你的位置:首頁(yè) > 測(cè)試測(cè)量 > 正文

帶有內(nèi)置ESD保護(hù)的MOSFET

發(fā)布時(shí)間:2009-10-26 來(lái)源:電子元件技術(shù)網(wǎng)

產(chǎn)品特性:
  • 雙通道N溝道
  • 帶有內(nèi)置的2kV ESD保護(hù)
  • 帶有兩個(gè)獨(dú)立的50V,280mA的MOSFET
應(yīng)用范圍:
  • 適用于電池供電的便攜式電子產(chǎn)品

CMLDM7003是一種雙通道N溝道的增強(qiáng)模式MOSFET,帶有內(nèi)置的2kV ESD保護(hù)。它帶有兩個(gè)獨(dú)立的50V,280mA的MOSFET,在每個(gè)器件的源極和柵極之間帶有瞬變電壓抑制柵。該器件的導(dǎo)通電阻RDS(on)在50mA,1.8V時(shí)是3.0歐姆。

這種MOSFET的封裝采用外形尺寸為0.6mm的表面貼裝SOT-563外殼。這種封裝占用的電路板空間要比SOT-23減少62%,它適用于電池供電的便攜式電子產(chǎn)品,如手機(jī)/智能手機(jī),MP3音樂(lè)播放器,醫(yī)學(xué)檢驗(yàn)設(shè)備,條形碼掃描器,PDA和筆記本電腦。


要采購(gòu)?fù)鈿っ?,點(diǎn)這里了解一下價(jià)格!
特別推薦
技術(shù)文章更多>>
技術(shù)白皮書(shū)下載更多>>
熱門(mén)搜索
?

關(guān)閉

?

關(guān)閉