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改進(jìn)低值分流電阻的焊盤(pán)布局,優(yōu)化高電流檢測(cè)精度

發(fā)布時(shí)間:2020-03-20 來(lái)源:Marcus O''''''''''''''''Sullivan 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】電流檢測(cè)電阻有多種形狀和尺寸可供選擇,用于測(cè)量諸多汽車(chē)、功率控制和工業(yè)系統(tǒng)中的電流。使用極低值電阻(幾mΩ或以下)時(shí),焊料的電阻將在檢測(cè)元件電阻中占據(jù)很大比例,結(jié)果大幅增加測(cè)量誤差。高精度應(yīng)用通常使用4引腳電阻和開(kāi)爾文檢測(cè)技術(shù)以減少這種誤差,但是這些專(zhuān)用電阻卻可能十分昂貴。另外,在測(cè)量大電流時(shí),電阻焊盤(pán)的尺寸和設(shè)計(jì)在確定檢測(cè)精度方面起著關(guān)鍵作用。本文將描述一種替代方案,該方案采用一種標(biāo)準(zhǔn)的低成本雙焊盤(pán)檢測(cè)電阻(4焊盤(pán)布局)以實(shí)現(xiàn)高精度開(kāi)爾文檢測(cè)。圖1所示為用于確定五種不同布局所致誤差的測(cè)試板。
 
改進(jìn)低值分流電阻的焊盤(pán)布局,優(yōu)化高電流檢測(cè)精度
圖1. 檢測(cè)電阻布局測(cè)試PCB板。
 
電流檢測(cè)電阻
 
采用2512封裝的常用電流檢測(cè)電阻的電阻值最低可達(dá)0.5 mΩ,其最大功耗可能達(dá)3 W。為了展現(xiàn)最差條件下的誤差,這些試驗(yàn)采用一個(gè)0.5 mΩ、3 W電阻,其容差為1%(型號(hào):ULRG3-2512-0M50-FLFSLT制造商:Welwyn/TTelectronics)其尺寸和標(biāo)準(zhǔn)4線(xiàn)封裝如圖2所示。
 
改進(jìn)低值分流電阻的焊盤(pán)布局,優(yōu)化高電流檢測(cè)精度
圖2. (a) ULRG3-2512-0M50-FLFSLT電阻的外形尺寸;(b) 標(biāo)準(zhǔn)4焊盤(pán)封裝。
 
傳統(tǒng)封裝
 
對(duì)于開(kāi)爾文檢測(cè),必須將標(biāo)準(zhǔn)雙線(xiàn)封裝焊盤(pán)進(jìn)行拆分,以便為系統(tǒng)電流和檢測(cè)電流提供獨(dú)立的路徑。圖3顯示了此類(lèi)布局的一個(gè)例子。系統(tǒng)電流用紅色箭頭表示的路徑。如果使用一種簡(jiǎn)單的雙焊盤(pán)布局,則總電阻為:
 
改進(jìn)低值分流電阻的焊盤(pán)布局,優(yōu)化高電流檢測(cè)精度
 
為了避免增加電阻,需要把電壓檢測(cè)走線(xiàn)正確的布局到檢測(cè)電阻焊盤(pán)處。系統(tǒng)電流將在上部焊點(diǎn)導(dǎo)致顯著的壓降,但檢測(cè)電流則會(huì)在下部焊點(diǎn)導(dǎo)致可以忽略不計(jì)的壓降??梢?jiàn),這種焊盤(pán)分離方案可以消除測(cè)量中的焊點(diǎn)電阻,從而提高系統(tǒng)的總體精度。
 
改進(jìn)低值分流電阻的焊盤(pán)布局,優(yōu)化高電流檢測(cè)精度
圖3. 開(kāi)爾文檢測(cè)。
 
優(yōu)化開(kāi)爾文封裝
 
圖3所示布局是對(duì)標(biāo)準(zhǔn)雙焊盤(pán)方案的一種顯著的改進(jìn),但是,在使用極低值電阻(0.5 mΩ或以下)時(shí),焊盤(pán)上檢測(cè)點(diǎn)的物理位置以及流經(jīng)電阻的電流對(duì)稱(chēng)性的影響將變得更加顯著。例如,ULRG3-2512-0M50-FLFSL是一款固態(tài)金屬合金電阻,因此,電阻沿著焊盤(pán)每延伸一毫米,結(jié)果都會(huì)影響有效電阻。使用校準(zhǔn)電流,通過(guò)比較五種定制封裝下的壓降,可以確定最佳檢測(cè)布局。
 
測(cè)試PCB板
 
圖4展示在測(cè)試PCB板上構(gòu)建的五種布局模式,分別標(biāo)記為A到E。我們盡可能把走線(xiàn)布局到沿著檢測(cè)焊盤(pán)延伸的不同位置的測(cè)試點(diǎn),表示為圖中的彩點(diǎn)。各個(gè)電阻封裝為:
 
1. 基于2512建議封裝的標(biāo)準(zhǔn)4線(xiàn)電阻(見(jiàn)圖2(b))。檢測(cè)點(diǎn)對(duì)(X 和 Y)位于焊盤(pán)外緣和內(nèi)緣(x軸)。
 
2. 類(lèi)似于A(yíng),但焊盤(pán)向內(nèi)延伸較長(zhǎng),以便更好地覆蓋焊盤(pán)區(qū)(見(jiàn)圖2(a))。檢測(cè)點(diǎn)位于焊盤(pán)中心和末端。
 
3. 利用焊盤(pán)兩側(cè)以提供更對(duì)稱(chēng)的系統(tǒng)電流通路。同時(shí)把檢測(cè)點(diǎn)移動(dòng)到更中心的位置。檢測(cè)點(diǎn)位于焊盤(pán)中心和末端。
 
4. 與C類(lèi)似,只是系統(tǒng)電流焊盤(pán)在最靠里的點(diǎn)接合。只使用了外部檢測(cè)點(diǎn)。
 
5. A和B的混合體。系統(tǒng)電流流過(guò)較寬的焊盤(pán),檢測(cè)電流流過(guò)較小的焊盤(pán)。檢測(cè)點(diǎn)位于焊盤(pán)的外緣和內(nèi)緣。
 
改進(jìn)低值分流電阻的焊盤(pán)布局,優(yōu)化高電流檢測(cè)精度
圖4. 測(cè)試PCB板的布局
 
在模板上涂抹焊料,并在回流爐中使用回流焊接。使用的是ULRG3-2512-0M50-FLFSLT電阻。
 
測(cè)試步驟
 
測(cè)試設(shè)計(jì)如圖5所示。使20 A的校準(zhǔn)電流通過(guò)各個(gè)電阻,同時(shí)使電阻保持在25°C。在加載電流后1秒內(nèi),測(cè)量產(chǎn)生的差分電壓,以防止電阻溫度升高1°C以上。同時(shí)監(jiān)控各個(gè)電阻的溫度,以確保測(cè)試結(jié)果均在25°C下測(cè)得。電流為20 A時(shí),通過(guò)0.5 mΩ電阻的理想壓降為10 mV。
 
改進(jìn)低值分流電阻的焊盤(pán)布局,優(yōu)化高電流檢測(cè)精度
圖5. 測(cè)試設(shè)置
 
測(cè)試結(jié)果
 
表1列出了采用圖4所示檢測(cè)焊盤(pán)位置測(cè)得的數(shù)據(jù)。
 
表1. 測(cè)得電壓和誤差
改進(jìn)低值分流電阻的焊盤(pán)布局,優(yōu)化高電流檢測(cè)精度
 
*無(wú)開(kāi)爾文檢測(cè)。對(duì)通過(guò)高電流主焊盤(pán)的電壓進(jìn)行測(cè)量,以展示與焊料電阻相關(guān)的誤差。
 
觀(guān)察結(jié)果
 
1. 由于結(jié)果的可比較性以及各電阻偏差都在容限范圍之內(nèi),所以得出封裝C和D的誤差最少,。封裝C為首選封裝,因?yàn)樗淮罂赡軐?dǎo)致與元件放置容限相關(guān)的問(wèn)題。
 
2. 在每一種情況下,電阻外端的檢測(cè)點(diǎn)提供的結(jié)果最準(zhǔn)確。這表明,這些電阻是制造商根據(jù)電阻的總長(zhǎng)度設(shè)計(jì)的。
 
3. 請(qǐng)注意,在未使用開(kāi)爾文檢測(cè)時(shí),焊料電阻相關(guān)誤差是22%。這相當(dāng)于約0.144 mΩ的焊料電阻。
 
4. 封裝E展示了不對(duì)稱(chēng)焊盤(pán)布局的效應(yīng)?;亓髌陂g,元件通過(guò)大量焊料才能焊盤(pán)。應(yīng)避免這種封裝。
 
結(jié)論
 
根據(jù)前面所示結(jié)果,最佳封裝是C,其預(yù)期測(cè)量誤差小于1%。該封裝的建議尺寸如圖6所示。
 
http://www.gpag.cn/art/artinfo/id/80037890
圖6. 最佳封裝尺寸
 
檢測(cè)走線(xiàn)的布局也會(huì)影響測(cè)量精度。為了實(shí)現(xiàn)最高精度,應(yīng)在電阻邊緣測(cè)量檢測(cè)電壓。圖7所示建議布局采用通孔,把焊盤(pán)外邊緣布局到另一層,從而避免切割主電源層。
 
http://www.gpag.cn/art/artinfo/id/80037890
圖7. 建議PCB走線(xiàn)路由
 
本文中的數(shù)據(jù)可能并不適用于所有電阻,而且結(jié)果可能因情況而異,具體取決于電阻的材質(zhì)和尺寸。應(yīng)該咨詢(xún)電阻制造商。用戶(hù)有責(zé)任確保封裝的布局尺寸和結(jié)構(gòu)均符合各項(xiàng)SMT制造要求。對(duì)于因使用本封裝而可能導(dǎo)致的任何問(wèn)題,ADI概不負(fù)責(zé)。
 
 
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