晶體管篇之負(fù)載開關(guān)
發(fā)布時間:2021-05-17 責(zé)任編輯:lina
【導(dǎo)讀】負(fù)載開關(guān)Q1導(dǎo)通瞬間會暫時流過比穩(wěn)態(tài)電流大得多的電流。輸出側(cè)的負(fù)載容量CL的電荷接近零時,向輸出VO施加電壓的瞬間會流過大充電電流。
關(guān)于負(fù)載開關(guān)ON時的浪涌電流
負(fù)載開關(guān)Q1導(dǎo)通瞬間會暫時流過比穩(wěn)態(tài)電流大得多的電流。輸出側(cè)的負(fù)載容量CL的電荷接近零時,向輸出VO施加電壓的瞬間會流過大充電電流。
這種流過大電流的現(xiàn)象稱作浪涌電流(Flash Current)。
浪涌電流的峰值大體可以通過輸入電壓VI、MOSFET Q1的RDS(on)和負(fù)載側(cè)負(fù)載容量CL的ESR確定,輸入電壓VIN變大時,電流也相應(yīng)變大。
浪涌電流顯著變大時,有可能會引起誤動作和系統(tǒng)問題。
而且,在超過最大額定電流時,有導(dǎo)致破壞的危險。通過與MOSFET Q1的柵極、源極間電阻R1并聯(lián)追加電容器C2, 并緩慢降低Q1的柵極電壓,可以緩慢地使RDS(on)變小,從而可以抑制浪涌電流。
■負(fù)載開關(guān)等效電路圖
關(guān)于Nch MOSFET負(fù)載開關(guān)ON時的浪涌電流應(yīng)對措施
■Nch MOSFET負(fù)載開關(guān)等效電路圖
Nch MOSFET 負(fù)載開關(guān):RSQ020N03
VIN=5V, IO=1A, Q1_1G=1V→12V
Q2 OFF時,負(fù)載SWQ1 ON。(Q1的柵極電壓設(shè)定在VO(VGSQ1)之上。)
Q2 ON時,負(fù)載SWQ1 OFF。
Q1 ON時,由于會流過浪涌電流,所以作為應(yīng)對措施追加C2。
關(guān)于負(fù)載開關(guān)OFF時的逆電流
即使在負(fù)載開關(guān)Q1從ON到OFF時,由于存在輸出側(cè)負(fù)載容量CL,所以輸出VO引腳的電壓會殘留一定時間。
輸入VI側(cè)比輸出VO側(cè)電壓低時,由于MOSFET Q1的漏極、源極間存在寄生二極管,所以有時寄生二極管導(dǎo)通會發(fā)生從輸出VO側(cè)到輸入VIN側(cè)的逆電流。
要注意,不要超過MOSFET Q1的額定電流值。
關(guān)于輸入旁路電容器CIN的容量值,請在充分探討負(fù)載側(cè)條件、上升時間后再決定。
■負(fù)載開關(guān)等效電路圖
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