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IR推出采用 PQFN 封裝和銅夾技術(shù)的新產(chǎn)品

發(fā)布時(shí)間:2010-07-13

產(chǎn)品特性:

  • 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合
  • 采用了5x6 mm PQFN封裝
  • 優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)

應(yīng)用范圍:

  • 網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開關(guān)電源(SMPS)及電機(jī)驅(qū)動(dòng)開關(guān)等開關(guān)應(yīng)用

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合,提供完整的中壓器件系列,它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。

新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)性能,適用于網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開關(guān)電源(SMPS)及電機(jī)驅(qū)動(dòng)開關(guān)等開關(guān)應(yīng)用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓,所以可提供不同水平的導(dǎo)通電阻(RDS(on))和柵極電荷(Qg),為客戶的特定應(yīng)用提供優(yōu)化的性能和更低成本。

IR 亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“由于新器件的尺寸僅為0.9mm,并具有標(biāo)準(zhǔn)引腳,可提供高額定電流和低導(dǎo)通電阻,因此與需要多個(gè)并行元件的解決方案相比,具有更高的效率、功率密度和可靠性,因而非常適合電路板空間狹小的開關(guān)應(yīng)用。”

所有器件都具有低熱阻(不到0.5 °C/W),符合MSL1 標(biāo)準(zhǔn),所采用的環(huán)保材料既不含鉛、溴或鹵,也符合有害物質(zhì)管制指令 (RoHS) 。

產(chǎn)品基本規(guī)格

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