你的位置:首頁 > 電源管理 > 正文

碳化硅MOS 四引腳封裝在應用中的優(yōu)勢

發(fā)布時間:2022-09-14 來源:瑞森半導體 責任編輯:wenwei

【導讀】瑞森半導體科技有限公司經(jīng)過多年研發(fā),推出碳化硅MOS和SBD系列產(chǎn)品,目前已得到市場和客戶認可,廣泛應用于高端服務器電源、太陽能逆變、UPS電源、電機驅(qū)動、儲能、充電樁等領(lǐng)域。


碳化硅MOS 芯片具有優(yōu)異的高頻特性,在高頻應用中,傳統(tǒng)的TO-247封裝會制約其高頻特性。瑞森半導體因應客戶需求及為進一步提升碳化硅MOS性能,特開發(fā)出四引腳TO-247封裝(TO-247-4L)碳化硅MOS產(chǎn)品。


1.jpg


1. TO-247 四引腳封裝和三引腳封裝差異


四引腳封裝TO-247與三引腳封裝TO-247相比較,外形上明顯多了一引腳,增加的引腳為驅(qū)動器源極引腳。腳位排列由TO-247 三引腳封裝的G-D-S變?yōu)镈-S(P)-S(D)-G,其中第二引腳 S(P)接負載端,三引腳S(D)接驅(qū)動端。


3.jpg


對于傳統(tǒng)三引腳TO-247封裝。其反電動勢VLS(=LS*dID/dt)由源極電源線的電感分量L和漏極電流斜率dI dID/dt產(chǎn)生,電壓VGS的是施加在芯片的柵極和源極漏極。這個反電動勢將實際施加的電壓從設(shè)定的柵極電壓降低,且開關(guān)速度特別是開通速度將會減慢。


4.jpg


通過增加用于柵極驅(qū)動的信號源端子,可以分離電源線中的電流和柵極驅(qū)動線中的電流,以減小柵源電壓電感的影響。四引腳的封裝的TO-247-4L將驅(qū)動側(cè)的源端直接連接在芯片的位置,與負載側(cè)的源線分離,這樣使其不易受到驅(qū)動電壓的影響。從而提高了碳化硅MOS的高速開關(guān)性能。


5.jpg


2. 四引腳封裝(TO-247-4L)優(yōu)勢


四引腳封裝的TO-247-4L碳化硅MOS,可充分發(fā)揮出碳化硅MOS 本身的高速開關(guān)性能。與傳統(tǒng)三引腳封裝TO-247相比,開關(guān)損耗可降低約 30-35%,能進一步降低電路的損耗。


6.jpg


導通損耗:與沒有驅(qū)動器源極引腳的TO-247封裝產(chǎn)品(淺藍色虛線)相比,有驅(qū)動器源極引腳的TO-247-4L封裝產(chǎn)品(紅色虛線)導通時的ID上升速度更快。通過比較,可以看出TO-247封裝產(chǎn)品(淺藍色線)的開關(guān)損耗為 2700J,而TO-247-4L封裝產(chǎn)品(紅色線)為1700J,開關(guān)損耗減少約35%,減幅顯著。


7.jpg


關(guān)斷損耗:關(guān)斷時的波形可以看出,TO-247封裝產(chǎn)品(淺藍色實線)的開關(guān)損耗為2100J,TO-247-4L封裝產(chǎn)品(紅色實線)為1450J,開關(guān)損耗降低約30%。


8.jpg


3. 瑞森半導體碳化硅MOS系列產(chǎn)品


瑞森半導體經(jīng)過多年研發(fā),目前已擁有完整系列碳化硅MOS產(chǎn)品,各型號產(chǎn)品同時具備TO-247-3L及TO-247-4L 兩種封裝,給客戶提供更多選擇。


9.jpg


瑞森半導體一直致力于領(lǐng)先于行業(yè)的產(chǎn)品開發(fā)。 未來會繼續(xù)推進創(chuàng)新型元器件的開發(fā), 同時提供包括碳化硅產(chǎn)品在內(nèi)的解決方案,為進一步降低各種設(shè)備的功耗貢獻力量。



免責聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問題,請聯(lián)系小編進行處理。


推薦閱讀:


深入剖析高速SiC MOSFET的開關(guān)行為

巧用LC濾波器額,改善高速DAC電源相位噪聲!

常見的觸摸開關(guān),你了解多少?

如何為無線狀態(tài)監(jiān)控系統(tǒng)選擇最佳MEMS傳感器(上篇)

藍牙模塊對于電路的影響

特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書下載更多>>
熱門搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉