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意法半導(dǎo)體與高通達(dá)成無(wú)線物聯(lián)網(wǎng)戰(zhàn)略合作
服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡(jiǎn)稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 與高通公司旗下子公司高通技術(shù)國(guó)際有限公司（Qualcomm Technologies International, Ltd，簡(jiǎn)稱QTI）近日宣布，雙方達(dá)成一項(xiàng)新的戰(zhàn)略協(xié)議，合作開發(fā)基于邊緣 AI的下一代工業(yè)和消費(fèi)物...
2024-10-11
意法半導(dǎo)體 高通 無(wú)線物聯(lián)網(wǎng)
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使用功率分析儀測(cè)量和分析電抗器（電感器）的方法
頻電抗器用于電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽車 (HEV) 的各種位置。例如，電池和逆變器之間的升壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器以及電池充電電路中的 AC/DC 轉(zhuǎn)換器。為了提高整個(gè)系統(tǒng)的效率，必須提高每個(gè)組成電路的效率，而電抗器是造成這些電路大量損耗的元件之一。
2024-10-11
功率分析儀 電抗器 電感器
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高壓柵極驅(qū)動(dòng)器的功率耗散和散熱分析，一文get√
高頻率開關(guān)的MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，可能會(huì)產(chǎn)生大量的耗散功率。因此，需要確認(rèn)驅(qū)動(dòng)器功率耗散和由此產(chǎn)生的結(jié)溫，確保器件在可接受的溫度范圍內(nèi)工作。高壓柵極驅(qū)動(dòng)集成電路（HVIC）是專為半橋開關(guān)應(yīng)用設(shè)計(jì)的高邊和低邊柵極驅(qū)動(dòng)集成電路，驅(qū)動(dòng)高壓、高速M(fèi)OSFET 而設(shè)計(jì)。
2024-10-08
高壓柵極驅(qū)動(dòng)器 功率耗散 散熱
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貿(mào)澤推出全新一期EIT系列 探索可持續(xù)智能電網(wǎng)的技術(shù)創(chuàng)新
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 發(fā)布Empowering Innovation Together (共求創(chuàng)新，EIT) 計(jì)劃全新一期技術(shù)內(nèi)容，探討將可再生能源納入智能電網(wǎng)技術(shù)的好處，并重點(diǎn)介紹AI和5G在實(shí)現(xiàn)可持續(xù)電網(wǎng)管理中的作用。
2024-09-25
貿(mào)澤 可持續(xù)智能電網(wǎng)
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電機(jī)驅(qū)動(dòng)創(chuàng)新，如何解決機(jī)器人運(yùn)動(dòng)控制中的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)？
電機(jī)是機(jī)器人執(zhí)行器系統(tǒng)的關(guān)鍵部件，負(fù)責(zé)機(jī)器人的移動(dòng)和控制。根據(jù)電磁原理，電機(jī)可將電能轉(zhuǎn)化為機(jī)械能，從而為機(jī)器人的物理運(yùn)動(dòng)提供動(dòng)力?，F(xiàn)在，機(jī)器人可以完成從簡(jiǎn)單的輪子旋轉(zhuǎn)到非常復(fù)雜的醫(yī)療手術(shù)等操作，這一過程通常由機(jī)器人控制器來(lái)掌控，它們通過向電機(jī)發(fā)送控制信號(hào)以達(dá)到執(zhí)行這些動(dòng)作的目...
2024-09-25
電機(jī)驅(qū)動(dòng) 機(jī)器人 運(yùn)動(dòng)控制
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學(xué)子專區(qū)—ADALM2000實(shí)驗(yàn)：調(diào)諧放大器級(jí)
當(dāng)輸入頻率（FIN）低于FR時(shí)，電路阻抗從其最大值開始減小并呈感性。當(dāng)FIN高于FR時(shí)，電路阻抗再次下降，但呈容性。當(dāng)在FR處工作時(shí)，諧振電路的阻抗達(dá)到其最大值。因此，調(diào)諧共發(fā)射極放大器2的增益也處于最大值。
2024-09-25
ADALM2000 調(diào)諧放大器
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使用 SSCB 保護(hù)現(xiàn)代高壓直流系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)
在各種應(yīng)用中，系統(tǒng)效率和功率密度不斷提高，這導(dǎo)致了更高的直流系統(tǒng)電壓。然而，傳統(tǒng)的電路保護(hù)解決方案不足以在保持高可靠性和安全性的同時(shí)有效保護(hù)這些高壓配電系統(tǒng)。
2024-09-23
SSCB 保護(hù) 高壓直流系統(tǒng)
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【測(cè)試案例分享】 如何評(píng)估熱載流子引導(dǎo)的MOSFET衰退
隨著MOSFET柵極長(zhǎng)度的減小，熱載流子誘發(fā)的退化已成為重要的可靠性問題之一。在熱載流子效應(yīng)中，載流子被通道電場(chǎng)加速并被困在氧化物中。這些被捕獲的電荷會(huì)引起測(cè)量器件參數(shù)的時(shí)間相關(guān)位移，例如閾值電壓 (VTH)、跨導(dǎo) (GM)以及線性 (IDLIN) 和飽和 (IDSAT) 漏極電流。隨著時(shí)間的推移，可能會(huì)發(fā)生實(shí)...
2024-09-22
泰克科技 熱載流子 MOSFET 測(cè)試
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基于GD32F407VET6主控芯片的永磁同步電機(jī)控制器設(shè)計(jì)
作品以國(guó)產(chǎn)MCU為核心，配合成熟的硬件方案和完善的軟件算法，解決了永磁同步電機(jī)在單母線電流傳感器拓?fù)潋?qū)動(dòng)下零低速和中高速范圍內(nèi)無(wú)位置傳感器控制問題，實(shí)驗(yàn)效果優(yōu)異，對(duì)于提高永磁同步電機(jī)在風(fēng)機(jī)、水泵、電動(dòng)工具等應(yīng)用領(lǐng)域具有積極意在僅有單母線電流傳感器的情況下，實(shí)現(xiàn)永磁同步電機(jī)的零低速...
2024-09-20
GD32F407VET6 主控芯片 永磁同步電機(jī)控制器
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- 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（七）——熱等效模型
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