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IR拓展低導通電阻汽車用功率MOSFET系列

發(fā)布時間:2010-08-09 來源:電子元件技術網(wǎng)

產(chǎn)品特性:
  • 在55V 的電壓下可提供低達 2.6 mΩ 的導通電阻
  • 可以承受 40V 至100V 的電壓
  • 采用 D2Pak-7P 和D2Pak 封裝
  • 最大額定電流分別為240A 和195 A
應用范圍:
  • 車載電源及內(nèi)燃機等的重載應用

國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 日前宣布拓展了針對低導通電阻(RDS(on))應用的汽車用功率 MOSFET 專用系列,包括車載電源及內(nèi)燃機 (ICE) 、微型混合動力和全混合動力平臺上的重載應用。

新的 MOSFET 系列器件系列在 55V 的電壓下可提供低達 2.6 mΩ 的導通電阻,可以承受 40V 至100V 的電壓,并涵蓋了此前推出的 75V 產(chǎn)品。當中一些具有更高電壓的器件非常適用于 24V 卡車系統(tǒng),采用 D2Pak-7P 和 D2Pak 封裝的新器件的最大額定電流分別為 240A 和 195 A。

IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“憑著 IR 在 MOSFET 技術及強大的制造、測試和認證流程方面的豐富經(jīng)驗,新拓展的專用器件系列可為客戶的汽車設計提供更廣泛的電壓和封裝選擇。”
 
IR 的汽車用 MOSFET 將動態(tài)和靜態(tài)部分的平均測試以及 100% 自動晶圓級視覺檢測作為 IR 要求零缺陷的汽車質量理念的一部分。AEC-Q101 標準要求導通電阻在經(jīng)過 1,000 次溫度循環(huán)測試后,變化幅度不能超過 20%。然而,經(jīng)過延長測試后,IR 的新款 AU 材料顯示,在 5,000 次溫度循環(huán)時的最大導通電阻變化低于 10%,體現(xiàn)了這款材料的高強度和耐用性。

新器件符合 AEC-Q101 標準,所采用的環(huán)保材料既不含鉛,也符合電子產(chǎn)品有害物質管制規(guī)定 (RoHS) 。
有關產(chǎn)品現(xiàn)已接受訂單,相關數(shù)據(jù)表和認證標準可瀏覽 IR 的網(wǎng)站 www.irf.com。
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