產(chǎn)品特性：

• 極低的通態(tài)電阻：在10V Vgs時典型為0.5mΩ
• 比D2PAK的占位面積縮小60%，高度縮小85%
• 實現(xiàn)了改善的安全工作區(qū)（SOA）能力

應用范圍：

• 電子保險絲及熱插拔應用
• 高密度DC-DC應用

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出IRF6718 DirectFET MOSFET。這款新型25V器件提供業(yè)界最低的通態(tài)電阻 (RDS(on))，并且使動態(tài)ORing、熱插拔及電子保險絲等DC開關應用達到最佳效果。

IRF6718在新款大罐式DirectFET封裝中融入了IR新一代硅技術，提供極低的通態(tài)電阻（在10V Vgs時典型為0.5mΩ），同時比D2PAK的占位面積縮小60%，高度縮小85%。新器件大幅減少了有關旁路元件的傳導損耗，從而大大提高整體系統(tǒng)的效率。

IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IRF6718是IR第一款采用大罐式DirectFET封裝的器件，與同類器件相比擁有更低的通態(tài)電阻，可實現(xiàn)卓越的效率及熱性能，適合于高密度DC-DC應用，如比D2PAK尺寸更小的服務器。另外，該器件還有助于節(jié)省電路板空間及整體系統(tǒng)的成本，因為在特定功率損耗下，它比現(xiàn)有解決方案使用更少的器件。”

此外，IRF6718為電子保險絲及熱插拔電路實現(xiàn)了改善的安全工作區(qū)（SOA）能力。該器件采用無鉛設計，并符合RoHS標準。

IRF6718是IR針對DC開關應用的25V DirectFET系列的衍生產(chǎn)品。IRF6717中罐式和IRF6713小罐式DirecFET也適合DC開關應用，并且在各自的PCB尺寸內(nèi)提供業(yè)界最佳的通態(tài)電阻。

器件編號	典型RDS(on) @10V (mΩs)	典型RDS(on) @4.5V (mΩs)	VGS (V)	ID @ TA=25ºC (A)	封裝面積    (mm x mm)	典型RDS(on) @10V x 面積 (mΩ x mm2)
IRF6718	0.5	1.0	+/-20	61	7 x 9.1	31.9
IRF6717	0.95	1.6	+/-20	38	4.9 x 6.3	29.3
IRF6713	2.2	3.5	+/-20	22	3.8 x 4.8	40.1

上述器件的數(shù)據(jù)及應用說明已在IR的網(wǎng)站www.irf.com提供。IR已開始接受量產(chǎn)訂單。