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如何實現(xiàn)IGBT/MOSFET隔離柵極驅(qū)動電路？
IGBT 和功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件，柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的另外兩端是源極和漏極，而對于 IGBT，它們被稱為集電極和發(fā)射極。為了操作 MOSFET/IGBT，通常須將一個電壓施加于柵極。
2020-03-26
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MOS管和IGBT管到底區(qū)別在哪？該如何選擇？
在電子電路中，MOS 管和 IGBT 管會經(jīng)常出現(xiàn)，它們都可以作為開關(guān)元件來使用，MOS 管和 IGBT 管在外形及特性參數(shù)也比較相似，那為什么有些電路用 MOS 管？而有些電路用 IGBT 管？
2020-03-18
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趣味解讀IGBT模塊“續(xù)流二極管”
IGBT 模塊上有一個“續(xù)流二極管”。它有什么作用呢？答：當 PWM 波輸出的時候，它是維持電機內(nèi)的電流不斷用的。
2020-03-11
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還在用硅基器件做開關(guān)電源？是時候考慮eGaN了
本文首先介紹相比基于傳統(tǒng)硅 (Si) MOSFET 或 IGBT 的高頻電源，基于 eGaN 開關(guān)元器件的高頻電源優(yōu)勢。接著會介紹如何使用 EPC、Texas Instruments 和 Navitas Semiconductor的 eGaN 功率級來構(gòu)建適用于電池充電或服務(wù)器農(nóng)場等應(yīng)用的 SMPS 設(shè)計。
2020-02-26
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IGBT 的工作原理是什么?
IGBT 的等效電路如圖1 所示。由圖1 可知,若在IGBT 的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動正電壓,則MOSFET 導通,這樣PNP 晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通;若IGBT 的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V,則MOSFET 截止,切斷PNP 晶體管基極電流的供給,使得晶體管截止。
2020-02-24
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分析IGBT短路保護電路的設(shè)計
固態(tài)電源的基本任務(wù)是安全、可靠地為負載提供所需的電能。對電子設(shè)備而言，電源是其核心部件。負載除要求電源能供應(yīng)高質(zhì)量的輸出電壓外，還對供電系統(tǒng)的可靠性等提出更高的要求。
2020-02-24
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MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路的基本原理
從 MOSFET 技術(shù)和開關(guān)運行概述入手，詳細介紹接地參考和高側(cè)柵極驅(qū)動電路的設(shè)計流程，以及交流耦合和變壓器隔離解決方案。該報告還包含了一個特殊部分，專門介紹在同步整流器應(yīng)用中 MOSFET 的柵極驅(qū)動應(yīng)用的重要性。
2020-01-17
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一文解讀碳化硅功率器件的特點
功率半導體器件作為功率變換系統(tǒng)的核心器件，目前應(yīng)用最多的仍舊是 IGBT，在很多時候還需要搭配合適的反向并聯(lián)二極管。
2020-01-08
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全面分析IGBT各種知識點
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導體器件，其具有自關(guān)斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關(guān)。
2019-12-03
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新型SiC功率模塊以之Si IGBT，在更小的封裝內(nèi)提供更高的功率密度
隨著包括發(fā)電、儲能和交通運輸在內(nèi)的眾多應(yīng)用轉(zhuǎn)向電力驅(qū)動，需要構(gòu)建更高性能的電力轉(zhuǎn)換和控制系統(tǒng)，推進以電力驅(qū)動的系統(tǒng)的未來發(fā)展。為此，對于更緊湊、更高功率密度和可高溫工作電源模塊的需求變得越來越大。
2019-11-08
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詳解隔離式柵極驅(qū)動器的重要特性
在功率電子（例如驅(qū)動技術(shù)）中，IGBT經(jīng)常用作高電壓和高電流開關(guān)。這些功率晶體管由電壓控制，其主要損耗產(chǎn)生于開關(guān)期間。
2019-09-29
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IGBT的開關(guān)頻率上限有多高？
首先，開關(guān)頻率是指IGBT在一秒鐘內(nèi)開關(guān)次數(shù)。而在確定的母線電壓和導通電流下，IGBT每次開關(guān)都會產(chǎn)生一定的損耗，開通損耗是Eon，關(guān)斷損耗是Eoff，還有二極管反向恢復也有損耗Erec。
2019-09-23
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