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通信廣電

TR8系列：Vishay新型模塑MicroTan鉭芯片電容

Vishay宣布推出新型TR8系列模塑MicroTan鉭芯片電容，采用0805封裝的該類電容具有0.8Ω超低ESR（在100 kHz和47 μF條件下），而采用0603封裝的具有業(yè)內(nèi)最低的1.5Ω ESR值。

2008-05-14

TR8 MicroTan鉭芯片電容

STGxL6NC60D：意法半導體新款IGBT系列

意法半導體推出一系列新的IGBT，新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關斷期間的能耗。如果設計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內(nèi)，應用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術的MOSFET。

2008-05-13

STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關電源

STGxL6NC60D：意法半導體新款IGBT系列

2008-05-13

STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開關電源

ACAS 0612 AT：Vishay新型汽車精密薄膜芯片電阻陣列

日前，Vishay宣布推出ACAS 0612 AT汽車精密薄膜芯片電阻陣列，該器件已通過AEC-Q200測試，并具有1000V額定電壓的ESD穩(wěn)定性。該器件經(jīng)優(yōu)化可滿足汽車行業(yè)對溫度和濕度的新要求，同時可為工業(yè)、電信及消費電子提供較高的重復性和穩(wěn)定的性能。

2008-05-09

ACAS 0612 AT 薄膜芯片電阻陣列

VLRE31/VLRK31系列：Vishay新型高亮度SMD LED

為滿足日益增長的對AlInGaP技術的需求，日前，Vishay宣布推出兩種新系列的、采用倒立鷗翼式封裝的黃色和紅色SMD LED，這兩種系列的SMD LED具有高發(fā)光強度和低功耗的特點。

2008-05-09

VLRE31 VLRK31 LED

VAR：Vishay 新型超高精度、高分辯率 Z 箔音頻電阻

日前，Vishay宣布推出新型超高精度 Z 箔音頻電阻，該電阻采取特殊設計，可增加信號清晰度。當溫度范圍在 -55°C 至 +125°C 時，該器件具有 ±0.2 ppm/°C 的超低典型 TCR、在額定功率時 5ppm 的出色PCR（自身散熱產(chǎn)生的 ?R）、0.01% 的絕對容差且電流噪聲小于 -40dB。

2008-05-07

VAR Z 箔音頻電阻

NBXxxxx：安森美高性能單頻和雙頻晶體振蕩器模塊

安森美半導體擴充了高性能時鐘和數(shù)據(jù)管理產(chǎn)品系列，推出九款基于鎖相環(huán)(PLL)的新PureEdge時鐘模塊，替代晶體振蕩器(XO)。NBXxxxx系列非常適用于高速網(wǎng)絡、電信和高端計算應用。

2008-05-07

PLL PureEdge NBXxxxx 通信應用振蕩器

NBXxxxx：安森美高性能單頻和雙頻晶體振蕩器模塊

2008-05-07

PLL PureEdge NBXxxxx 通信應用振蕩器

DS4M-XO系列：Maxim超高頻晶體振蕩器

Maxim推出DS4M-XO系列晶體振蕩器，支持100MHz至300MHz工作頻率，并提供頻率容限調(diào)節(jié)功能。DS4M-XO系列產(chǎn)品尺寸小、性能高并且易于使用，可理想用于Ethernet、InfiniBand、PCI和PCI Express II等空間受限的場合。

2008-05-05

DS4M-XO 晶體振蕩器

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NBXxxxx：安森美高性能單頻和雙頻晶體振蕩器模塊

NBXxxxx：安森美高性能單頻和雙頻晶體振蕩器模塊

DS4M-XO系列：Maxim超高頻晶體振蕩器

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VAR：Vishay 新型超高精度、高分辯率 Z 箔音頻電阻