傳統(tǒng)手持式EMI近場(chǎng)探頭這幾十年來(lái)一直都是EMC工程師用來(lái)調(diào)試的工具。此探頭最初是為在相對(duì)低的頻率下使用而開發(fā)的，而今天已經(jīng)被用于分析整個(gè)射頻（RF）領(lǐng)域。雖然許多研究已開始致力于使用優(yōu)化的EMC探頭用以在整個(gè)微波譜內(nèi)擁有微米級(jí)的分辨率。然而，基本原理在幾十年內(nèi)不變，意味著當(dāng)探頭非?？拷粶y(cè)設(shè)備（DUT）時(shí)勢(shì)必會(huì)引起的EM邊界響應(yīng)。

 

我們?cè)u(píng)估并比較了傳統(tǒng)的金屬探頭與SPEAG開發(fā)的微光子TDS-SNI探頭針對(duì)于待測(cè)物產(chǎn)生的互擾影響的比對(duì)分析。

 

 

EMC近場(chǎng)探頭在使用中經(jīng)常很靠近DUT。因此探頭應(yīng)接近于DUT的原始環(huán)境，防止局部電磁場(chǎng)分布的失真。在靠近待測(cè)物時(shí)，由于傳統(tǒng)的探頭是由大塊的導(dǎo)體構(gòu)成，因此會(huì)引入很強(qiáng)EM邊界條件。如圖1 和圖2 所示，是從SPEAG開發(fā)的SEMCAD電磁仿真軟件進(jìn)行的數(shù)值仿真中所提取出來(lái)的回波損耗（S11)，包括無(wú)探棒、傳統(tǒng)探棒與電磁隔離探棒所產(chǎn)生的結(jié)果。

 

圖二清楚的說(shuō)明有3dB的偏移是因?yàn)閭鹘y(tǒng)探頭靠近并強(qiáng)烈影響待測(cè)物電磁場(chǎng)的結(jié)果，這種影響在現(xiàn)實(shí)的測(cè)試情況下會(huì)導(dǎo)致錯(cuò)誤檢測(cè)和曲解，我們會(huì)在后面說(shuō)明。

 

圖1的數(shù)值測(cè)試設(shè)置，以評(píng)估不同的探頭類型對(duì)近場(chǎng)分布的影響。顯示電磁場(chǎng)上方的共振結(jié)構(gòu): a)無(wú)探頭b)隔離近場(chǎng)測(cè)量探頭c) 傳統(tǒng)電磁場(chǎng)探頭

 

圖2為待測(cè)物的共振頻率a) 無(wú)探頭b) 隔離探頭c) 傳統(tǒng)探頭

 

 

圖3示出了幾種常用的傳統(tǒng)近場(chǎng)EMC感應(yīng)探頭的設(shè)計(jì)。如在引言中所述，以往的主要優(yōu)化標(biāo)準(zhǔn)是工作頻率范圍，微型化，電場(chǎng)，和共模靈敏度抑制。例如對(duì)意外接收的抑制，是通過(guò)屏蔽環(huán)（圖3b)，對(duì)稱屏蔽（圖3c），而共模抑制則可以通過(guò)雙線卷繞扼流圈來(lái)實(shí)現(xiàn)（圖3d）。

 

圖3為常規(guī)的EMC探頭的不同設(shè)計(jì)。a）簡(jiǎn)單的屏蔽環(huán)探頭，b）不對(duì)稱屏蔽環(huán)探頭，c）對(duì)稱屏蔽環(huán)探頭d）具有共模抑制的屏蔽環(huán)探頭。所有探頭的設(shè)計(jì)都是基于同軸傳輸線(即是導(dǎo)體)。

 

圖4為傳統(tǒng)的EMC探棒使用一個(gè)EMC接收機(jī)作為印刷電路板（PCB）上的近場(chǎng)感應(yīng)探頭。其金屬部件在被測(cè)板附近。

 

然而，在任何現(xiàn)有的探頭設(shè)計(jì)中，探頭仍舊是導(dǎo)體，因此會(huì)成為一個(gè)任意的EM邊界條件而干擾待測(cè)物。典型的測(cè)試裝置與常規(guī)的EMC感應(yīng)探頭如圖4所示 ，很明顯使用這種技術(shù)，一個(gè)強(qiáng)大的電磁場(chǎng)始終被引入到DUT的電磁場(chǎng)中。

 

 

瑞士SPEAG和瑞士IT’IS基金會(huì)合作開發(fā)了主動(dòng)式微光子近場(chǎng)測(cè)量探頭，使用鐳射和電子微型傳感器傳遞電磁場(chǎng)信號(hào)，此設(shè)備包含了感應(yīng)探頭及遠(yuǎn)程控制單元(描述3)。實(shí)際的傳感器探頭位于探頭的尖端，具有微型電場(chǎng)或磁場(chǎng)傳感器。遠(yuǎn)程控制單元作為光子電源。在探頭中，來(lái)自控制箱的光子被轉(zhuǎn)換為電能，從而為有源組件供電。探頭使用微型傳感器來(lái)接收電磁場(chǎng)信號(hào)。來(lái)自傳感器的RF信號(hào)通過(guò)LNA放大后經(jīng)由VCSEL轉(zhuǎn)換為光信號(hào)來(lái)傳遞至控制箱，在控制箱中，該光子信號(hào)由高速光電二極管（PD）進(jìn)行調(diào)制，通過(guò)互阻抗放大器（TIA）放大，并通過(guò)一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的50Ω輸出連接到EMC接收機(jī)。此探頭包含高靈敏度高隔離度的微型近場(chǎng)傳感，并具有10MHz~10GHz的平坦超寬帶率響應(yīng)曲線，我們稱此傳感器為進(jìn)場(chǎng)時(shí)域測(cè)量探棒-TDS探棒。圖六為使用TDS EMS感應(yīng)探頭的典型測(cè)試裝置。很明顯在TDS探頭技術(shù)中，測(cè)量時(shí)不再有金屬會(huì)影響待測(cè)物場(chǎng)型分布。

 

圖5中的主動(dòng)微光子傳感器平臺(tái)的框圖，其中包括通過(guò)光纖連接到一個(gè)控制器的微型傳感器探頭。

 

圖6示意圖為微光子TDS-SNI近場(chǎng)感應(yīng)探頭用于EMC磁近場(chǎng)感應(yīng)（頂部）。TDS有源微光子傳感器測(cè)量技術(shù)的示意圖。

 

傳統(tǒng)傳統(tǒng)與光子EMC探頭的射頻EM透通性

 

圖7為近場(chǎng)EMC探頭通透性測(cè)量的實(shí)驗(yàn)，圖為一種H1TDSx-SNI 磁場(chǎng)探頭被用來(lái)檢測(cè)由待測(cè)物發(fā)送來(lái)的900 MHz信號(hào)。用TDS探頭測(cè)量的信號(hào)被頻譜分析儀連續(xù)監(jiān)測(cè)。

 

圖7、實(shí)驗(yàn)來(lái)評(píng)估由傳統(tǒng)的EMC探頭感應(yīng)射頻電磁場(chǎng)的擾動(dòng)。圖上探頭為安裝在支撐托架參考探頭(SPEAG H1TDSx-SNI H-場(chǎng)探頭)，900MHz無(wú)線發(fā)射裝置和頻譜分析儀。

 

在圖8中，數(shù)據(jù)為待測(cè)物被具有中等大?。?0mm）的傳統(tǒng)的EMC環(huán)探頭接近所測(cè)量，并通過(guò)參考探頭連續(xù)記錄檢測(cè)的光譜場(chǎng)變化。當(dāng)傳統(tǒng)的EMC探頭在DUT的鎖相回路（PLL）電路的附近，PLL解鎖和DUT產(chǎn)生額外電磁干擾。此電磁分布原本不存在待測(cè)物上。在這種情況下，使用以往傳統(tǒng)的探頭可能會(huì)導(dǎo)致DUT電路不必要的重新設(shè)計(jì)。

 

圖8、一個(gè)10mm傳統(tǒng)EMC探頭在DUT的PLL電路附近。導(dǎo)電探頭元素通過(guò)PCB將RF能量重新傳送至PLL電路，使三腳架上的H1TDSx-SNI探頭檢測(cè)到額外的電磁干擾信號(hào)。

 

同樣的實(shí)驗(yàn)但使用H1TDSx-SNI探頭圖進(jìn)行，在頻譜分析儀上，待測(cè)物只有基頻輸出信號(hào)是可見的。高隔離度的TDS探頭沒(méi)有改變待測(cè)物電磁場(chǎng)分布或引入與傳統(tǒng)探頭中所看到噪聲干擾。

 

圖9、H1TDSx-SNI探頭放置在與先前測(cè)量靠近DUT的相同位置上。電介質(zhì)的EMC探頭不會(huì)干擾PLL，且沒(méi)有額外的諧波內(nèi)容出現(xiàn)在頻譜分析儀上。

 

 

綜上所述，使用傳統(tǒng)的EMC探頭可導(dǎo)致測(cè)試結(jié)果顯著的誤解，例如，探頭導(dǎo)致PLL鎖定解除，因而產(chǎn)生不切實(shí)際的噪聲散射，而TDS SNI探頭可檢測(cè)真實(shí)的DUT信號(hào)并且不會(huì)產(chǎn)生額外的干擾信號(hào)。由于不當(dāng)?shù)慕鼒?chǎng)探頭所引入的不必要的誤報(bào)，也是產(chǎn)生昂貴成本和費(fèi)時(shí)費(fèi)力重新設(shè)計(jì)的原因。

 

文章來(lái)源于微波射頻網(wǎng)。