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恩智浦半導(dǎo)體推出新一代高效率低VCEsat晶體管
這些晶體管稱為突破性小信號(BISS)晶體管,正如其名,它們?yōu)闇p少打開導(dǎo)通電阻確立了新的基準(zhǔn),使開關(guān)時間減到絕對最小值。超低VCEsat 分支的晶體管在1 A時實現(xiàn)了50 mV的超低飽和電壓。4種新的高速開關(guān)晶體管使開關(guān)和存儲時間降低到125 ns。新型BISS-4產(chǎn)品表明,雙極晶體管技術(shù)為要求更高性能和降低...
2010-03-10
恩智浦 新一代 高效率 低VCEsat 晶體管
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IR推出行業(yè)首批商用氮化鎵集成功率級器件
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出行業(yè)首個商用集成功率級產(chǎn)品系列,采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負(fù)載點 (POL) 應(yīng)用設(shè)計的,包括服務(wù)器、路由器、交換機,以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2010-03-10
IR 商用 集成 氮化鎵 功率級器件
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136D:Vishay推出新款鉭外殼液鉭電容器
近日,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器——136D。對于高可靠性應(yīng)用,136D器件可在-55℃~+85℃溫度范圍內(nèi)工作,在電壓降額的情況下可在+200℃下工作,在120Hz和+25℃條件下的ESR低至0.44Ω。
2010-03-09
136D Vishay 鉭 電容器
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OPB733TR:Optekinc推出用于空間受限反射傳感器
Optekinc推出用于空間受限的反射傳感器OPB733TR,OPB733TR反射型物體傳感器尺寸為0.3" x 0.16",PCB貼裝高度為0.114吋,在空間受限應(yīng)用中具有增強的傳感范圍。
2010-03-09
OPB733TR Optekinc 傳感器 透鏡IR LED 光電晶體管
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OLEDNet發(fā)布2010-2016年OLED顯示市場報告
LG電子顯示器也投產(chǎn)了2.2英寸和3.0英寸的AMOLED面板,并且建立了目前最大的AMOLED生產(chǎn)線,他們在2009年發(fā)布了目前市場上最大的AMOLED電視。
2010-03-09
OLEDNet OLED顯示 市場報告 SMD
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三菱化學(xué)展示轉(zhuǎn)換率7.44%的有機薄膜太陽能電池
在2010年3月3~5日舉行的展會“PV EXPO 2010 第3屆國際太陽能電池展”上,三菱化學(xué)展示出了單元轉(zhuǎn)換效率達(dá)到7.44%的有機薄膜太陽能電池。
2010-03-09
三菱化學(xué) 轉(zhuǎn)換率 有機薄膜 太陽能電池
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9mm3 美高校研發(fā)超迷你ARM核心傳感器
該傳感器的尺寸僅有2.5x3.5x1mm,9mm3的體積僅是目前市場上同類設(shè)備的1/1000,不過其內(nèi)部包含了一套完整的傳感器系統(tǒng),包括ARMCortex-M3處理器,太陽能電池板和薄膜儲電電池。由于此類傳感器的工作特點,它絕大部分時間都處在休眠狀態(tài),此時其功耗僅有同類產(chǎn)品的1/2000。以此計算,其整個工作過程中...
2010-03-09
美高校 超迷你 ARM 核心傳感器
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小功率永磁直流電機的電磁干擾抑制研究
在對小型永磁直流電機電磁干擾(EMI>干擾源的分析基礎(chǔ)上,指出消除EMI干擾源的根本在于抑制換向過程中產(chǎn)生的電抗電勢;通過比較各種抑制電杭電勢的方法,得出對于小型永磁直流電機最為行之有效的消除EMI的方法是采用轉(zhuǎn)子借偏,以產(chǎn)生與電杭電勢方向相反的電動勢用以抵稍電抗電勢的結(jié)論,并且強調(diào)電機...
2010-03-08
直流電機 電磁干擾 借偏 換向
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電力設(shè)備2010年三大發(fā)展趨勢詳解
中國向世界作出的減排目標(biāo)相當(dāng)于是降低了中國經(jīng)濟(jì)發(fā)展的碳強度,即依賴較少的能源消耗來促進(jìn)經(jīng)濟(jì)增長,為了履行這一承諾,唯有通過降低能耗和使用替代能源兩種途徑。
2010-03-08
新能源 智能電網(wǎng) 電力設(shè)備 發(fā)展趨勢
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