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一種高精度的BQ25980輸入電流的檢測方法

發(fā)布時間:2022-01-13 來源:TI 責(zé)任編輯:wenwei

【導(dǎo)讀】近年來,隨著智能手機、平板電腦等消費電子終端對電池電量需求的不斷增長,消費者對電子產(chǎn)品充電速度、充電體驗的需求也在不斷提高。針對大容量鋰電池的高效率、高功率充電應(yīng)用,TI推出了以BQ25980為代表的開關(guān)電容架構(gòu)快速充電芯片,可以實現(xiàn)高達98.6%效率的快速充電方案,為消費者帶來快速穩(wěn)定、高效易用的充電體驗。


在BQ25980的實際應(yīng)用中,如圖一所示,通常需要搭配使用傳統(tǒng)的電感型充電芯片(如BQ2579x系列),組成主、副配合的快速充電系統(tǒng)。其中,作為主充電芯片的BQ2579x負責(zé)完成充電協(xié)議的基本檢測、電池的預(yù)充電、涓流充電與截止充電等階段,并結(jié)合電源路徑管理功能為系統(tǒng)負載提供穩(wěn)定的供電;而作為副充芯片的BQ25980負責(zé)在電池的恒流充電、恒壓充電等階段實現(xiàn)高效率、大功率的快速充電。


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圖1. BQ25980的典型應(yīng)用方案


為了實現(xiàn)對快充系統(tǒng)和芯片運行的狀態(tài)監(jiān)測與可靠保護,BQ25980芯片中集成有高達16位的模數(shù)轉(zhuǎn)換(ADC)電路,可以用來實時讀取充電芯片的工作電壓、電流、芯片結(jié)溫及電芯溫度等重要參數(shù)。其中,關(guān)于工作電流的采樣測量,由于采樣電路原理的不同,BQ25980針對充電輸出電流(IBAT)的測量精度與母線輸入電流(IBUS)的測量精度存在一定的差異;具體的如下表所示:


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可見,就BQ25980的電流檢測功能而言,IBAT_ADC比IBUS_ADC具有更高的采樣測量精度。進一步地,考慮到在實際的充電系統(tǒng)中,針對電池充電電流的精確測量與監(jiān)控保護通常由高性能的電量計芯片(如BQ28Z610)來負責(zé),不需要依靠充電芯片的IBAT_ADC來實現(xiàn);因此,在特定的應(yīng)用中,我們可以巧妙地利用IBAT_ADC及其采樣電路的相關(guān)資源來進行BQ25980的母線輸入電流IBUS的采樣與測量,從而顯著地提高BQ25980輸入電流的檢測精度;同時,由于開關(guān)電容拓撲穩(wěn)定工作時,輸入端的電流僅為輸出端的一半左右,將電流采樣電阻轉(zhuǎn)移到輸入端還可以在一定程度上降低電阻的熱損耗。具體的應(yīng)用方法如圖2所示。


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圖2. 高精度的BQ25980輸入電流檢測方案


如圖,為了使用IBAT的采樣電路(低邊采樣)測量BQ25980的母線輸入電流,需要將高精度的電流采樣電阻Rsense 串聯(lián)(2m?或5m?)至BQ25980的輸入端低邊側(cè),并將Rsense電阻兩端分別連接至芯片的SRP和SRN引腳(分別為電流傳感采樣的正負輸入引腳)。其中,采樣電阻Rsense選用2m?時,使用IBAT_ADC讀取電流的分辨率可以達LSB=1mA。


完成硬件連接后,可通過I2C指令讀寫B(tài)Q25980的寄存器;正確配置和使能芯片的ADC功能后,即可通過讀取0x31h寄存器獲得IBAT_ADC的取值,得到BQ25980的母線輸入電流。


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進一步地,可以基于BQ25980的EVM板對該電流檢測方法進行驗證實驗。具體的測試方案如圖3所示。


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圖3. BQ25980輸入電流檢測方案驗證實驗


基于BQ25980的EVM板,將電流采樣電阻及其傳感電路置換至輸入側(cè);使用直流程控電源作為輸入電源,并在輸入回路中串聯(lián)高精度的萬用表測量輸入電流。通過EV2400接口板將BQ25980的EVM板連接至電腦,進而使用上位機軟件bqStudio實現(xiàn)對BQ25980的寄存器讀寫與監(jiān)控。


系統(tǒng)上電后,參考文檔“BQ25980EVM (BMS040) Evaluation Module User Guide”的說明將BQ25980配置為開關(guān)電容型充電模式后,逐漸調(diào)整程控電源的直流電壓,觀察記錄萬用表上測量得到的輸入電流讀數(shù);同時,使能BQ25980的ADC功能,觀察0x25h寄存器(IBUS_ADC)和0x31h寄存器(IBAT_ADC)的取值及其對應(yīng)電流值讀數(shù)的變化;實驗重復(fù)共計三次,取平均值并整理記錄如下表所示。其中,I_IN為萬用表測得的電流讀數(shù),I_Read1為IBUS_ADC測得的電流讀數(shù),I_Read2為IBAT_ADC測得的電流讀數(shù);Error1和Error2分別為I_Read1和I_Read2偏離I_IN值的相對誤差。


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可見,盡管使用IBUS_ADC和IBAT_ADC均能夠?qū)崿F(xiàn)對BQ25980輸入電流的采集與測量,但兩種方法的測量精度存在一定程度的差異。下圖提供了兩種方法測量誤差的進一步對比。


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圖4. BQ25980輸入電流檢測誤差對比圖


觀察上圖可以看出,針對BQ25980的輸入電流檢測,在0.5A~4A的測試范圍內(nèi),本文提出的IBAT_ADC檢測方法的誤差表現(xiàn)優(yōu)于IBUS_ADC測量方法。具體的,就本實驗而言,采用IBAT_ADC方法的測量誤差可以基本控制在1.5%以內(nèi);而采用IBUS_ADC直接測量輸入電流的誤差僅能控制在3.5%以內(nèi)。


綜上所述,本文提出的基于IBAT_ADC的BQ25980輸入電流的檢測方法可以顯著改善芯片輸入電流的檢測精度,為系統(tǒng)設(shè)計和實際應(yīng)用提供方便。


參考文獻:


Texas Instruments, BQ25980 Datasheet


Texas Instruments, BQ25980EVM (BMS040) Evaluation Module User Guide


Texas Instruments, 具有高效率電荷泵(Charge Pump Charger)充電系統(tǒng)介紹


Texas Instruments, How to use the BQ25970 for Flash Charging



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