英飛凌射頻解決方案助力實(shí)現(xiàn)快速、高校、可靠的5G系統(tǒng)
發(fā)布時(shí)間:2017-03-14 責(zé)任編輯:susan
【導(dǎo)讀】由于即將到來(lái)的5G網(wǎng)絡(luò)具有空前的規(guī)模、速度和復(fù)雜性,它將徹底改變不同規(guī)模企業(yè)開(kāi)展業(yè)務(wù)的方式。5G技術(shù)將為現(xiàn)有和新興市場(chǎng)創(chuàng)造新機(jī)遇,同時(shí)使家居、城市、汽車和行業(yè)提高智能化、自動(dòng)化和互聯(lián)化水平。然而,實(shí)現(xiàn)這一顛覆性變革仍然面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn):超高帶寬、低至1毫秒的延遲和高度可靠的連接。另外,射頻(RF)架構(gòu)必須可擴(kuò)展、高效、可靠和極其緊湊。
立足半個(gè)世紀(jì)的系統(tǒng)能力,英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)憑借其4G技術(shù)經(jīng)驗(yàn),同時(shí)通過(guò)提供領(lǐng)先的射頻技術(shù)和關(guān)鍵基礎(chǔ)技術(shù)使移動(dòng)基礎(chǔ)設(shè)施和移動(dòng)設(shè)備的5G愿景成為可能。英飛凌提供5G系統(tǒng)需要的高效集成架構(gòu)。作為市場(chǎng)上唯一一家擁有最豐富的5G產(chǎn)品系列的制造商,英飛凌擁有:
高效射頻功率技術(shù),即面向6 GHz 以上集成架構(gòu)的GaN-on-SiC和GaN-on-Si技術(shù),以及面向6GHz以下系統(tǒng)具有價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)力和高堅(jiān)固性的LDMOS技術(shù)。封裝技術(shù)創(chuàng)新使寬帶集成Doherty放大器成為可能。
面向移動(dòng)和低功率應(yīng)用為基礎(chǔ)的靈活射頻解決方案,包括SiGe、BiCMOS、GaN mmW技術(shù)和RF CMOS。它們可滿足優(yōu)化性能要求,同時(shí)提供備選方案,包括從成本優(yōu)化設(shè)計(jì)到高集成度需求。
面向頻率高達(dá)100 GHz 的可擴(kuò)展mmW解決方案,在設(shè)計(jì)階段給予客戶極大的靈活性,幫助他們縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。
英飛凌已交付超過(guò)2000萬(wàn)顆采用波束成形技術(shù)的mmW雷達(dá)收發(fā)器,是公認(rèn)的車載雷達(dá)領(lǐng)域創(chuàng)新技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌正為實(shí)現(xiàn)最高空間波束精度的相移技術(shù)鋪平道路,使大規(guī)模MIMO系統(tǒng)和基于多陣列的系統(tǒng)成為可能。同時(shí),英飛凌繼續(xù)投入宏基站、小基站、回程和終端用戶設(shè)備等網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域。
大批量生產(chǎn)和無(wú)縫供應(yīng)、高質(zhì)量和高可靠性優(yōu)勢(shì)與英飛凌旨在實(shí)現(xiàn)5G愿景的整體解決方案相得益彰。
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