【導(dǎo)讀】如果是D-MOS的情況，電場強(qiáng)度在P／N層接口處最強(qiáng)。當(dāng)電場強(qiáng)度超過硅的極限時(shí)，會(huì)發(fā)生擊穿現(xiàn)象，這就是電壓極限。另一方面，如果是SJ-MOS的情況，電場強(qiáng)度在N層中是均勻的。
如果是D-MOS的情況，電場強(qiáng)度在P／N層接口處最強(qiáng)。當(dāng)電場強(qiáng)度超過硅的極限時(shí)，會(huì)發(fā)生擊穿現(xiàn)象，這就是電壓極限。另一方面，如果是SJ-MOS的情況，電場強(qiáng)度在N層中是均勻的。
（1）SJ-MOS在N層具有柱狀P層（P柱層）。P層和N層交替排列。（參見圖3-9（b））
（2）通過施加VDS，耗盡層在N層中擴(kuò)展，但其在SJ-MOS中的擴(kuò)展方式與在一般D-MOS中不同。（關(guān)于電場強(qiáng)度，參見圖3-9（a）／（b）。電場強(qiáng)度將表示耗盡層的狀態(tài)。
（3）如果是D-MOS的情況，電場強(qiáng)度在P／N層接口處最強(qiáng)。當(dāng)電場強(qiáng)度超過硅的極限時(shí)，會(huì)發(fā)生擊穿現(xiàn)象，這就是電壓極限。另一方面，如果是SJ-MOS的情況，電場強(qiáng)度在N層中是均勻的。
（4）所以，SJ-MOS可采用具有較低電阻的N層設(shè)計(jì)，以實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻產(chǎn)品。
采用與DMOS相同尺寸的芯片，SJ-MOS可以實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻。
圖3-9（a）D-MOS（π-MOS）的結(jié)構(gòu)和電場
圖3-9（b）SJ-MOS（DTMOS）的結(jié)構(gòu)和電場
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