飛思卡爾半導體新產(chǎn)品包括25 W 的MRFE6VS25N和100 W 的MRFE6VP100H，在整個頻率覆蓋范圍內能提供完整的CW額定功率。設計這兩款產(chǎn)品的目的在于簡化放大器設計的復雜性、節(jié)約成本，同時提高系統(tǒng)的可靠性。

新推出的器件是用于類似應用的GaN解決方案的極好替代產(chǎn)品，能夠處理VSWR大于65:1的阻抗不匹配情況，從而以極低的器件成本實現(xiàn)卓越的線性。寬帶 LDMOS FET的設計目的是為了在極其惡劣的條件下也能無縫運行，這時產(chǎn)品的耐用性和可用性至關重要。目標應用包括HF-UHF發(fā)射器和收發(fā)器、電視發(fā)射器、空白區(qū)域數(shù)據(jù)收發(fā)器、航空航天/國防系統(tǒng)、測試設備和雷達系統(tǒng)。

圖題：完美結合耐用性、頻率范圍與寬帶能力射頻功率晶體管

飛思卡爾副總裁兼射頻事業(yè)部總經(jīng)理Ritu Favre表示：“憑借這些新產(chǎn)品，飛思卡爾射頻功率產(chǎn)品的足跡正從無線基礎設施領域踏入鄰近的高增長市場。這些新產(chǎn)品的卓越性能和耐用性將對廣大客戶和廣泛應用極具吸引力。”

新產(chǎn)品采用飛思卡爾低熱阻封裝，目的是最大限度降低內部升溫，提高長期可靠性，同時減少熱管理問題。新產(chǎn)品還集成了能在眾多運行環(huán)境中增強電路穩(wěn)定性的內部網(wǎng)絡，從而簡化了外部電路。為了保證最佳耐用性，飛思卡爾在遠超出正常運行條件下來測試，即在超出額定工作電壓20％，兩倍額定射頻輸入功率及阻抗不匹配值 VSWR=65:1的條件下進行評估。

應用的多樣化

MRFE6VS25N和MRFE6VP100H的寬帶頻率覆蓋范圍允許設計師使用單個放大器覆蓋多個頻段，例如1.8 - 54 MHz、30 - 512 MHz，從而減少了材料、縮小了放大器尺寸，減輕了重量，降低了切換損耗，并縮減了日常冷卻開支。新產(chǎn)品結合寬帶能力、耐用性和頻率范圍廣等優(yōu)勢，且成本低于同等的GaN（氮化鎵）器件。
 
MRFE6VS25N和MRFE6VP100H規(guī)格包括：

MRFE6VS25N：25 W CW，頻段為1.8-30 MHz時增益超過26 dB，512 MHz時增益超過25 dB，效率為50％-73％，在VSWR> 65:1的環(huán)境中可完全達到額定性能。

MRFE6VP100H： 100 W CW，頻段為512 MHz時增益超過26 dB ， 30-512MHz時增益超過19 dB，效率為40％-71％，在VSWR> 65:1的環(huán)境中可完全達到額定性能。

MRFE6VS25N晶體管采用飛思卡爾 TO-270-2包覆成型塑料封裝， MRFE6VP100H/HS晶體管采用飛思卡爾 NI-780-4和NI-780S-4空氣腔封裝。

供貨情況

MRFE6VS25N和MRFE6VP100H現(xiàn)已開始生產(chǎn)。