSR應(yīng)該斷開的時(shí)候,測(cè)量輸入電壓,如果測(cè)得的電壓低于必須釋放電壓,表明斷電器的釋放電壓太低,應(yīng)更換繼電器如果測(cè)得的電壓高于SSR的必須釋放電壓,則是SSR輸入端前面的線路有問(wèn)題,必須改正。

影響固態(tài)繼電器(SSR)電磁兼容(EMC)的因素是多方面的,諸如器件的選擇與搭配、電路原理、PCB 的布線和結(jié)構(gòu)等等。其中,交流光耦( 光電耦合器) 對(duì)EMC 參數(shù)的影響常常被忽略。其主要原因是對(duì)它們的應(yīng)用環(huán)境和要求了解較少,同時(shí)對(duì)EMC 的標(biāo)準(zhǔn),設(shè)備的使用和試驗(yàn)方法理解不夠。因此當(dāng)使用性能較差的器件和不合理的結(jié)構(gòu)時(shí),固態(tài)繼電器的EMC 性能往往達(dá)不到國(guó)際上的一些標(biāo)準(zhǔn)( 如CE 等) 。

固態(tài)繼電器的EMC 標(biāo)準(zhǔn)

電磁兼容包含電磁輻射(Emission)和電磁抗干擾(Immunity)。對(duì)器件來(lái)說(shuō),歐洲客戶不要求做電磁測(cè)試( 個(gè)別有特殊要求的客戶除外) ,通常只要求按EN50082-2 標(biāo)準(zhǔn)即1995V EN61000-6-2 進(jìn)行測(cè)試。但最主要是測(cè)試ESD(EN61000-4-2);EFT/B(EN61000-4-4)和SURGE(EN61000-4-5)。在此要說(shuō)明的是,如果客戶要求測(cè)試電磁輻射時(shí),應(yīng)按EN50081-2 標(biāo)準(zhǔn)即2001V EN61000-6-4 進(jìn)行測(cè)試。本文只對(duì)SSR 的電磁抗干擾能力進(jìn)行測(cè)試和歸納。我們?cè)诙嗄昱c歐洲客戶交流中,他們提出最多的有如下要求:

(1) 要求EMC 做通用標(biāo)準(zhǔn)的電磁抗干擾能力的測(cè)試,即上述的ESD、EFT/B 和 Surge。其電壓等級(jí)分別為4kV的接觸放電和8kV 的空氣放電、1kV/5kHz 快速群脈沖擾動(dòng)和2 k V 浪涌沖擊,其它不做要求;

(2) 要求EMC 做通用標(biāo)準(zhǔn)的電磁抗干擾能力達(dá)到等級(jí)3 的測(cè)試,即ESD 和Surge 同上,而EFT/B 要求達(dá)到3kV/5kHz;

(3) 特殊要求:ESD 要求6kV/10kV 和EFT/B 為4kV

(4) 其他要求:除電磁抗干擾(Immunity)外,還要求電磁輻射(Emission)測(cè)試。

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