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有效測量碳化硅信號
碳化硅（SiC）技術(shù)已超越傳統(tǒng)的硅（Si）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）應(yīng)用，因為它具有大功率系統(tǒng)的主要熱和電氣優(yōu)勢。這些優(yōu)勢包括更高的開關(guān)頻率、更高的功率密度、更好的工作溫度、更高的電流/電壓能力以及整體更好的可靠性和效率。SiC器件正在迅速取代基于硅的組件和模塊，作為系統(tǒng)升級和系統(tǒng)設(shè)計的新選擇。
2023-08-22
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IGBTs給高功率帶來了更多的選擇
絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）面市已有些時日，事實上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發(fā)布了其首款I(lǐng)GBT產(chǎn)品。從那時起，IGBT成為了中壓和高壓（>200 V ）應(yīng)用的主要器件，包括供暖通風(fēng)與空氣調(diào)節(jié)（HVAC）系統(tǒng)以及電焊和感應(yīng)加熱等高電流應(yīng)用。隨著太陽能面板、電動汽車充電器和工業(yè)伺服電機的日益普及，市場對高壓解決方案的需求也在不斷攀升。為了滿足各個行業(yè)的需求，并進一步完善持續(xù)擴大的高壓技術(shù)產(chǎn)品組合（GaN和SiC），Nexperia （安世半導(dǎo)體）正在推出多個 IGBT系列，首先便是600 V 器件。
2023-08-22
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集成穩(wěn)壓器消除了對分立元件的需求
集成電壓調(diào)節(jié)器 (IVR) 是電源管理芯片中的一個新類別，它聲稱已經(jīng)緩解了功率密度和能源效率之間長達數(shù)年的平衡問題。Empower Semiconductor由三位模擬資深人士于 2014 年共同創(chuàng)立，該公司創(chuàng)建了 5 × 5 毫米的封裝，可以消除或集成分立元件。
2023-08-21
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適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案
隨著設(shè)備變得越來越小，電源也需要跟上步伐。因此，當(dāng)今的設(shè)計人員有一個優(yōu)先目標(biāo)：化單位體積的功率（W/mm 3）。實現(xiàn)這一目標(biāo)的一種方法是使用高性能電源開關(guān)。盡管需要進一步的研發(fā)計劃來提高性能和安全性，并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進行設(shè)計需要在設(shè)計過程中進行額外的工作，但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經(jīng)為新型電力電子產(chǎn)品鋪平了道路階段。
2023-08-21
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芯原股份周志剛：用高性能的功能安全SoC平臺，助力ADAS方案落地
7月14日，在ICDIA 2023大會期間同期舉辦的“智能與自動駕駛”專題論壇上，芯原股份系統(tǒng)芯片平臺部副總裁周志剛發(fā)表主題演講，介紹了芯原的高性能芯片設(shè)計平臺與自動駕駛解決方案。
2023-08-21
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貿(mào)澤電子提供品類豐富的Vishay汽車級產(chǎn)品
2023年8月18日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 供應(yīng)多款Vishay針對汽車應(yīng)用設(shè)計的產(chǎn)品。Vishay制定了自己的汽車級標(biāo)準(zhǔn)，目標(biāo)是盡可能杜絕缺陷、事故和故障。該標(biāo)準(zhǔn)納入了汽車行業(yè)的關(guān)鍵質(zhì)量管理措施和健全的設(shè)計政策，在開發(fā)新品和改良現(xiàn)有產(chǎn)品時采用了失效模式和影響分析 (FMEA) 方法。
2023-08-19
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貿(mào)澤電子推出新一期EIT內(nèi)容 分享數(shù)字療法變革性的強大力量
提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布其屢獲殊榮的Empowering Innovation Together（共求創(chuàng)新，EIT）計劃推出最新一期內(nèi)容，共同探討了數(shù)字療法帶來的變革性潛力。在本期EIT中，貿(mào)澤深入探究了關(guān)鍵技術(shù)與醫(yī)學(xué)之間的緊密關(guān)聯(lián)，幫助你了解各種元器件如何協(xié)同工作，以及它如何打破傳統(tǒng)醫(yī)療體系的限制和壁壘，以期提供更為個性化且更容易獲得的醫(yī)療保健服務(wù)。
2023-08-17
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泰瑞達張震宇：解讀異構(gòu)集成和Chiplet時代下，測試行業(yè)的機遇與挑戰(zhàn)
2023年7月3日，中國 北京訊 —— 全球先進的自動測試設(shè)備供應(yīng)商泰瑞達（NASDAQ:TER）宣布，受邀出席了SEMICON China 2023同期舉辦的“先進封裝論壇 - 異構(gòu)集成”活動。在活動中，泰瑞達Complex SOC事業(yè)部亞太區(qū)總經(jīng)理張震宇發(fā)表題為《異構(gòu)集成和Chiplet時代下，芯片測試行業(yè)的機遇與挑戰(zhàn)》的精彩演講，生動介紹泰瑞達對于先進封裝，在質(zhì)量和成本之間找到平衡和最優(yōu)方案的經(jīng)驗和見解。
2023-08-17
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使用新型160V MOTIX三相柵極驅(qū)動器IC實現(xiàn)更好的電池供電設(shè)計（第一部分）
MOTIX?三相柵極驅(qū)動器集成電路6ED2742S01Q是英飛凌MOTIX?品牌的新成員，該品牌通過可擴展的產(chǎn)品組合提供低壓電機控制解決方案。它是一款160V絕緣體上硅(SOI)柵極驅(qū)動器IC，采用5x5 mm2 QFN-32封裝，帶有熱效率高的裸露功率焊盤，并集成了電源管理單元(PMU)。這種易于使用的器件非常適合電池供電的工業(yè)無刷直流電機控制驅(qū)動器，如無繩電動工具、機器人、無人機和輕型電動車（LEV），電池電壓范圍為10.8V至120V。這種寬工作電壓范圍使其成為12V、24V、48V、72V和96V等多種電池類型的理想"一站式"柵極驅(qū)動器選擇。
2023-08-16
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如何優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動？這款IC方案推薦給您
在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中，相較傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優(yōu)勢。使用硅MOSFET可以實現(xiàn)高頻（數(shù)百千赫茲）開關(guān)，但它們不能用于非常高的電壓（>1000 V）。而IGBT雖然可以在高壓下使用，但其 "拖尾電流 "和緩慢的關(guān)斷使其僅限于低頻開關(guān)應(yīng)用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現(xiàn)在高壓下的高頻開關(guān)。然而，SiC MOSFET的獨特器件特性意味著它們對柵極驅(qū)動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設(shè)計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關(guān)性能的柵極驅(qū)動器。在這篇文章中，我們討論了SiC MOSFET器件的特點以及它們對柵極驅(qū)動電路的要求，然后介紹了一種能夠解決這些問題和其它系統(tǒng)級考慮因素的IC方案。
2023-08-15
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貿(mào)澤電子2023上半年新增29家制造商合作伙伴
2023年8月14日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布2023上半年增加了29家新制造商合作伙伴，繼續(xù)擴大其產(chǎn)品供應(yīng)陣容。貿(mào)澤目前代理超過1,200個制造商品牌，為其遍布全球的設(shè)計工程師、采購人員、教育工作者和學(xué)生等客戶群體提供極其廣泛的產(chǎn)品選擇。
2023-08-15
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燧原科技趙立東：抓住通用人工智能發(fā)展機遇，加速建設(shè)算力底座
2023年7月6 – 8日，世界人工智能大會（2023 WAIC）在上海如期舉行。在大會首日，由上海市集成電路行業(yè)協(xié)會承辦，燧原科技、中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院和SEMI協(xié)辦的“從‘端’到‘云’，勇攀‘芯’高峰”芯片主題論壇在張江科學(xué)會堂順利舉辦。燧原科技創(chuàng)始人、董事長、CEO趙立東受邀參加并發(fā)表《AI芯片和算力普惠發(fā)展機遇》主題演講，以AI芯片對人工智能發(fā)展的關(guān)鍵作用為引，分享了面向當(dāng)下大模型導(dǎo)致的巨大算力需求的“破局之道”。此外，燧原科技作為上海市集成電路行業(yè)協(xié)會人工智能專委會主任單位，創(chuàng)始人兼COO張亞林特邀主持了本次主題論壇活動。
2023-08-15
- 利用運動喚醒功能優(yōu)化視覺系統(tǒng)的功耗
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司勝訴，美國國際貿(mào)易委員會終裁確認英諾賽科侵權(quán)
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