3.采用頻率控制，上下管的占空比都為50％；

4.減小次級同步整流MOSFET的電壓應(yīng)力，可以采用更低的電壓MOSFET從而減少成本；

5.無需輸出電感，可以進(jìn)一步降低系統(tǒng)成本；

6.采用更低電壓的同步整流MOSFET， 可以進(jìn)一步提升效率。

 

三、LLC 電路的結(jié)構(gòu)及原理

 

圖1和圖2分別給出了LLC諧振變換器的典型線路和工作波形。如圖1所示LLC轉(zhuǎn)換器包括兩個(gè)功率MOSFET（Q1和Q2），其占空比都為0.5；諧振電容Cr，副邊匝數(shù)相等的中心抽頭變壓器Tr，等效電感Lr，勵(lì)磁電感Lm，全波整流二極管D1和D2以及輸出電容Co。

而LLC有兩個(gè)諧振頻率，Cr， Lr 決定諧振頻率fr1； 而Lm， Lr， Cr決定諧振頻率fr2。

 

系統(tǒng)的負(fù)載變化時(shí)會造成系統(tǒng)工作頻率的變化，當(dāng)負(fù)載增加時(shí)， MOSFET開關(guān)頻率減小， 當(dāng)負(fù)載減小時(shí)，開關(guān)頻率增大。

 

 

3.1 LLC諧振變換器的工作時(shí)序

 

LLC變換器的穩(wěn)態(tài)工作原理如下：

 

1）〔t1，t2〕

 

Q1關(guān)斷，Q2開通，電感Lr和Cr進(jìn)行諧振，次級D1關(guān)斷，D2開通，二極管D1約為兩倍輸出電壓，此時(shí)能量從Cr， Lr轉(zhuǎn)換至次級。直到Q2關(guān)斷。

 

2）〔t2，t3〕

 

Q1和Q2同時(shí)關(guān)斷，此時(shí)處于死區(qū)時(shí)間， 此時(shí)電感Lr， Lm電流給Q2的輸出電容充電，給Q1的輸出電容放電直到Q2輸出電容的電壓等于Vin．

 

次級D1和D2關(guān)斷 Vd1＝Vd2＝0， 當(dāng)Q1開通時(shí)該相位結(jié)束。

 

3）〔t3，t4〕

 

Q1導(dǎo)通，Q2關(guān)斷。D1導(dǎo)通， D2關(guān)斷， 此時(shí)Vd2＝2Vout

 

Cr和Lr諧振在fr1， 此時(shí)Ls的電流通過Q1返回到Vin，直到Lr的電流為零次相位結(jié)束。

 

4）〔t4，t5〕

 

Q1導(dǎo)通， Q2關(guān)斷， D1導(dǎo)通， D2關(guān)斷，Vd2＝2Vout

 

Cr和Lr諧振在fr1， Lr的電流反向通過Q1流回功率地。 能量從輸入轉(zhuǎn)換到次級，直到Q1關(guān)斷該相位結(jié)束

 

5）〔t5，t6）

 

Q1，Q2同時(shí)關(guān)斷， D1，D2關(guān)斷， 原邊電流I（Lr＋Lm）給Q1的Coss充電， 給Coss2放電， 直到Q2的Coss電壓為零。 此時(shí)Q2二極管開始導(dǎo)通。 Q2開通時(shí)相位結(jié)束。

6）〔t6，t7〕

 

Q1關(guān)斷，Q2導(dǎo)通，D1關(guān)斷， D2 開通，Cr和Ls諧振在頻率fr1， Lr 電流經(jīng)Q2回到地。 當(dāng)Lr電流為零時(shí)相位結(jié)束。

 

3.2 LLC諧振轉(zhuǎn)換器異常狀態(tài)分析

 

以上描述都是LLC工作在諧振模式， 接下來我們分析LLC轉(zhuǎn)換器在啟機(jī)， 短路， 動(dòng)態(tài)負(fù)載下的工作情況。

 

3.2.1 啟機(jī)狀態(tài)分析

 

通過LLC 仿真我們得到如圖3所示的波形，在啟機(jī)  個(gè)開關(guān)周期，上下管會同時(shí)出現(xiàn)一個(gè)短暫的峰值電流Ids1 和Ids2． 由于MOSFET Q1開通時(shí)會給下管Q2的輸出電容Coss充電，當(dāng)Vds為高電平時(shí)充電結(jié)束。而峰值電流Ids1和Ids2也正是由于Vin通過MOSFET Q1 給Q2 結(jié)電容Coss的充電而產(chǎn)生。

 

圖3 LLC 仿真波形

 

我們將焦點(diǎn)放在第二個(gè)開關(guān)周期時(shí)如圖4，我們發(fā)現(xiàn)此時(shí)也會出現(xiàn)跟  個(gè)開關(guān)周期類似的尖峰電流，而且峰值會更高，同時(shí)MOSFET Q2 Vds也出現(xiàn)一個(gè)很高的dv／dt峰值電壓。那么這個(gè)峰值電流的是否仍然是Coss引起的呢？ 我們來做進(jìn)一步的研究。

 

圖4 第二個(gè)開關(guān)周期波形圖

 

對MOSFET結(jié)構(gòu)有一定了解的工程師都知道，MOSFET不同于IGBT，在MOSFET內(nèi)部其實(shí)寄生有一個(gè)體二極管，跟普通二極管一樣在截止過程中都需要中和載流子才能反向恢復(fù)， 而只有二極管兩端加上反向電壓才能夠使這個(gè)反向恢復(fù)快速完成， 而反向恢復(fù)所需的能量跟二極管的電荷量Qrr相關(guān)， 而體二極管的反向恢復(fù)同樣需要在體二極管兩端加上一個(gè)反向電壓。在啟機(jī)時(shí)加在二極管兩端的電壓Vd＝Id2 x Ron。而Id2在啟機(jī)時(shí)幾乎為零，而二極管在Vd較低時(shí)需要很長的時(shí)間來進(jìn)行反向恢復(fù)。如果死區(qū)時(shí)間設(shè)置不夠，如圖5所示高的dv／dt會直接觸發(fā)MOSFET內(nèi)的BJT從而擊穿MOSFET。

 

圖5

 

通過實(shí)際的測試，我們可以重復(fù)到類似的波形，第二個(gè)開關(guān)周期產(chǎn)生遠(yuǎn)比  個(gè)開關(guān)周期高的峰值電流，同時(shí)當(dāng)MOSFET在啟機(jī)的時(shí)dv／dt高118，4V／ns。而Vds電壓更是超出了600V的  大值。MOSFET在啟機(jī)時(shí)存在風(fēng)險(xiǎn)。

 

圖6

 

3.2.2 異常狀態(tài)分析

 

下面我們繼續(xù)分析在負(fù)載劇烈變化時(shí)，對LLC拓?fù)鋪碚f存在那些潛在的風(fēng)險(xiǎn)。

 

在負(fù)載劇烈變化時(shí)，如短路，動(dòng)態(tài)負(fù)載等狀態(tài)時(shí)，LLC電路的關(guān)鍵器件MOSFET同樣也面臨著挑戰(zhàn)。

 

通常負(fù)載變化時(shí)LLC 都會經(jīng)歷以下3個(gè)狀態(tài)。我們稱之為硬關(guān)斷，而右圖中我們可以比較在這3個(gè)時(shí)序當(dāng)中，傳統(tǒng)MOSFET和CoolMOS內(nèi)部載流子變化的不同， 以及對MOSFET帶來的風(fēng)險(xiǎn)。

 

 

時(shí)序1，Q2零電壓開通，反向電流經(jīng)過MOSFET和體二極管，此時(shí)次級二極管D2開通，D1關(guān)段。

 

－傳統(tǒng)MOSFET此時(shí)電子電流經(jīng)溝道區(qū)，從而減少空穴數(shù)量

 

－CoolMOS此時(shí)同傳統(tǒng)MOSFET一樣電子電流經(jīng)溝道，穴減少，不同的是此時(shí)CoolMOS 的P井結(jié)構(gòu)開始建立。

   

 

 

 時(shí)序2，Q1和Q2同時(shí)關(guān)斷，反向電流經(jīng)過MOSFETQ2體二極管。

 

Q1和Q2關(guān)斷時(shí)對于傳統(tǒng)MOSFET和CoolMOS來說內(nèi)部電子和空穴路徑和流向并沒有太大的區(qū)別。

 

 

時(shí)序3，Q1此時(shí)開始導(dǎo)通，由于負(fù)載的變化，此時(shí)MOSFET Q2的體二極管需要很長的時(shí)間來反向

 

恢復(fù)。當(dāng)二極管反向恢復(fù)沒有完成時(shí)MOSFET Q2出現(xiàn)硬關(guān)斷， 此時(shí)Q1開通，加在Q2體二極管上的電壓會在二極管形成一個(gè)大電流從而觸發(fā)MOSFET內(nèi)部的BJT造成雪崩。

 

－傳統(tǒng)MOSFET此時(shí)載流子抽出，此時(shí)電子聚集在PN節(jié)周圍， 空穴電流擁堵在PN節(jié)邊緣。

 

－CoolMOS的電子電流和空穴電流各行其道， 此時(shí)空穴電流在已建立好的P井結(jié)構(gòu)中流動(dòng)，并無電子擁堵現(xiàn)象。

 

綜上， 當(dāng)LLC電路出現(xiàn)過載，短路，動(dòng)態(tài)負(fù)載等條件下， 一旦二極管在死區(qū)時(shí)間不能及時(shí)反向恢復(fù)， 產(chǎn)生的巨大的復(fù)合電流會觸發(fā)MOSFET內(nèi)部的BJT使MOSFET失效。

 

有的 CoolMOS采用Super Juction結(jié)構(gòu)， 這種結(jié)構(gòu)在MOSFET硬關(guān)斷的狀態(tài)下， 載流子會沿垂直構(gòu)建的P井中復(fù)合， 基本上沒有側(cè)向電流， 大大減少觸發(fā)BJT的機(jī)會。

 

四、如何更容易實(shí)現(xiàn)ZVS

 

通過以上的分析，可以看到增加MOSFET的死區(qū)時(shí)間，可以提供足夠的二極管反向恢復(fù)時(shí)間同時(shí)降低高dv/dt， di/dt 對LLC電路造成的風(fēng)險(xiǎn)。但是增加死區(qū)時(shí)間是  的選擇么？下面我們進(jìn)一步分析如何夠降低風(fēng)險(xiǎn)提升系統(tǒng)效率。
 

圖7

 

對于LLC 電路來說死區(qū)時(shí)間的初始電流為：

 

 

而LLC能夠?qū)崿F(xiàn)ZVS必須滿足：

 

而小勵(lì)磁電感為：

 

 

根據(jù)以上3個(gè)等式，我們可以通過以下三種方式讓LLC實(shí)現(xiàn)ZVS：

 

加Ipk；

 

第二， 增加死區(qū)時(shí)間；

 

第三， 減小等效電容Ceq即Coss。

 

從以上幾種狀況，我們不難分析出。增加Ipk會增加電感尺寸以及成本，增加死區(qū)時(shí)間會降低正常工作時(shí)的電壓，而  好的選擇無疑是減小Coss，因?yàn)闇p小無須對電路做任何調(diào)整，只需要換上一個(gè)Coss相對較小MOSFET即可。

 

五、結(jié)論

 

LLC 拓?fù)鋸V泛的應(yīng)用于各種開關(guān)電源當(dāng)中，而這種拓?fù)湓谔嵘实耐瑫r(shí)也對MOSFET提出了新的要求。不同于硬開關(guān)拓?fù)?，軟開關(guān)LLC諧振拓?fù)?，不僅僅對MOSFET的導(dǎo)通電阻（導(dǎo)通損耗），Qg（開關(guān)損耗）有要求，同時(shí)對于如何能夠有效的實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)，如何降低失效率，提升系統(tǒng)可靠性，降低系統(tǒng)的成本有更高的要求。CoolMOS，具有快速的體二極管，低Coss，有的可高達(dá)650V的擊穿電壓，使LLC拓?fù)溟_關(guān)電源具有更高的效率和可靠性。