產(chǎn)品特點(diǎn)：

• 采用SO8封裝
• 包含一對(duì)互補(bǔ)100V增強(qiáng)式MOSFET
• 典型導(dǎo)通電阻分別為230m? 和235m?
• 功率耗散分別為2.4W及2.6W

應(yīng)用范圍：

• 直流風(fēng)扇和逆變器電路、D類放大器輸出級(jí)

Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件，它采用SO8封裝，包含一對(duì)互補(bǔ)100V增強(qiáng)式MOSFET，性能可媲美體積更大的獨(dú)立封裝器件。ZXMC10A816適用于H橋電路，應(yīng)用范圍包括直流風(fēng)扇和逆變器電路、D類放大器輸出級(jí)以及其他多種48V應(yīng)用。

Diodes 亞太區(qū)技術(shù)市場(chǎng)總監(jiān)梁后權(quán)指出：“這個(gè)N通道和P通道組合的MOSFET能夠代替采用SOT223及DPak (TO252) 封裝的同等器件，有助減省電路板空間及元件數(shù)目，同時(shí)簡(jiǎn)化柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)。比方說(shuō)，SO8充分發(fā)揮了節(jié)省空間的功能，其占位面積只有31 mm2，僅為兩個(gè)SOT223 MOSFET的30%。”

最新雙器件封裝內(nèi)的N與P通道MOSFET，可在10V柵極電壓 (VGS) 下實(shí)現(xiàn)極低的柵極電荷，典型導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 分別為230m? 和235m?，確保開(kāi)關(guān)及導(dǎo)通損耗保持在最低水平。功率耗散分別為2.4W及2.6W。