【導(dǎo)讀】網(wǎng)友求助：用LT1243（同UC3843）仿真一個(gè)BOOST升壓電路，要求輸出36V、2A，即額定功率72W，但是仿真的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，輕載的時(shí)候可以穩(wěn)定輸出36V，重載的時(shí)候輸出電壓無(wú)法升壓，而且波形很奇怪，誰(shuí)能幫分析一下是什么原因該怎么改進(jìn)？
電路圖如下：
輕載1K歐電阻時(shí)輸出電壓波形如下圖所示：
重載18歐（測(cè)試能否達(dá)到額定功率72W）輸出電壓波形如下：
證明無(wú)法達(dá)到輸出功率.....
百度說(shuō)BOOST電路輸出功率是由電感和MOS管決定的，可是修改了相應(yīng)的參數(shù)輸出波形還是和原來(lái)的一樣無(wú)法重載，不知道怎么解決。
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還有想知道實(shí)際情況下如果拿18歐電阻接入36V的電路可以產(chǎn)生2A的電流，但是這遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)了電阻的額定功率，是不是要用一個(gè)電子負(fù)載來(lái)模擬這18歐的電阻呢？我做了一個(gè)簡(jiǎn)易的電子負(fù)載，恒流工作模式的，電子負(fù)載電路圖如下：
這個(gè)電子負(fù)載我用DC電源進(jìn)行測(cè)試能否使用，檢測(cè)時(shí)電流能達(dá)到我所設(shè)定的1A、2A的值，但是MOS管很熱，這是因?yàn)楣β蔬^(guò)高的原因嗎？怎么解決呢？
最后，加入我的BOOST電路修改后功率能達(dá)到72W能否用這個(gè)我自己制作的電子負(fù)載進(jìn)行測(cè)試呢？
網(wǎng)友討論區(qū)：
網(wǎng)友A：多拿幾個(gè)18ohm的電阻做串并聯(lián)就可以，如果太熱，找個(gè)風(fēng)扇吹。功率不能出72W，可能是限流了，減小R1的阻值試試，看看重載是否穩(wěn)定？
網(wǎng)友B：接18歐姆負(fù)載仿真的時(shí)候，COMP端的波形是什么樣子的？還有你輸入20V，采用1歐姆的取樣電阻，取樣電阻也太大了吧？你先換個(gè)0.1歐姆的試試。
網(wǎng)友C：照你的輸出功率，流過(guò)MOS管的電流大概在5A以上，請(qǐng)檢查取樣電阻是否滿(mǎn)足要求。
網(wǎng)友D：1. MOS很熱很正常，將散熱器，而且由于功率高達(dá)72W，需要比較大的散熱器
2.一個(gè)簡(jiǎn)單的辦法是在MOS管漏極串功率電阻，可以適當(dāng)?shù)慕档蚆OS管的損耗
3.可以使用自己的電子負(fù)載測(cè)試，但是需要考量穩(wěn)定性。
網(wǎng)友E： MOSFET發(fā)熱有很多原因的，例如MOSFET的內(nèi)阻，自身的結(jié)電容等。有很多辦法可以改善的。
1.增大散熱片散熱
2.電感感量增大，降低峰值電流
3.加快MOSFET開(kāi)關(guān)速度
4.優(yōu)化工作頻率
網(wǎng)友F：當(dāng)然更換MOSFET也是可以的，要選擇那些內(nèi)阻小，結(jié)電容小的MOSFET，一般都是通流能力強(qiáng)的。不是耐壓高的。IGBT適合高壓大電流，不建議使用
網(wǎng)友G：這個(gè)問(wèn)題好寬泛，對(duì)于controller,功率與外部MOS和芯片驅(qū)動(dòng)能力有關(guān)（可以外加驅(qū)動(dòng)器），對(duì)于convertor與內(nèi)部集成MOS有關(guān)。
網(wǎng)友H：限流了，減小R1的阻值,你更改下你的L1感量。
網(wǎng)友I：重載時(shí)候的波形也是正常的，只是紋波比較大而已，可以?xún)?yōu)化一下電路，適當(dāng)增大電感量和電容量。
大家有什么好的建議，歡迎提出，謝謝！
