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數(shù)據(jù)中心和通信機(jī)房,需要這樣的功率器件……
發(fā)布時(shí)間:2019-09-16 責(zé)任編輯:wenwei
【導(dǎo)讀】GaN的理論優(yōu)勢(shì)正在主流設(shè)計(jì)中得以實(shí)現(xiàn),尤其是在數(shù)據(jù)中心和通信機(jī)房電源兩個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域,與硅器件相比較,GaN的優(yōu)勢(shì)更明顯。采用GaN進(jìn)行產(chǎn)品設(shè)計(jì),廠家和用戶都將能享受到系統(tǒng)成本和運(yùn)營(yíng)方面的好處。
我們將使用增強(qiáng)型高電子遷移率晶體管(HEMT)器件的設(shè)計(jì)與硅基器件設(shè)計(jì)進(jìn)行比較,旨在確定品質(zhì)因素(FOM)優(yōu)勢(shì)(如更低的Qg和Qoss,以及接近于零的Qrr)在多大程度上有助于實(shí)現(xiàn)效率和功率密度目標(biāo)。其關(guān)鍵參數(shù)的比較數(shù)據(jù)見圖1-3。
圖1:連續(xù)三代超結(jié)器件的輸出電容特性曲線與增強(qiáng)型GaN的比較
圖2: 連續(xù)三代超結(jié)器件的輸出電容儲(chǔ)能趨勢(shì)與GaN的比較
圖3:增強(qiáng)型GaN(左)與CoolMOS C7(右)的QOSS vs Vds關(guān)系比較
更緊湊、更高效的服務(wù)器電源
首先,我們使用GaN替代服務(wù)器電源中的Si MOSFET,并對(duì)其效果進(jìn)行了評(píng)估。對(duì)數(shù)據(jù)中心進(jìn)行電源管理,提高系統(tǒng)效率,可在不增加電路板尺寸的前提下,提高計(jì)算性能,降低設(shè)備的冷卻成本。典型的高效電源(見圖4和表1)采用的是圖騰柱AC-DC整流器和兩個(gè)交錯(cuò)的高頻橋臂,以及LLC架構(gòu)配合中心抽頭變壓器(12V系統(tǒng))或全橋整流(48V系統(tǒng))
圖4 服務(wù)器電源采用了一個(gè)圖騰柱AC-DC整流器和兩個(gè)交錯(cuò)的高頻橋臂,以及一個(gè)帶中心抽頭變壓器的LLC DC-DC轉(zhuǎn)換器
表1. 服務(wù)器電源規(guī)格
在無橋拓?fù)渲惺褂贸Y(jié)器件(SuperJunction MOSFET),必須在三角波電流模式(TCM)下工作。而采用GaN開關(guān)則支持三種工作模式:TCM、連續(xù)電流模式(CCM)或最優(yōu)頻率調(diào)制(OFM)模式。采用GaN的設(shè)計(jì),PFC(整流)級(jí)的效率可在功率密度為 170 W/inch3時(shí)提高0.2 – 0.3%,功率密度超過200 W/inch3時(shí),提高達(dá)到0.4%及以上。對(duì)于DC-DC這一級(jí),功率密度達(dá)200 W/inch3時(shí),效率可提高0.2% - 0.4%。比如對(duì)于鉑金服務(wù)器電源,采用GaN的方案與Si器件方案相比,不僅其效率平均提高了4%左右,而且在相同外形尺寸下可以支持的最大功率也從1600W增加到3kW。
如今,越來越多的計(jì)算架構(gòu)開始使用GPU并行處理,這使得每個(gè)機(jī)架的功耗成倍增加,達(dá)到20kW及以上。這時(shí)12V電源架構(gòu)的配電損失過大,因此具有更高系統(tǒng)效率的機(jī)架式48V電源架構(gòu)越來越受歡迎。
我們對(duì)一個(gè)3KW的 48V整流器進(jìn)行了優(yōu)化。該電源使用Si MOSFET器件,峰值 效率97.1%@50%載,功率密度33W/inch3。首先,將AC-DC級(jí)改為一個(gè)帶高頻和低頻橋臂的圖騰柱整流器,高頻橋臂采用GaN開關(guān),低頻橋臂采用超結(jié)MOSFET,這樣效率就可達(dá)到97.5%。為進(jìn)一步提高效率,還增加了第二條高頻橋臂,在騰圖柱上與第一個(gè)交錯(cuò)布置。
在DC-DC級(jí),在原邊采用35 m?的GaN器件做為半橋,可以進(jìn)一步提升效率。得益于GaN器件較低的Qoss優(yōu)勢(shì),以及相應(yīng)地調(diào)整諧振頻率和激磁電感,可將系統(tǒng)效率提高約0.3%。若將變壓器改為矩陣結(jié)構(gòu),即采用串聯(lián)的初級(jí)繞組和并聯(lián)的次級(jí)繞組,還可將系統(tǒng)效率再提高0.3%。
總而言之,將PFC和LLC級(jí)的改進(jìn)相結(jié)合,可在功率密度為30- 35 W/inch3的條件下提高峰值效率,系統(tǒng)效率達(dá)98.5%(圖5)。
圖5. 圖騰柱PFC級(jí)改進(jìn)結(jié)果(包括EMI濾波器):采用GaN和Si基功率器件的系統(tǒng)效率與功率密度比較
無線基礎(chǔ)設(shè)施的電源要求
如今我們正朝向5G無線通信轉(zhuǎn)型,通信基站的配電和整體功耗對(duì)運(yùn)營(yíng)商建設(shè)成本(CAPEX 和OPEX)愈發(fā)重要。通信基站的負(fù)載特性和輸出電壓變化范圍與數(shù)據(jù)中心不同,因此,盡管基站電源和數(shù)據(jù)中心電源的拓?fù)浼軜?gòu)相似,但我們?cè)谧鲈O(shè)計(jì)優(yōu)化時(shí)針對(duì)的負(fù)載范圍側(cè)重點(diǎn)不同(基站電源30~50% vs 數(shù)據(jù)中心50~70%)。
與48V服務(wù)器電源一樣,設(shè)計(jì)優(yōu)化工作也會(huì)用到GaN(用于高壓開關(guān))與低頻超結(jié)MOSFET組合,如用于圖騰柱PFC的返回路徑開關(guān)和LLC的次級(jí)側(cè)。研究中針對(duì)優(yōu)化而改變的其它參數(shù)包括PFC級(jí)高頻橋臂的數(shù)量、LLC的級(jí)數(shù)和并聯(lián)數(shù)量,變壓器的串并聯(lián)方式以及開關(guān)頻率的改變:GaN設(shè)計(jì)的LLC振諧頻率的最佳值通常在150kHz左右,而超結(jié) MOSFET設(shè)計(jì)為100kHz。
結(jié)果(圖6)發(fā)現(xiàn),在常用的30 - 40 W/inch3 功率密度下,GaN解決方案能夠?qū)崿F(xiàn)更高的效率(約0.3%效率增加)。在此功率密度下,若在PFC級(jí)中使用GaN器件,則還能通過使用單個(gè)高頻圖騰柱橋臂來降低成本。
圖6.LLC級(jí)的改進(jìn)結(jié)果:采用Si和GaN功率器件的效率與功率密度比較
通過上述應(yīng)用研究,我們發(fā)現(xiàn)增強(qiáng)型(e-mode)GaN能夠在大功率電源設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更高效率和功率密度,且不會(huì)增加系統(tǒng)成本。通過全面考慮系統(tǒng)設(shè)計(jì)問題,利用寬禁帶相比傳統(tǒng)材料的參數(shù)優(yōu)勢(shì),有助于降低客戶的資本支出和運(yùn)營(yíng)成本。
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