產(chǎn)品特性：

• 超精密及高熱
• 效率的DFN1616封裝
• 極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 特性
• 提供防靜電放電 (ESD) 的增強(qiáng)保護(hù)

應(yīng)用范圍：

• 智能手機(jī)、平板計(jì)算機(jī)等

Diodes公司推出微型12V P通道強(qiáng)化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計(jì)要求，如智能手機(jī)及平板計(jì)算機(jī)等。

這款新MOSFET采用超精密及高熱效率的DFN1616封裝，并具有極低的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 特性，能將傳導(dǎo)損耗降至最低水平，從而延長(zhǎng)電池壽命。例如在VGS為4.5V的條件下，該MOSFET的導(dǎo)通電阻僅為29mΩ，這比其最接近的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻性能還要優(yōu)越15%，有利于電源中斷及一般負(fù)載開關(guān)的應(yīng)用。

DFN1616的標(biāo)準(zhǔn)離板剖面為0.5毫米，比其對(duì)手的產(chǎn)品薄20%，并只占2.56平方毫米的印刷電路板面積 (PCB)，比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手同類型2毫米乘2毫米的較大封裝節(jié)省55%的空間。

同時(shí)，DMP1245UFCL為用戶提供防靜電放電 (ESD) 的增強(qiáng)保護(hù)。該MOSFET的額定閘極保護(hù)為3kV，比同類產(chǎn)品高出50%，因此對(duì)人為產(chǎn)生的靜電放電所造成的影響有很強(qiáng)的抵御作用。