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運(yùn)行可靠性：工業(yè)電源的關(guān)鍵指標(biāo)
為確保電源能在各類(lèi)應(yīng)用場(chǎng)景，尤其是在嚴(yán)苛的工業(yè)環(huán)境中為設(shè)備持續(xù)運(yùn)行提供支持，確保電源設(shè)計(jì)具有較高的運(yùn)行可靠性至關(guān)重要。本博客將從以下幾個(gè)方面探討運(yùn)行可靠性：運(yùn)行可靠性的定義、評(píng)估方法以及 RECOM 電源設(shè)計(jì)如何最大限度地提高運(yùn)行可靠性。
2024-12-21
工業(yè)電源
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【“源”察秋毫系列】DC-DC電源效率測(cè)試，確保高效能與可靠性的關(guān)鍵步驟
DC-DC電源轉(zhuǎn)換器在現(xiàn)代電子設(shè)備中扮演著至關(guān)重要的角色，從便攜式電子產(chǎn)品到工業(yè)控制系統(tǒng)，其應(yīng)用范圍廣泛。為了確保這些設(shè)備的高效能與可靠性，對(duì)DC-DC電源進(jìn)行效率測(cè)試顯得尤為重要。本文將詳細(xì)探討DC-DC電源效率測(cè)試的目的及其在實(shí)際應(yīng)用中的重要性。
2024-12-20
DC-DC電源
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能源、清潔科技和可持續(xù)發(fā)展的未來(lái)
二十多年來(lái)，科學(xué)家和氣候?qū)W家一直在發(fā)出警示，提醒人們關(guān)注全球變暖的影響及其與溫室氣體（GHG）排放之間的聯(lián)系。但如今，全球社會(huì)的注意力已經(jīng)轉(zhuǎn)向具體的行動(dòng)，以及如何解決氣候變化的根本原因和相關(guān)影響。半導(dǎo)體是現(xiàn)代設(shè)備、電動(dòng)汽車(chē)（EV）、智能手機(jī)、機(jī)器人等產(chǎn)品的大腦中樞。通過(guò)定制創(chuàng)新和自...
2024-12-20
能源 清潔科技 可持續(xù)發(fā)展
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對(duì)比雙電源分立式和集成式儀表放大器
設(shè)計(jì)分立式儀表放大器 (IA) 與集成式 IA 的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)有很多，而且經(jīng)常爭(zhēng)論不休。需要考慮的一些變量包括印刷電路板 (PCB) 面積、增益范圍、性能（隨溫度變化）和成本。本文的目的是比較三種雙電源 IA 電路：使用四路運(yùn)算放大器 (op amp) 的分立式 IA、具有集成增益設(shè)置電阻器 (RG) 的通用 IA 和帶...
2024-12-15
雙電源 分立式 集成式 儀表放大器
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第11講：三菱電機(jī)工業(yè)SiC芯片技術(shù)
1200V級(jí)SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢(shì)的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車(chē)等領(lǐng)域。目前，1200V級(jí)SiC MOSFET被多家器件廠(chǎng)商定位為主力產(chǎn)品，本文主要介紹三菱電機(jī)1200V級(jí)SiC MOSFET的技術(shù)開(kāi)發(fā)概要。
2024-12-13
三菱電機(jī) 工業(yè) SiC 芯片技術(shù)
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用4200A和矩陣開(kāi)關(guān)搭建自動(dòng)智能的可靠性評(píng)估平臺(tái)
在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導(dǎo)的退化是一個(gè)重要的與可靠性相關(guān)的問(wèn)題。載流子在通過(guò)MOSFET通道的大電場(chǎng)加速時(shí)獲得動(dòng)能。當(dāng)大多數(shù)載流子到達(dá)漏極時(shí)，熱載流子（動(dòng)能非常高的載流子）由于原子能級(jí)碰撞的沖擊電離，可以在漏極附近產(chǎn)生電子—空穴對(duì)。
2024-12-13
矩陣開(kāi)關(guān) 熱載流子
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LED 調(diào)光引擎：基于 8 位 MCU 的開(kāi)關(guān)模式可調(diào)光 LED 驅(qū)動(dòng)器解決方案
開(kāi)關(guān)模式可調(diào)光 LED 驅(qū)動(dòng)器以其高效率和對(duì) LED 電流的控制而聞名。它們還可以提供調(diào)光功能，使終用戶(hù)能夠創(chuàng)造出夢(mèng)幻般的照明效果，同時(shí)降低功耗。
2024-12-05
LED 調(diào)光引擎 MCU 開(kāi)關(guān)模式 LED 驅(qū)動(dòng)器
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面對(duì)電動(dòng)汽車(chē)和數(shù)據(jù)中心兩大主力應(yīng)用市場(chǎng)，SiC和GaN該如何發(fā)力？
氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）是寬禁帶（WBG）半導(dǎo)體材料，由于其獨(dú)特性，使其在提高電子設(shè)備的效率和性能方面起著至關(guān)重要的作用，特別是在DC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/AC逆變器領(lǐng)域。
2024-12-04
電動(dòng)汽車(chē) 數(shù)據(jù)中心 SiC GaN
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借助支持邊緣 AI 的 MCU 優(yōu)化實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)中的系統(tǒng)故障檢測(cè)
本文中將討論集成式微控制器 (MCU) 如何增強(qiáng)高壓實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)中的故障檢測(cè)功能。此類(lèi) MCU 使用集成神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理單元 (NPU) 運(yùn)行卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) (CNN) 模型，幫助在監(jiān)測(cè)系統(tǒng)故障時(shí)降低延遲和功耗。通過(guò)將邊緣 AI 功能集成到用于管理實(shí)時(shí)控制的同一 MCU 中，可以幫助您優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，同時(shí)增強(qiáng)整體性能。
2024-12-02
邊緣 AI MCU 實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)
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