你的位置:首頁(yè) > 電源管理 > 正文

如何在電源上選擇MOS管

發(fā)布時(shí)間:2023-06-23 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】在開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用MOS管的時(shí)候,在很多電源設(shè)計(jì)人員的都將采用一套公式,質(zhì)量因數(shù)(柵極電荷QG ×導(dǎo)通阻抗RDS(ON))。來(lái)對(duì)mos管來(lái)驗(yàn)證。


在開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用MOS管的時(shí)候,在很多電源設(shè)計(jì)人員的都將采用一套公式,質(zhì)量因數(shù)(柵極電荷QG ×導(dǎo)通阻抗RDS(ON))。來(lái)對(duì)mos管來(lái)驗(yàn)證。

那么柵極電荷和導(dǎo)通阻抗很重要,這都是對(duì)電源的效率有直接的影響,主要是傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗。


如何在電源上選擇MOS管


還有在電源中第二重要的是MOS管參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。


如何在電源上選擇MOS管


用于針對(duì)N+1冗余拓?fù)涞牟⑿须娫纯刂频腗OS管在ORing FET應(yīng)用中,ORing FET應(yīng)用設(shè)計(jì)人員顯然必需關(guān)注MOS管的不同特性,比如,在電源設(shè)計(jì)中,每個(gè)電源常常需求多個(gè)ORing MOS管并行工作,需求多個(gè)器件來(lái)把電傳播送給負(fù)載。在許多狀況下,設(shè)計(jì)人員必需并聯(lián)MOS管,以有效降低RDS(ON)。在 DC 電路中,并聯(lián)電阻性負(fù)載的等效阻抗小于每個(gè)負(fù)載單獨(dú)的阻抗值。比方,兩個(gè)并聯(lián)的2Ω 電阻相當(dāng)于一個(gè)1Ω的電阻 。因而,普通來(lái)說(shuō),一個(gè)低RDS(ON) 值的MOS管,具備大額定電流,就能夠讓設(shè)計(jì)人員把電源中所用MOS管的數(shù)目減至少。


免責(zé)聲明:本文為轉(zhuǎn)載文章,轉(zhuǎn)載此文目的在于傳遞更多信息,版權(quán)歸原作者所有。本文所用視頻、圖片、文字如涉及作品版權(quán)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系小編進(jìn)行處理。


推薦閱讀:

晶閘管是怎么調(diào)節(jié)燈泡亮度的?

電感中的感應(yīng)電壓

了解熱插拔:熱插拔電路設(shè)計(jì)過(guò)程示例

晶體管的第一個(gè)76年:變小了,卻變大了?

PN結(jié)的基礎(chǔ)知識(shí)


特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書(shū)下載更多>>
熱門(mén)搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉