無(wú)限流電阻中浪涌電流抑制方法比對(duì),選你所愛(ài)
發(fā)布時(shí)間:2015-12-25 責(zé)任編輯:sherry
【導(dǎo)讀】本文介紹了在無(wú)限流電阻中的上電浪涌電流的抑制,通過(guò)兩種方法的比對(duì),讀者可以選擇更加適合自身設(shè)計(jì)的方法來(lái)進(jìn)行浪涌電流的抑制,并且每種方法的優(yōu)點(diǎn)與缺點(diǎn)不盡相同,更加方便了設(shè)計(jì)者們進(jìn)行選擇。
在電子電路工程設(shè)計(jì)中,通常都會(huì)需要對(duì)浪涌電流進(jìn)行抑制。因?yàn)槔擞侩娏骱艽蟪潭壬蠒?huì)影響電力設(shè)備與電路的安全性。在本文中小編將為大家介紹對(duì)于無(wú)限流電阻中的上電浪涌電流的抑制模塊設(shè)計(jì)。
無(wú)限流電阻的上電浪涌電流抑制模塊
圖1一種上電浪涌電流抑制電路
有人提出一種無(wú)限流電阻的上電浪涌電流抑制電路如圖1(a)所示,其上電電流波形如圖1(b)所示,其思路是將電路設(shè)計(jì)成線形恒流電路。實(shí)際電路會(huì)由于兩極放大的高增益而出現(xiàn)自激振蕩現(xiàn)象,但不影響電路工作。從原理上講,這種電路是可行的,但在使用時(shí)則有如下問(wèn)題難以解決:如220V輸入的400W開(kāi)關(guān)電源的上電電流至少需要達(dá)到4A,如上電時(shí)剛好是電網(wǎng)電壓峰值,則電路將承受4×220×=1248W的功率。不僅遠(yuǎn)超出IRF840的125W額定耗散功率,也遠(yuǎn)超出IRFP450及IRFP460的150W額定耗散功率,即使是APT的線性MOSFET也只有450W的額定耗散功率。因此,如采用IRF840或IRFP450的結(jié)果是,MOSFET僅能承受有限次數(shù)的上電過(guò)程便可能被熱擊穿,而且從成本上看,IRF840的價(jià)格可以接受,而IRFP450及IRFP460則難以接受,APT的線性MOSFET更不可能接受。
欲真正實(shí)現(xiàn)無(wú)限流電阻的上電浪涌電流抑制模塊,需解決功率器件在上電過(guò)程的功率損耗問(wèn)題。另一種上電浪涌電流抑制模塊的基本思想是,使功率器件工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài),從而解決了功率器件上電過(guò)程中的高功率損耗問(wèn)題,而且電路簡(jiǎn)單。電路如圖2(a)和(b)所示,上電電流波形如圖2(c)所示。
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