繼電器的振動(dòng),可讓MOSFET在開關(guān)關(guān)閉時(shí)被破壞
發(fā)布時(shí)間:2018-03-16 來源:電子說 責(zé)任編輯:lina
【導(dǎo)讀】請(qǐng)注意由于與繼電器控制并聯(lián)的機(jī)械開關(guān)而產(chǎn)生的瞬態(tài)電壓。當(dāng)驅(qū)動(dòng)感性負(fù)載時(shí),不要將機(jī)械開關(guān)與MOSFET并聯(lián)。當(dāng)繼電器關(guān)閉時(shí),由于繼電器的啟動(dòng)時(shí)間短,產(chǎn)生了高的瞬態(tài)電壓(dv/dt),這通常是由于產(chǎn)生了大量的dv/dt而累積起來的。
潛在問題:
當(dāng)MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí),開關(guān)的開啟會(huì)導(dǎo)致MOSFET的破壞:由于機(jī)械開關(guān)的短暫時(shí)間,高的dvdt會(huì)激活在MOSFET中包含的寄生晶體管。浪涌的能量將集中在這種寄生晶體管上;這可以破壞寄生雙極晶體管,并破壞MOSFET本身。MOSFET在漏極源和源極之間的絕對(duì)短路損壞。
Note:由于繼電器的振動(dòng),MOSFET也可以在開關(guān)關(guān)閉時(shí)被破壞。
預(yù)防措施:
1.使用一個(gè)雙極晶體管,用一個(gè)穩(wěn)壓二極管保護(hù)來限制振蕩電壓,其值低于VCEmax。39vzener電壓是接受拋負(fù)載的推薦值。
2.使用一個(gè)zener保護(hù)二極管,其電壓低于MOSFET的第二次擊穿電壓(第二個(gè)擊穿電壓可以低到50%的VDSmax)選擇MOSFET(第二次擊穿電壓為39V)。
特別推薦
- 復(fù)雜的RF PCB焊接該如何確保恰到好處?
- 電源效率測(cè)試
- 科技的洪荒之力:可穿戴設(shè)備中的MEMS傳感器 助運(yùn)動(dòng)員爭(zhēng)金奪銀
- 輕松滿足檢測(cè)距離,勞易測(cè)新型電感式傳感器IS 200系列
- Aigtek推出ATA-400系列高壓功率放大器
- TDK推出使用壽命更長(zhǎng)和熱點(diǎn)溫度更高的全新氮?dú)馓畛淙嘟涣鳛V波電容器
- 博瑞集信推出低噪聲、高增益平坦度、低功耗 | 低噪聲放大器系列
技術(shù)文章更多>>
- 基于GD32F407VET6主控芯片的永磁同步電機(jī)控制器設(shè)計(jì)
- 如何選擇和應(yīng)用機(jī)電繼電器實(shí)現(xiàn)多功能且可靠的信號(hào)切換
- 基于APM32F411的移動(dòng)電源控制板應(yīng)用方案
- 數(shù)字儀表與模擬儀表:它們有何區(qū)別?
- 聚焦制造業(yè)企業(yè)貨量旺季“急難愁盼”,跨越速運(yùn)打出紓困“連招”
技術(shù)白皮書下載更多>>
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
熱門搜索