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超高頻遠(yuǎn)距離無(wú)源射頻接口電路設(shè)計(jì)方案

發(fā)布時(shí)間:2011-08-10

中心議題:
  • 超高頻遠(yuǎn)距離無(wú)源射頻接口電路設(shè)計(jì)
解決方案:
  • 解調(diào)電路采用二極管包絡(luò)檢波解調(diào)實(shí)現(xiàn)
  • 利用0.18m工藝流片驗(yàn)證

1 引言

射頻識(shí)別技術(shù)廣泛應(yīng)用于交通運(yùn)輸、動(dòng)物識(shí)別、過(guò)程控制、物流等方面。早在1990年代,13.56MHz的射頻標(biāo)簽就應(yīng)用于社會(huì)生活的各個(gè)領(lǐng)域。

近年來(lái),915MHz以及2.45GHz等UHF波段的射頻標(biāo)簽由于工作距離遠(yuǎn),天線尺寸小等優(yōu)點(diǎn)越來(lái)越受到重視。射頻標(biāo)簽芯片的射頻接口模塊包括電源恢復(fù)電路、穩(wěn)壓電路和解調(diào)整形電路。射頻接口的設(shè)計(jì)直接影響到射頻標(biāo)簽的關(guān)鍵性能指標(biāo)。

本文對(duì)射頻標(biāo)簽?zāi)芰抗?yīng)原理進(jìn)行了詳細(xì)的理論分析,并完成了電源恢復(fù)電路、穩(wěn)壓電路和解調(diào)整形電路的設(shè)計(jì)。

2 原理分析

2.1 電源恢復(fù)


無(wú)源射頻標(biāo)簽依靠讀寫(xiě)器發(fā)射出的電磁波獲取能量。標(biāo)簽芯片獲得的能量與很多因素都有關(guān)系,例如空間環(huán)境的反射,傳播媒介的吸收系數(shù),溫度等。在理想自由空間,連續(xù)載波的情況下,有下面的近似公式:
式中,Ptag_IC是芯片接收到的能量,Preader為讀寫(xiě)器發(fā)射功率,Gtag是標(biāo)簽天線增益,Greader是讀寫(xiě)器天線增益,R為標(biāo)簽到讀寫(xiě)器的距離。

可以看到,標(biāo)簽接收到的功率主要和距離與載波頻率相關(guān),隨距離的增大迅速減小,隨頻率的增加而減小。PreaderRreader也稱為EIRP,即等效全向發(fā)射功率。它受到國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)約束,通常在27~36dBm左右。例如,按照北美標(biāo)準(zhǔn),讀寫(xiě)器等效發(fā)射功率EIRP應(yīng)小于4W,即36dBm。在自由空間中,915MHz的信號(hào)在4m處衰減為43.74dB。假設(shè)標(biāo)簽天線增益為1.5dBi,則在4m處無(wú)源射頻標(biāo)簽可能獲得的最大功率只有約-6.24dBm,238W。利用標(biāo)準(zhǔn)的偶極子天線,在915MHz天線端能夠獲得的電壓約200mV。在如此低的輸入信號(hào)幅度下,采用普通全波或半波整流電路無(wú)法獲得所需的直流電壓,因此需要采用倍壓結(jié)構(gòu)的電源恢復(fù)電路。

倍壓結(jié)構(gòu)的電源恢復(fù)電路如圖1所示。圖中的二極管在實(shí)際應(yīng)用時(shí)通常用MOS管替代。輸入正弦交流信號(hào)RFin=VAsint。在RFin負(fù)半周期時(shí),M0導(dǎo)通,C1充電。C1兩端能夠獲得的最大電壓為VA-Vd,其中,Vd為MOS管M0兩端的電壓降。
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RFin正半周期時(shí),節(jié)點(diǎn)1的最大電壓為VA+(VA-Vd)。該電壓使得M1導(dǎo)通,C2充電,直到C2兩端達(dá)到最大電壓,即節(jié)點(diǎn)2的最大電壓,為VA+(VA- Vd)-Vd=2(VA-Vd)。依次類推,C3兩端能夠獲得的最大電壓為3(VA-Vd),節(jié)點(diǎn)4的最大電壓為4(VA-Vd)。節(jié)點(diǎn)2N的最大電壓為 2N(VA-Vd)。于是,對(duì)于2N級(jí)電路,輸出直流電壓為:
考慮輸出負(fù)載的情況。假設(shè)負(fù)載抽取電流為Iout,輸入交流信號(hào)頻率為fsig,所有電容值都為C,則輸出電壓降低2NIout/Cfsig。于是,考慮輸出負(fù)載情況下的輸出電壓為:
2.2 穩(wěn)壓

在4W等效發(fā)射功率下,距讀寫(xiě)器 20cm處,采用增益1.5dBi的接收天線,標(biāo)簽接收到的最大功率達(dá)到95.5mW,超過(guò)標(biāo)簽在4m處接收到最大功率的400倍。為了保證標(biāo)簽在近場(chǎng)和遠(yuǎn)場(chǎng)都能夠可靠工作,需要有效的穩(wěn)壓電路使得標(biāo)簽在近場(chǎng)能夠保持電壓不超過(guò)正常工作電壓范圍。

通常的并聯(lián)式穩(wěn)壓結(jié)構(gòu)如圖2所示。當(dāng)Vout大于穩(wěn)壓電路開(kāi)啟閾值時(shí),穩(wěn)壓電路內(nèi)的瀉流管Mp開(kāi)啟,從瀉流管瀉放電流,使電壓降低。

2.3 解調(diào)

本文提出的射頻接口是針對(duì)滿足ANSNCITS256??1999射頻標(biāo)簽協(xié)議的標(biāo)簽芯片設(shè)計(jì)的。根據(jù)ANSNCITS256??1999射頻標(biāo)簽協(xié)議規(guī)范,讀寫(xiě)器到標(biāo)簽的信號(hào)為OnOffKey(OOK)調(diào)制信號(hào)。

因此,解調(diào)電路可采用二極管包絡(luò)檢波解調(diào)實(shí)現(xiàn)。
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3 設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

3.1 電源恢復(fù)電路


根據(jù)設(shè)計(jì)指標(biāo),要在915MHz 信號(hào)輸入幅度200mV,負(fù)載電流20A時(shí)獲得大于2V的直流電壓。則根據(jù)(3)式,可得N>5。因此,所需倍壓電路最低級(jí)數(shù)為12級(jí)。考慮到 MOS管導(dǎo)通壓降的損失和寄生效應(yīng)帶來(lái)的損失,電源恢復(fù)電路采用16級(jí)的倍壓電路結(jié)構(gòu),利用零閾值NMOS管實(shí)現(xiàn)。倍壓式電源恢復(fù)電路的末端最后一個(gè)電容為儲(chǔ)能電容,取200pF。

3.2 穩(wěn)壓電路

根據(jù)設(shè)計(jì)協(xié)議要求,輸入信號(hào)為 OOK信號(hào)在OOK信號(hào)的關(guān)斷時(shí)刻,由于圖2中瀉流管Mp無(wú)法瞬間關(guān)閉,于是繼續(xù)從儲(chǔ)能電容Cs上抽取電流,從而導(dǎo)致電源電壓Vout出現(xiàn)較大下脈沖凹陷。為解決該問(wèn)題,將并聯(lián)穩(wěn)壓電路改進(jìn),如圖3所示。瀉流管Mo1和Mo2的電流抽取點(diǎn)從Vout端移至節(jié)點(diǎn)p。這樣,當(dāng)瀉流管開(kāi)啟,OOK信號(hào)的關(guān)斷時(shí)刻到來(lái)時(shí),由于二極管連接的MOS管M3、M4的反向截止作用,儲(chǔ)能電容Cs上的電荷不會(huì)從瀉流管上被抽取走,從而避免了瀉流管造成的電源電壓下脈沖凹陷的問(wèn)題。穩(wěn)壓電路穩(wěn)壓值設(shè)計(jì)在2.4V。

3.3 解調(diào)電路


解調(diào)電路如圖4所示。M1~M4 為4級(jí)倍壓?jiǎn)卧鸬綑z波二極管的作用。由于并聯(lián)穩(wěn)壓電路的瀉流管無(wú)法瞬間關(guān)斷,因此,在OOK信號(hào)關(guān)斷時(shí)刻,瀉流管抽取電容C4上的電荷。電容C4取值較小,因此,p1點(diǎn)電平迅速下降,形成較大的下脈沖凹陷,經(jīng)過(guò)后級(jí)的整形電路,輸出標(biāo)準(zhǔn)的解調(diào)波形。
3.4 流片驗(yàn)證

該射頻前端模塊作為超高頻長(zhǎng)距離無(wú)源射頻標(biāo)簽芯片的一部分,在UMC0.18m混合信號(hào)工藝下設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn),并流片驗(yàn)證。芯片照片如圖5所示。
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4 測(cè)試結(jié)果

4.1 電源恢復(fù)及穩(wěn)壓電路測(cè)試

利用8753ES網(wǎng)絡(luò)分析儀作為電源恢復(fù)電路激勵(lì)源;中心頻率設(shè)定在915MHz,掃頻寬度設(shè)定為1Hz,以此來(lái)近似輸出915MHz的單頻載波信號(hào)。

網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)試端輸出功率從 -8dBm到10dBm,按照步進(jìn)0.5dBm,測(cè)試各功率點(diǎn)駐波比SWR和電源恢復(fù)電路電壓VDD。由于網(wǎng)絡(luò)分析儀功率輸出準(zhǔn)確度較低,因此,再利用功率計(jì),測(cè)量每個(gè)測(cè)試輸出功率下網(wǎng)絡(luò)分析儀的實(shí)際輸出功率Ps。電源恢復(fù)電路的實(shí)際輸入功率為:
根據(jù)Pin和VDD,繪制出反映電源恢復(fù)電路性能的輸入輸出特性曲線,如圖6所示。

電路帶200k負(fù)載,300pF儲(chǔ)能電容。輸入功率229W時(shí),電源電壓到達(dá)1.85V。穩(wěn)壓電路工作良好,電源電壓穩(wěn)定在2.3V。

4.2 解調(diào)電路測(cè)試


讀寫(xiě)器發(fā)送1s脈寬的OOK調(diào)制信號(hào)。解調(diào)電路輸出波形如圖7所示。下脈沖上升時(shí)間較長(zhǎng)是由于示波器探頭引入的16pF電容所致。

5 結(jié)論

本文分析和設(shè)計(jì)了應(yīng)用于超高頻無(wú)源射頻標(biāo)簽的射頻接口電路,并利用0.18m工藝流片驗(yàn)證。

根據(jù)芯片測(cè)試結(jié)果,該射頻接口電路能夠在讀寫(xiě)器4W等效發(fā)射功率下距讀寫(xiě)器4m處為射頻標(biāo)簽芯片提供足夠的工作電壓,并且在芯片近場(chǎng)時(shí)能夠有效地穩(wěn)定電源電壓。解調(diào)信號(hào)基本正??捎谩R虼?,該射頻接口電路可滿足超高頻遠(yuǎn)距離無(wú)源射頻標(biāo)簽芯片的要求,具有實(shí)用意義。
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