2011中國(西安)電子展即將開展 眾廠商將亮相

　　碳化硅肖特基二極管thinQ！TM，是采用新TO-247HC(長爬電距離)封裝的1200V碳化硅器件。這種新的封裝方式完全兼容行業(yè)標準TO-247，因而可輕松用于現(xiàn)有設計，而無需付出額外努力。更長的爬電距離可提高系統(tǒng)安全性，有效防止由于系統(tǒng)內(nèi)部灰塵或污垢導致的短路，特別是針對電弧，這樣無需使用額外的化學(硅膠或硅霜)或機械(護套或箔)手段來避免封裝引線之間存的在任何污染，從而充分發(fā)揮快速的精益生產(chǎn)工藝的所有優(yōu)勢。產(chǎn)品應用于太陽能系統(tǒng)、UPS、SMPS和電機逆變器等領域。

　　英飛凌素以提供適用于汽車(AEC Q101)的優(yōu)質(zhì)小信號MOSFET聞名于世?，F(xiàn)在，其新推出的60V邏輯電平OptiMOS“606”家族，進一步豐富了這個產(chǎn)品組合。這種60毫歐姆邏輯電平器件，具備出色的單位面積RDSon，并且具有很低的Qg，可以實現(xiàn)更好的輕載效率。該產(chǎn)品采用流行的SOT89、TSOP6和SC59封裝，特別適于強調(diào)節(jié)省空間、降低功耗的應用，可在電動汽車、混合動力汽車和外充電式混合動力汽車的電池能量控制模塊(BECM)中發(fā)揮平衡作用。

　　英飛凌(Infineon)將攜集成快速體二極管650V CoolMOSTMCFD2、中壓系列OptiMOSTM、碳化硅肖特基二極管thinQ！TM和60V邏輯電平OptiMOS“606”系列小信號MOSFET等多款領先新品亮相今年的中國(西安)電子展。

　　650V CoolMOSTMCFD2，是全球第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管，這個新的CFD2器件延續(xù)了600V CFD產(chǎn)品的優(yōu)點，不僅可以提高能效，而且具備更佳的換流功能，從而降低電磁干擾(EMI)，提升產(chǎn)品的競爭優(yōu)勢。該產(chǎn)品可將諸如太陽能設備、照明裝置等能效提升至新的高度。

　　另一款新推出的60V至150V CanPAKTM，進一步完善了OptiMOSTM功率MOSFET產(chǎn)品陣容。利用該產(chǎn)品，電源系統(tǒng)工程師可以優(yōu)化設計，實現(xiàn)更高能效和更好的散熱性能，同時最大限度縮小占板空間。較之標準分立式封裝，CanPAKTM金屬“罐”結(jié)構有助于實現(xiàn)雙面散熱，并且?guī)缀醪粫a(chǎn)生封裝寄生電感。OptiMOSTM產(chǎn)品可在整個電壓范圍內(nèi)實現(xiàn)行業(yè)最低的RDS(on)和Qg，對于面向太陽能微型逆變器和太陽能系統(tǒng)中使用的MPP追蹤器等快速開關應用，很低的柵極電荷(Qg)意味著最低的開關損耗。

中國西部擁有極其豐富的太陽能、風能與水能資源，這無疑將催生出全球巨大的新能源和清潔能源市場。立足于西部的中國電子展近幾年分別在西安與成都輪流舉辦，著力將新能源與清潔能源打造為展覽的核心議題，吸引了不少有志于開發(fā)中國西部新能源與清潔能源市場的知名電子廠商。今年的2011中國(西安)電子展將于8月25～27日在西安曲江國際會展中心舉辦。