- 高效率
- 優(yōu)異的耐用性
- 較低的輸出電容，提高了 Doherty 應(yīng)用中性能
- 記憶效應(yīng)低，提供優(yōu)良的預(yù)失真能力
- 內(nèi)部匹配，易于使用
- 多載波應(yīng)用，頻率范圍在 2.5GHz 到2.7GHz 之間
- 用于 W-CDMA 和 LTE 基站的射頻功率放大器
NXP 半導(dǎo)體推出了一款新的 90W LDMOS 功率晶體管，BLG7G27LS-90P，應(yīng)用于基站，工作頻率從 2.5GHz到 2.7GHz。BLF7G27LS-90P 是推挽晶體管，采用 NXP 的第七代 LDMOS 技術(shù)，采用熱增強(qiáng)型陶瓷封裝。
在單載波W - C D M A 信號(hào)的A B類電路中， 平均輸出功率2 5 W時(shí)，BLF7G27LS-90P 可提供 35％ 的效率和 18.5dB 增益。在這些條件下，如相鄰?fù)ǖ拦β式o出的，線性度通常是-36dBc。要獲得此性能，可以從 28V電源驅(qū)動(dòng)設(shè)備，也可以用高達(dá) 32V 電源電壓驅(qū)動(dòng)。
BLF7G27LS-90P 是一個(gè)堅(jiān)固的晶體管，它能夠承受對(duì)應(yīng)于 VSWR= 10:1 通過(guò)各個(gè)階段的不匹配負(fù)載，在目前發(fā)現(xiàn)W-CDMA 和 LTE 系統(tǒng)許多故障的形勢(shì)下，使其成為產(chǎn)品生存的安全選擇。產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和熱增強(qiáng)型封裝，在典型工作條件下測(cè)量， 會(huì)產(chǎn)生一個(gè)低至0.4K/W 的熱阻。憑借這一特點(diǎn)，設(shè)備將可在低結(jié)合點(diǎn)溫度下運(yùn)行，確保在數(shù)年的產(chǎn)品周期中性能穩(wěn)定可靠。BLF7G27LS-90P 在 SOT1121B 中，四線無(wú)耳陶瓷式封裝。還提供一個(gè)有耳式版本，BLF7G27L-90P。
應(yīng)用:
多載波應(yīng)用，頻率范圍在 2.5GHz 到2.7GHz 之間
用于 W-CDMA 和 LTE 基站的射頻功率放大器
特點(diǎn)：
高效率
優(yōu)異的耐用性
較低的輸出電容，提高了 Doherty 應(yīng)用中性能
記憶效應(yīng)低，提供優(yōu)良的預(yù)失真能力
內(nèi)部匹配，易于使用
