安森美半導(dǎo)體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說:“將導(dǎo)電及開關(guān)損耗降至最低以優(yōu)化總能效,是越來越多終端市場設(shè)計(jì)人員極希望可實(shí)現(xiàn)的目標(biāo)。我們利用工藝、材料和封裝專知和技術(shù),成功將功率MOSFET的性能提升到新的水平,幫助我們客戶達(dá)到他們嚴(yán)格的設(shè)計(jì)性能目標(biāo)。”
封裝及價(jià)格
NTMFS4H01N、NTMFS4H01NF、NTMFS4H02N及NTMFS4H02NF采用無鉛SO8-FL封裝,每1,500片批量的單價(jià)分別為2.99、3.06、1.86和1.93美元;NTTFS4H05N及NTTFS4H07N采用無鉛µ8-FL封裝,每1,500片批量的單價(jià)分別為0.86和0.67美元。
安森美半導(dǎo)體推出低壓功率MOSFET新系列
發(fā)布時(shí)間:2014-05-21 來源:安森美半導(dǎo)體 責(zé)任編輯:willwoyo
【導(dǎo)讀】安森美半導(dǎo)體推出新系列的6款N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET),NTMFS4Hxxx及NTTFS4Hxxx系列MOSFET極適合用作服務(wù)器、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備及高功率密度DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種應(yīng)用的開關(guān)器件,或者用于配合負(fù)載點(diǎn)(POL)模塊中的同步整流。
圖1:安森美半導(dǎo)體推出低壓功率MOSFET新系列-NTMFS4H01NF
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