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提高RF_PA效率的技術(shù)比較

發(fā)布時間:2011-11-11

中心議題:
  • 提高RF_PA效率的技術(shù)比較
解決方案:
  • 利用超CMOS工藝
  • 利用InGaP工藝
  • 采用SiGe技術(shù)

在向著4G手機發(fā)展的過程中,便攜式系統(tǒng)設(shè)計工程師將面臨的最大挑戰(zhàn)是支持現(xiàn)有的多種移動通信標準,包括GSM、GPRS、EDGE、UMTS、WCDMA 和HSDPA,與此同時,要要支持100Mb/s~1Gb/s的數(shù)據(jù)率以及支持OFDMA調(diào)制、支持MIMO天線技術(shù),乃至支持VoWLAN的組網(wǎng),因此,在射頻信號鏈設(shè)計的過程中,如何降低射頻功率放大器的功耗及提升效率成為了半導(dǎo)體行業(yè)的競爭焦點之一。目前行業(yè)發(fā)展呈現(xiàn)三條技術(shù)路線,本文就這三條技術(shù)路線進行簡要的比較。

利用超CMOS工藝,從提高集成度來間接提升PA效率

UltraCMOS采用了SOI技術(shù),在絕緣的藍寶石基片上淀積了一層很薄的硅。類似CMOS,UltraCMOS能夠提供低功耗,較好的可制造性、可重復(fù)性以及可升級性,是一種易用的工藝,支持IP塊的復(fù)用和更高的集成度。

與CMOS不同的是,UltraCMOS能夠提供與在手機、射頻和微波應(yīng)用領(lǐng)域普遍使用的GaAs 或SiGe技術(shù)相媲美甚至更好的性能。盡管UltraCMOS和pHEMT GaAs都能提供相同級別的小信號性能并具有相當?shù)木W(wǎng)格通態(tài)電阻,但是,UltraCMOS能夠提供比GaAs或SiGe更優(yōu)異的線性度和防靜電放電 (ESD)性能。

對于更復(fù)雜的應(yīng)用,如最新的多模式、多頻帶手機,選擇合適的工藝技術(shù)更為關(guān)鍵。例如,在這些應(yīng)用中,天線必須能夠覆蓋800~2200MHz的頻段,開關(guān)必須能管理多達8路的大功率射頻信號,同時還必須具有低插損、高隔離度、極好的線性度和低功耗。適當?shù)墓に嚰夹g(shù)能夠改善技術(shù)選項的可用性,進而改善天線和射頻開關(guān)的性能,最終改善器件的總體性能。更重要的是,如果工程師在整個設(shè)計中采用同一工藝技術(shù),能夠獲取更高的集成度。

例如,Peregrine公司在UltraCMOS RFIC方面的最新進展是推出SP6T和SP7T天線開關(guān)。這些符合3GPP的開關(guān)滿足WCDMA和GSM的要求,使得設(shè)計工程師可以在兼容 WCDMA/GSM的手機中使用一套射頻電路,并且實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的性能。SP6T和SP7T天線開關(guān)采用了Peregrine公司的HaR技術(shù),實現(xiàn)了二次諧波為-85dBc、三次諧波為-83dBc、2.14GHz上的三階交調(diào)失真(IMD3)為-111dBm這樣的優(yōu)異指標。

在手機設(shè)計中兩個最耗電的部分就是基帶處理器和射頻前端。功率放大器(PA)消耗了射頻前端中的絕大部分功率。實現(xiàn)低功耗的關(guān)鍵是使射頻前端中的其他電路消耗盡可能少的功耗且不影響PA的工作。在目前所用的選擇中,帶解碼器的GaAs開關(guān)吸納的電流為 600μA,但在典型的射頻前端應(yīng)用中,UltraCMOS SP7T開關(guān)只吸納10μA的電流,因此,可以大幅降低射頻前端的功耗,從而提高射頻功率放大器的效率。

目前,采用CMOS工藝制造射頻功率放大器的公司包括:英飛凌、飛思卡爾、Silicon Labs、Peregrine、Jazz半導(dǎo)體等公司。

利用InGaP工藝,實現(xiàn)功率放大器的低功耗和高效率

InGaP HBT(異結(jié)雙極晶體管)技術(shù)的很多優(yōu)點讓它非常適合高頻應(yīng)用。InGaP HBT采用GaAs制成,而GaAs是RF領(lǐng)域用于制造RF IC的最常用的底層材料。原因在于:1. GaAs的電子遷移率比作為CMOS襯底材料的硅要高大約6倍;2. GaAs襯底是半絕緣的,而CMOS中的襯底則是傳導(dǎo)性的。電子活遷移率越高,器件的工作頻率越高。

半絕緣的GaAs襯底可以使IC上實現(xiàn)更好的信號絕緣,并采用損耗更低的無源元件。而如果襯底是傳導(dǎo)性的話,就無法實現(xiàn)這一優(yōu)勢。在CMOS中,由于襯底具有較高的傳導(dǎo)性,很難構(gòu)建起功能型微波電路元件,例如高Q電感器和低損耗傳導(dǎo)線等。這些困難雖然可以在一定程度上得到克服,但必須通過在IC裝配中采用各種非標準的制程來能實現(xiàn),而這會增加CMOS設(shè)備的制造成本。

nGaP特別適合要求相當高功率輸出的高頻應(yīng)用。InGaP工藝的改進讓產(chǎn)量得到了提高,并帶來了更高程度的集成,使芯片可以集成更多功能。這樣既簡化了系統(tǒng)設(shè)計,降低了原材料成本,也節(jié)省了板空間。有些InGaP PA也采用包含了CMOS控制電路的多芯片封裝。如今,在接收端集成了PA和低噪音放大器(LNA)并結(jié)合了RF開關(guān)的前端WLAN模塊已經(jīng)可以采用精簡型封裝。例如,ANADIGICS公司提出的InGaP-Plus工藝可以在同一個InGaP芯片上集成雙極晶體管和場效應(yīng)晶體管。這一技術(shù)正被用于尺寸和PAE(功率增加效率)有所改進的新型CDMA和WCDMA功率放大器。
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RF CMOS PA與GaAs PA的比較
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當前,大部分手機PA都是采用GaAs和InGaP HBT技術(shù),只有一小部分采用的是RF CMOS工藝制造。與GaAs器件相比,RF CMOS技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)更高的集成度,而且成本也更低。

然而,并非所有消費電子產(chǎn)品的理想選擇。例如無線網(wǎng)絡(luò)和手機市場就被GaAs PA所統(tǒng)治,因為它可以支持高頻率和高功率應(yīng)用,而且效率很高。另一方面,RF CMOS PA則在藍牙和ZigBee應(yīng)用領(lǐng)域占據(jù)主導(dǎo)地位,因為它一般運行功率更低,而且性能要求沒有那么苛刻。

目前,對于高性能PA應(yīng)用,GaAs仍然是主要技術(shù),只有它才能滿足大部分高端手機和無線網(wǎng)絡(luò)設(shè)備對性能的苛刻要求。在集成度方面,如果要集成進收發(fā)器、基帶和PA,那么,就需要采用一種新的硅工藝。然而,業(yè)界在這方面的趨勢是繼續(xù)讓PA和收發(fā)器彼此分開,采用不同的封裝,并以GaAs來實現(xiàn)這樣的集成。

SiGe有望超越GaAs工藝占據(jù)主流

SiGe BiCMOS 工藝技術(shù)幾乎與硅半導(dǎo)體超大規(guī)模集成電路(VLSI)行業(yè)中的所有新工藝技術(shù)兼容,包括絕緣體硅(SOI)技術(shù)和溝道隔離技術(shù)。隨著擊穿電壓和高性能無源部件集成技術(shù)的發(fā)展,SiGe 正逐漸滲透至傳統(tǒng)的GaAs領(lǐng)地—即手機功率放大器應(yīng)用的領(lǐng)域。

一般來說,手機功率放大器必須能在高壓下應(yīng)對10:1的電壓駐波比(VSWR),并能發(fā)送+28dBm(用于CDMA手機)到+35dBm(用于GSM手機)的信號。為了制造出滿足嚴格的手機技術(shù)要求的 SiGe 功率放大器,SiGe 半導(dǎo)體公司采用fT為 30GHz 的主流 SiGe 工藝,著眼于搶占過去由GaAs功率放大器在擊穿電壓、線性性能、效率以及集成性能上所占有的優(yōu)勢。

采用SiGe技術(shù)的優(yōu)勢之一是提高集成度。設(shè)計人員可在功率放大器周圍集成更多的控制電路,這樣,最終的器件就更加節(jié)省空間,從而為集成更多無線功能的提供令了潛力。例如,采用 SiGe技術(shù),設(shè)計人員就可以將功率放大器和 RF 電路集成在一起,卻不會影響功率放大器的效率,從而延長手機電池的壽命。目前,采用SiGe技術(shù)推出射頻功率放大器的公司包括:SiGe半導(dǎo)體公司、 Maxim、飛思卡爾、Atmel等公司。利用SiGe BiCMOS制造工藝進行代工的供應(yīng)商主要是IBM以及臺積電(TSMC)。
如圖1所示為可見,SiGe技術(shù)在射頻器件上的應(yīng)用已經(jīng)跟RF CMOS技術(shù)相當,有理由相信,下一步目標就是超越GaAs技術(shù)而占據(jù)主流。

本文總結(jié)

隨著多種無線通信標準在手持設(shè)備上的應(yīng)用,只有進一步降低射頻功率放大器的功耗,才能延長便攜式設(shè)備的電池使用時間,從而獲得更加的用戶體驗。本文通過對射頻功率放大器所采用的三種主要工藝技術(shù)進行的簡要比較,指出未來的發(fā)展趨勢在于采用SiGe工藝技術(shù)來制造射頻功率放大器,這是無線電電子系統(tǒng)設(shè)計工程師需要關(guān)注的技術(shù)趨勢。
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