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聚力新基建，貿澤電子2021技術創(chuàng)新周收官盛宴即將開啟
2021年11月19日－專注于引入新品推動行業(yè)創(chuàng)新的電子元器件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布將于11月23-26日推出2021技術創(chuàng)新周主題周的收官主題“新基建”專場，這也是繼今年IoT、智能機器人專題后推出的又一熱門專題。本次活動特別邀請到來自Analog Devices, Bel, Littelfuse, Microchip, Molex, Vicor, Würth Elektronik等國際知名原廠的技術專家及西安交大自動化學院的副院長，在每個活動日下午的14:00-16:10為大家分享新基建領域的各類技術解決和應用方案，共同探討包括5G、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、智能制造、新能源汽車充電樁等多個重要垂直領域的技術難點及行業(yè)突破與發(fā)展。
2021-11-19
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工業(yè)BMS系統(tǒng)中的隔離方案
BMS（Battery Management System）稱之為電池保姆或電池管家，通過實時采集、處理、存儲電池組運行過程中的重要信息，智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。在工業(yè)領域中，為了保證BMS高效、可靠、安全地運行，一套完善的系統(tǒng)隔離解決方案就顯得尤為重要。
2021-11-19
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應用于高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的超低抖動時鐘電路
分析了高速數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)對采樣時鐘抖動的要求，給出了時鐘相位噪聲和時鐘抖動的轉換關系；采用HITTITE的HMC1035LP6GE頻率綜合芯片作為主芯片，設計了時鐘生成電路，2 500 MHz輸出時鐘抖動測量值90 fs（整數(shù)工作模式，輸入頻率100 MHz，鑒相頻率100 MHz，環(huán)路濾波帶寬127 kHz，積分區(qū)間［10 kHz，10 MHz］）。對比時鐘生成電路在各種工作模式下的性能，給出了對應的設計指南。
2021-11-18
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模擬問題：用波德圖繪制振蕩器
根據(jù)仿真顯示，這個簡單的Colpitts振蕩器電路確實會振蕩，但為了查看被動組件的傳遞函數(shù)，當我嘗試使波德圖繪圖儀(Bode Plotter)正常工作時，開始遇到一點小麻煩...
2021-11-18
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可視化的片上網(wǎng)絡（NoC）性能分析
Achronix 最新基于臺積電（TSMC）的7nm FinFET工藝的Speedster7t FPGA器件包含了革命性的新型二維片上網(wǎng)絡（2D NoC）。2D NoC如同在FPGA可編程邏輯結構上運行的高速公路網(wǎng)絡一樣，為FPGA外部高速接口和內部可編程邏輯的數(shù)據(jù)傳輸提供了超高帶寬。
2021-11-11
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高壓雙向觸發(fā)器件SIDAC的特點及其應用
在電子鎮(zhèn)流器中廣泛采用的雙向觸發(fā)器件是DB3，其觸發(fā)開通電壓在30V左右，觸發(fā)電流較小(mA級)，導通后的殘余電壓在20V左右，這些特點決定了只能用于小電流的觸發(fā)電路中。這里介紹一種大電流的高壓雙向觸發(fā)器件SIDAC(SiliconDiode for Alternating Current)，它比普通的DIAC(DB3系列)具有更大的功率容量，可提供較大的開啟電流。
2021-11-09
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如何為UHF局部放電在線監(jiān)測系統(tǒng)設計一個最好的前端？
發(fā)生局部放電時，會產生具有較寬頻率范圍的信號，因此有4種針對不同頻率范圍的局部放電檢測技術。超聲波檢測技術針對20 kHz至~200 kHz頻率范圍，高頻電流互感器(HFCT)檢測技術針對3 MHz至~30 MHz頻率范圍，瞬態(tài)接地電壓(TEV)檢測技術針對3 MHz至~100 MHz頻率范圍，超高頻率(UHF)檢測技術針對300 MHz至~1500 MHz頻率范圍。
2021-11-09
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Vishay 235 EDLC-HVR ENYCAP系列電容器榮獲AspenCore全球電子成就獎
賓夕法尼亞、MALVERN — 2021年11月5日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，公司的235 EDLC-HVR ENYCAP?系列電容器榮獲2021年度AspenCore全球電子成就獎，被評為年度高性能無源/分立器件。該器件是業(yè)內先進的加固型ENYCAP雙電層儲能電容器，在+85 °C條件下使用壽命達2,000小時，經過85 / 85 1500小時帶電測試，具有最高等級耐潮濕能力。
2021-11-05
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安森美圖像傳感器獲美國國家電視藝術與科學學院授予技術與工程艾美獎
2021年11月4日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，獲美國國家電視藝術與科學學院(NATAS)授予技術與工程艾美獎(Emmy? Award for Technology and Engineering)。行業(yè)專家和同行們認可安森美在像素內電荷傳輸CMOS圖像傳感器的開創(chuàng)性設計和開發(fā)工作，顯示出卓越的工程創(chuàng)造力。安森美將在美國時間11月4日（星期四）舉行的第72屆技術與工程艾美獎頒獎典禮上接受表彰，Watch.TheEmmys.TV將進行直播。
2021-11-04
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安森美完成收購GT Advanced Technologies
2021年11月2日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，于美國時間11月1日宣布已完成對碳化硅(SiC)生產商GT Advanced Technologies（"GTAT"）的收購。此收購增強安森美確保和增加SiC供應的能力。
2021-11-02
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凌華科技邊緣AI助力全球首場于著名印第安納波利斯賽道進行的高速Indy自動駕駛挑戰(zhàn)賽
全球領先的邊緣計算解決方案提供商—凌華科技是全球首場在印第安納波利斯賽車場舉辦的高速自動駕駛挑戰(zhàn)賽 —— 由思科贊助的Indy自動駕駛挑戰(zhàn)賽（IAC）的官方邊緣計算贊助商。來自世界各地的大學團隊，將使用改裝過的Dallara AV-21賽車，于2021年10月23日一較高下，角逐高達一百萬美元的優(yōu)勝獎金。IAC競賽的主要目標是推進能夠加速全自動駕駛汽車商業(yè)化與高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）部署的技術。同時它也是讓學生在科學、科技、工程學以及數(shù)學（STEM）這些領域更加精進的平臺。
2021-11-01
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利用氮化鎵芯片組實現(xiàn)高效率、超緊湊的反激式電源
目前市面上出現(xiàn)了一個新的芯片組，它由具有耐用的750V氮化鎵(GaN)初級側開關的反激式IC方案與創(chuàng)新的高頻有源鉗位方案組合而成，能夠為手機、平板電腦和筆記本電腦設計出額定功率高達110W的新型超緊湊充電器。此芯片組來自Power Integrations，包含內部集成PowiGaN?開關的InnoSwitch?4-CZ零電壓開關(ZVS)反激式控制器和提供有源鉗位解決方案的ClampZero?產品系列。這些新IC可用于設計效率高達95%且在不同輸入電壓條件下保持恒定的反激式電源。
2021-10-27
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