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功率半導體行業(yè)的春天

發(fā)布時間:2010-07-23 來源:LED環(huán)球在線

機遇與挑戰(zhàn):
  • 功率半導體下游需求旺盛
  • MOSFET市場前景廣闊
  • 中國企業(yè)技術(shù)有突破
  • 功率半導體行業(yè)進口替代空間巨大
市場數(shù)據(jù):
  • 2010年半導體市場營業(yè)收入為2833億美元

功率半導體下游需求旺盛,發(fā)展前景看好。隨著全球經(jīng)濟復(fù)蘇勢頭增強,iSuppli公司預(yù)測2010年半導體市場營業(yè)收入為2833億美元,增長率達到23.2%。

MOSFET市場前景廣闊。2007年全球MOSFET的銷售額大約為52.89億美元,MOSFET的銷售額占全部功率半導體的比重大約為20%,MOSFET主要應(yīng)用于消費電子、計算機、工業(yè)控制、網(wǎng)絡(luò)通信、汽車電子和電力設(shè)備六大領(lǐng)域。

IGBT:節(jié)能減排的先鋒。2007年全球IGBT的銷售額大約為31.36億美元,IGBT的銷售額占全部功率半導體的比重大約為8%.IGBT主要用于通信、工業(yè)、醫(yī)療、家電、照明、交通、新能源、半導體生產(chǎn)設(shè)備、航空、航天及國防等諸多領(lǐng)域。

中國企業(yè)技術(shù)實現(xiàn)突破,功率半導體行業(yè)進口替代空間巨大。2009年我國功率半導體銷售額已超過870億元,同比增長5.86%.我國的功率半導體市場在未來幾年里還會保持增長,2010年預(yù)計將增長10%,市場規(guī)模將達到956.6億元,2011年將達到1060.5億元。由于目前中國市場功率半導體器件有接近90%需要進口,因此中國掌握功率半導體核心技術(shù)的企業(yè)未來面
臨巨大的進口替代市場空間。國家對于功率半導體行業(yè)發(fā)展的扶持力度加大。在2009年出臺的《電子信息產(chǎn)業(yè)調(diào)整和振興規(guī)劃》中,明確提出要提高新型電力電子器件、高頻頻率器件等產(chǎn)品的研發(fā)生產(chǎn)能力,初步形成完整配套、相互支撐的電子元器件產(chǎn)業(yè)體系。2010年3月19日國家發(fā)改委專門出臺針對支持功率半導體發(fā)展的文件《國家發(fā)展改革委辦公廳關(guān)于組織實施2010年新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項的通知》,重點支持MOSFET、IGCT、IGBT、FRD等新型電力電子芯片和器件的產(chǎn)業(yè)化。
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