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一文了解SiC MOS的應(yīng)用
作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開(kāi)關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對(duì)熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實(shí)現(xiàn)更低的開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通損耗，同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。
2024-06-20
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借助智能功率模塊系列提高白色家電的能效
CIPOS? Mini IM523系列是一個(gè)全新的智能功率模塊（IPM）系列，這些產(chǎn)品采用完全隔離的雙列直插式封裝，通過(guò)集成第二代逆導(dǎo)型IGBT，可以實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)能效。IM523智能功率模塊具有一個(gè)帶自舉功能的集成式絕緣體上硅柵極驅(qū)動(dòng)器和一個(gè)可向控制器提供模擬反饋信號(hào)的溫度監(jiān)測(cè)器，從而最大限度地減少了對(duì)外部元件的需求。得益于這些特性，這個(gè)新的IPM系列的產(chǎn)品堪稱冰箱和洗衣機(jī)等家用電器所使用的變頻系統(tǒng)的完美搭檔。
2024-06-17
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MOSFET器件的高壓CV測(cè)試詳解
MOSFET、IGBT和BJT等半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)速度受到元件本身的電容的影響。為了滿足電路的效率，設(shè)計(jì)者需要知道這些參數(shù)。例如，設(shè)計(jì)一個(gè)高效的開(kāi)關(guān)電源將要求設(shè)計(jì)者知道設(shè)備的電容，因?yàn)檫@將影響開(kāi)關(guān)速度，從而影響效率。這些信息通常在MOSFET的指標(biāo)說(shuō)明書(shū)中提供。
2024-06-08
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仿真微調(diào)：提高電力電子電路的精度
在電力電子和電路仿真領(lǐng)域，精度至關(guān)重要。仿真結(jié)果的真實(shí)性取決于各個(gè)器件所采用模型的準(zhǔn)確性。無(wú)論是 IGBT、碳化硅 (SiC) 還是硅 MOSFET，仿真預(yù)測(cè)的可靠性與模型的精度密切相關(guān)。老話說(shuō)得好，“垃圾進(jìn)，垃圾出”，即如果輸入的是垃圾，那么輸出的也是垃圾。
2024-05-09
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SEMI-e 第六屆深圳國(guó)際半導(dǎo)體展，華為 華天 長(zhǎng)電 上海華力等頭部企業(yè)6月齊聚
6月26-28日，由深圳中新材會(huì)展有限公司聯(lián)合中國(guó)通信工業(yè)協(xié)會(huì)、江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、浙江省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、深圳市半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)、成都集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)、東莞巿集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)舉辦的SEMI-e第六屆深圳國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)暨應(yīng)用展覽會(huì)（簡(jiǎn)稱：SEMI-e）將在深圳會(huì)展中心4.6.8號(hào)館盛大召開(kāi)，聚焦半導(dǎo)體行業(yè)的各個(gè)細(xì)分領(lǐng)域，展示以設(shè)計(jì)、芯片、晶圓制造與封裝，半導(dǎo)體專用設(shè)備與零部件，先進(jìn)材料，第三代半導(dǎo)體/IGBT，汽車半導(dǎo)體/車規(guī)級(jí)先進(jìn)封裝技術(shù)為主的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，全面展示了半導(dǎo)體行業(yè)的新技術(shù)、新產(chǎn)品、新亮點(diǎn)、新趨勢(shì)，構(gòu)建起了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)交流融合的新生態(tài)。展出面積60,000平方米，800家超高質(zhì)量展商齊聚，打造華南半導(dǎo)體領(lǐng)域最具有影響力和代表性的行業(yè)盛會(huì)。
2024-04-30
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Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢(shì)對(duì)比
眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術(shù)替代硅基工藝，來(lái)開(kāi)發(fā)基于雙極結(jié)型晶體管（BJT）、結(jié)柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET）、金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電源產(chǎn)品。然而，Qorvo研發(fā)的SiC“共源共柵結(jié)構(gòu)”FET器件（如圖2所示）使這項(xiàng)技術(shù)更進(jìn)一步。這些器件基于獨(dú)特的“共源共柵結(jié)構(gòu)”電路配置，將一個(gè)常開(kāi)型SiC JFET器件與一個(gè)硅基MOSFET共同封裝，形成一個(gè)集成的常關(guān)型SiC FET器件。在接下來(lái)的段落中，我們將詳細(xì)闡述 Qorvo 研發(fā)的 SiC FET（共源共柵結(jié)構(gòu)FET）相較于同類SiC MOSFET的顯著優(yōu)勢(shì)。
2024-04-15
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如何通過(guò)SiC增強(qiáng)電池儲(chǔ)能系統(tǒng)？
電池可以用來(lái)儲(chǔ)存太陽(yáng)能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時(shí)段產(chǎn)生的能量，這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時(shí)，就可以利用這些儲(chǔ)存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲(chǔ)能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案，可作為硅MOSFET或IGBT開(kāi)關(guān)的替代方案，改善BESS的性能。
2024-03-22
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雙脈沖測(cè)試（DPT）的方法解析
雙脈沖測(cè)試（DPT）是一種被廣泛接受的評(píng)估功率器件動(dòng)態(tài)特性的方法。以IGBT在兩電平橋式電路中應(yīng)用為例，如下圖，通過(guò)調(diào)節(jié)直流母線電壓和第一個(gè)脈沖持續(xù)時(shí)間，可以在第一個(gè)脈沖結(jié)束和第二個(gè)脈沖開(kāi)始時(shí)捕捉到被測(cè)器件在任何所需的電壓和電流條件下的開(kāi)關(guān)瞬態(tài)行為。
2024-03-19
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【第三代半導(dǎo)體、汽車半導(dǎo)體等四場(chǎng)熱門盛會(huì)6月齊聚深圳，論壇議程搶先看！】
深圳，這座中國(guó)科技創(chuàng)新的璀璨明珠，即將在2024年6月26日至28日迎來(lái)一場(chǎng)科技盛宴。SEMI-e第六屆深圳國(guó)際半導(dǎo)體暨應(yīng)用展覽會(huì)（SEMI-e)即將于深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）4.6.8號(hào)館開(kāi)啟，并分別舉辦2024中國(guó)汽車半導(dǎo)體大會(huì)、第五屆第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰技術(shù)論壇以、第六屆深圳半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)高峰會(huì)及第二屆人工智能——算力/算法/存儲(chǔ)大會(huì)暨展示會(huì)，四場(chǎng)熱門盛會(huì)齊聚一堂，聚焦半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域: 汽車半導(dǎo)體、IGBT、Al算力、算法、存儲(chǔ)、電源及儲(chǔ)能、Mini/Micro-LED 等各種最新應(yīng)用解決方案。
2024-03-18
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如何測(cè)量功率回路中的雜散電感
影響IGBT和SiC MOSFET在系統(tǒng)中的動(dòng)態(tài)特性有兩個(gè)非常重要的參數(shù)：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率回路中寄生電感的定義和測(cè)試方法，包括直流母線電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。
2024-03-12
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下一代隔離式Σ-Δ調(diào)制器如何改進(jìn)系統(tǒng)級(jí)電流測(cè)量
隔離調(diào)制器廣泛用于需要高精度電流測(cè)量和電流隔離的電機(jī)/逆變器。隨著電機(jī)/逆變器系統(tǒng)向高集成度和高效率轉(zhuǎn)變，SiC和GaN FET由于具有更小尺寸、更高開(kāi)關(guān)頻率和更低發(fā)熱量的優(yōu)勢(shì)，而開(kāi)始取代MOSFET和IGBT。然而，隔離器件需要具有高CMTI能力，另外還需要更高精度的電流測(cè)量。下一代隔離調(diào)制器大大提高了CMTI能力，并改善了其本身的精度。
2024-03-11
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談?wù)凷iC MOSFET的短路能力
在電力電子的很多應(yīng)用，如電機(jī)驅(qū)動(dòng)，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)短路的工況。這就要求功率器件有一定的扛短路能力，即在一定的時(shí)間內(nèi)承受住短路電流而不損壞。目前市面上大部分IGBT都會(huì)在數(shù)據(jù)手冊(cè)中標(biāo)出短路能力，大部分在5~10us之間，例如英飛凌IGBT3/4的短路時(shí)間是10us，IGBT7短路時(shí)間是8us。而 大 部 分 的 SiC MOSFET 都 沒(méi) 有 標(biāo) 出 短 路 能 力 ， 即 使 有 ， 也 比 較 短 ， 例 如 英 飛 凌 的CoolSiCTM MOSFET單管封裝器件標(biāo)稱短路時(shí)間是3us，EASY封裝器件標(biāo)稱短路時(shí)間是2us。
2024-02-01
- 利用運(yùn)動(dòng)喚醒功能優(yōu)化視覺(jué)系統(tǒng)的功耗
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司勝訴，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)終裁確認(rèn)英諾賽科侵權(quán)
- 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻
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