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Pwrx推出高壓大電流二極管模塊QRSB165001/QRD6565001
QRSB165001/QRD6565001二極管模塊采用帶狀,67mm二極管單元(每個(gè)模塊有2個(gè)),可提供的穩(wěn)態(tài)電流為650A,用于高電壓/電流隔離。
2010-04-20
Pwrx 高壓 大電流 二極管 QRSB165001
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分立器件低端市場(chǎng)中國(guó)企業(yè)已無(wú)差距
近年來(lái),半導(dǎo)體基礎(chǔ)器件的二、三極管,其銷(xiāo)售額在世界半導(dǎo)體總銷(xiāo)售額中所占比重逐年下降,但是分立器件每年的銷(xiāo)售額仍以個(gè)位數(shù)平穩(wěn)增長(zhǎng)。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體分立器件的發(fā)展稍好,且以每年兩位數(shù)的速度增長(zhǎng),高于世界的增長(zhǎng)水平。由此可見(jiàn),半導(dǎo)體分立器件仍有很大的發(fā)展空間
2010-04-20
分立器件 低端市場(chǎng) 無(wú)差距 銷(xiāo)售額 下降
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泰科電子推出符合ROHS認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)的IDC SSL連接器
日前,泰科電子宣布推出全新IDC SSL連接器,用于實(shí)現(xiàn)LED印刷電路板(PCB)上散線的快速、免工具刺破式連接。該產(chǎn)品適用于18-24 AWG的單芯及多股線,通過(guò)絕緣刺破技術(shù)消除剝線與焊接過(guò)程中繁重的人工工作
2010-04-20
泰科 ROHS認(rèn)證 標(biāo)準(zhǔn) IDC SSL連接器
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應(yīng)對(duì)技術(shù)挑戰(zhàn) 第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)成功舉辦
應(yīng)對(duì)技術(shù)挑戰(zhàn) 第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)成功舉辦
2010-04-19
應(yīng)對(duì)技術(shù)挑戰(zhàn) 第四屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會(huì)成功舉辦
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阿特斯陽(yáng)光電力榮獲加拿大安大略省176兆瓦光伏項(xiàng)目的承包
阿特斯陽(yáng)光電力,日前宣布獲得安大略省176兆瓦地面光伏電站項(xiàng)目的承包。此批項(xiàng)目將遵從安大略省最新出臺(tái)的太陽(yáng)能上網(wǎng)電價(jià) (FIT) 政策。安大略省的上網(wǎng)電價(jià) (FIT) 是加拿大綠色能源和綠色經(jīng)濟(jì)法的一個(gè)里程碑。
2010-04-19
阿特斯陽(yáng)光電力 加拿大 安大略省 光伏 太陽(yáng)能 cntsnew
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2011年車(chē)燈市場(chǎng)LED尾燈成長(zhǎng)最強(qiáng)勁
由于車(chē)燈市場(chǎng)發(fā)展也進(jìn)入成熟期,先進(jìn)光源系統(tǒng)已成為車(chē)燈發(fā)展關(guān)鍵。2007年全球車(chē)燈市場(chǎng)規(guī)模132億美元,到2011年可望成長(zhǎng)到150億美元規(guī)模。其中,LED車(chē)燈市場(chǎng)規(guī)模約6.9億美元,但StrategiesUmlimited預(yù)計(jì),到2011年全球LED車(chē)燈市場(chǎng)規(guī)模將可成長(zhǎng)到12億美元,LED車(chē)燈市場(chǎng)滲透率上看8%,年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá)13%。
2010-04-19
車(chē)燈市場(chǎng) LED尾燈 強(qiáng)勁 滲透率
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安華高科技推出適合固態(tài)照明應(yīng)用的超小型封裝3W高功率LED
ASMT-Jx32提供有140o的寬廣視角,可以滿足需要良好色彩一致性的設(shè)計(jì)需求,Avago的3W產(chǎn)品是一款可以處理高溫和承受高驅(qū)動(dòng)電流的高性能LED,ASMT-Jx32擁有135oC的最高結(jié)溫,為照明設(shè)計(jì)工程師帶來(lái)更高的設(shè)計(jì)靈活度。
2010-04-19
固態(tài)照明 超小型 高功率LED 安華高
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東京農(nóng)工大學(xué)開(kāi)發(fā)出單層碳納米管與鈦酸鋰復(fù)合而成的鋰離子電容器
東京農(nóng)工大學(xué)研究生院于2009年3月宣布,開(kāi)發(fā)出了采用碳納米纖維(CNF)與LTO復(fù)合而成的負(fù)極的鋰離子電容器,與以往的采用活性炭的雙電層電容器相比,實(shí)現(xiàn)了約3倍的能量密度。而且還表示,將完善由日本Chemi-Con定于2011年春季樣品供貨采用該技術(shù)的鋰離子電容器的體制。
2010-04-19
東京 大學(xué) 單層 碳納米管 鈦酸鋰 鋰離子電容器
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IR上市導(dǎo)通電阻僅0.95mΩ的25V耐壓功率MOSFET
據(jù)稱(chēng),該功率MOSFET的導(dǎo)通電阻與全部柵極電荷量的乘積FOM(figure of merit,優(yōu)值)為“業(yè)界最高”。全部柵極電荷量為標(biāo)準(zhǔn)50nC。最大柵源間電壓為±20V,最大漏電流為37A。批量購(gòu)買(mǎi)1萬(wàn)個(gè)時(shí)的單價(jià)為1.50美元。
2010-04-19
IR 導(dǎo)通電阻 耐壓 功率MOSFET
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