SiC779CD產(chǎn)品特性：

• 工作頻率超過1MHz
• 效率大于93%

SiC779CD應(yīng)用范圍：

• 服務(wù)器和桌面電腦
• 圖形卡和工作站
• 游戲機和其他采用CPU的高功率系統(tǒng)

日前，Vishay Intertechnology, Inc宣布，推出具有為PWM優(yōu)化的高邊和低邊N溝道MOSFET、全功能MOSFET驅(qū)動IC、自舉二極管的集成DrMOS解決方案---SiC779CD。

器件的工作頻率超過1MHz，效率大于93%。所有這些都集成在低外形、熱增強型PowerPAK® MLP 6x6的40腳封裝里。新的SiC779CD完全符合針對服務(wù)器和桌面電腦、圖形卡、工作站、游戲機和其他采用CPU的高功率系統(tǒng)中電壓調(diào)節(jié)器的DrMOS 4.0標準。

SiC779CD的先進柵極驅(qū)動IC可接收來自VR控制器的一個PWM輸入，并把輸入轉(zhuǎn)換成高邊和低邊MOSFET的柵極驅(qū)動信號。器件的5V PWM輸入兼容所有控制器，經(jīng)過特殊設(shè)計，可支持具有三態(tài)PWM輸出函數(shù)的控制器。

調(diào)節(jié)器可使用3V～16V的輸入電壓進行工作，最高可輸出40A的連續(xù)電流。集成的功率MOSFET為0.8V～2.0V的輸出電壓進行了優(yōu)化，標稱輸入電壓為12V。SiC779CD在5V輸出下可為ASIC應(yīng)用提供非常高的功率。

器件的驅(qū)動IC具有能自動偵測輕負載情況的電路，能自動開啟系統(tǒng)中為在輕負載條件下實現(xiàn)高效率而設(shè)計的跳頻模式工作(SMOD)。主動式失效時間控制有助于進一步提高在所有負載點上的效率。保護功能包括UVLO、擊穿保護，在結(jié)溫過高時，熱告警功能可對系統(tǒng)發(fā)出報警信號。

在SiC779CD里集成的驅(qū)動IC和功率MOSFET能夠減少功率損耗，減小與高頻分立功率級相關(guān)的寄生阻抗。設(shè)計者可以為高頻開關(guān)進行優(yōu)化，改善瞬態(tài)響應(yīng)，節(jié)約輸出濾波器元件的成本，在多相Vcore應(yīng)用中實現(xiàn)盡可能高的功率密度。

器件符合IEC 61249-2-21的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2002/95/EC。

SiC779CD現(xiàn)可提供樣品，將在2011年6月實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十周。