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IR 推出絕緣柵雙極晶體管在線選擇工具,優(yōu)化電源管理設(shè)計
全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新的絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 在線選擇工具。該工具可有效優(yōu)化多種應(yīng)用設(shè)計,包括馬達驅(qū)動、不間斷電源系統(tǒng) (UPS)、太陽能逆變器和焊接。
2010-08-20
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采用IGBT優(yōu)化軟開關(guān)應(yīng)用中的損耗
IGBT技術(shù)進步主要體現(xiàn)在兩個方面:通過采用和改進溝槽柵來優(yōu)化垂直方向載流子濃度,以及利用“場終止”概念降低晶圓n襯底的厚度。本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200VRC-IGBT,并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進步。
2010-08-11
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Avago Technologies強調(diào)新隔離柵驅(qū)動中的IGBT保護
Avago Technologies,今日宣布推出2.5A最大輸出驅(qū)動ACPL-H342和ACPL-K342光隔離IGBT柵驅(qū)動,該產(chǎn)品帶有嵌入式米勒箝位、軌至軌輸出電壓、欠壓鎖存(UVLO)電路和保護免受IGBT跨導(dǎo)和電流“直通”的影響,以便保證電源逆變器和電機控制應(yīng)用程序安全有效。
2010-07-26
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IR推出新一代高傳導(dǎo)和低開關(guān)損耗600V溝道IGBT
IR推出新一代高傳導(dǎo)和低開關(guān)損耗600V溝道IGBT。
2010-06-24
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IGBT軟開關(guān)在應(yīng)用中的損耗
本文介紹了集成續(xù)流二極管(FWD)的1200VRC-IGBT,并將探討面向軟開關(guān)應(yīng)用的1,200V逆導(dǎo)型IGBT所取得的重大技術(shù)進步。
2010-06-18
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汽車級IGBT在混合動力車中的設(shè)計應(yīng)用
根據(jù)不同車輛設(shè)計,逆變器可能放置在汽車尾箱、變速箱內(nèi)或引擎蓋下靠近內(nèi)燃機的位置,因此IGBT模塊要經(jīng)受嚴(yán)峻的溫度(-40℃~150℃)和機械條件(振動、沖擊)的考驗。本文為你介紹汽車級IGBT在混合動力車中的設(shè)計應(yīng)用。
2010-06-13
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重復(fù)頻率高壓脈沖電源設(shè)計
目前在科學(xué)研究、工業(yè)生產(chǎn)、技術(shù)改造中得到越來越多的應(yīng)用。5kV重復(fù)頻率高壓脈沖電源主要用于氣體的預(yù)電離,在毛細管放電X線激光的研究中,預(yù)脈沖放電對氣體預(yù)電離被認(rèn)為是產(chǎn)生X線激光的必要條件。本文利用IGBT做主開關(guān),通過脈沖變壓器升壓的方式來得到高壓脈沖,采用工控計算機和數(shù)據(jù)采集控制卡對整個系統(tǒng)進行控制
2010-06-04
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英飛凌第三代高速600V和1200V IGBT打破開關(guān)和效率界限
英飛凌近日推出600V和1200V高速3(第三代)IGBT產(chǎn)品系列,適用于高頻和硬開關(guān)應(yīng)用。它相對于上一代器件,總關(guān)斷損耗降低35%,可滿足開關(guān)頻率高達100kHz的應(yīng)用需求。
2010-05-24
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三菱電機推出四個工業(yè)用功率模塊系列產(chǎn)品
三菱電機將攜同最新推出的四個工業(yè)用功率模塊系列產(chǎn)品,包括適合可再生能源設(shè)備使用的新型PV-IPM和新型MPD系列;其他工業(yè)使用的V1系列 IPM和第6代NX 系列IGBT模塊,在6月1日至3日于上海光大會展中心舉行的PCIM 2010中國展(展位號A13-A14)中亮相,向參觀者介紹面積更小、損耗更低、和容量更大的變頻工業(yè)技術(shù)。
2010-05-21
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FF1400R17IP4\600R12ME4: 英飛凌推出新款緊湊式IGBT模塊PrimePACK 3和EconoDUAL 3
英飛凌科技股份公司近日在紐倫堡舉行的2010 PCIM歐洲展會(2010年5月4日至6日)上,推出了專為實現(xiàn)最高功率密度和可靠性而設(shè)計的新款IGBT模塊:采用PrimePACK 3封裝、電壓為1700 V、電流為1400 A的PrimePACK模塊,和EconoDUAL系列的最新旗艦產(chǎn)品、電壓為1200V、電流為600 A的EconoDUAL 3。
2010-05-18
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HiSIM-IGBT:廣島大學(xué)開發(fā)并公開了IGBT模型
廣島大學(xué)HiSIM研究中心的研究小組開發(fā)了IGBT(insulated gate bipolar transistor)電路設(shè)計和檢測用模型“HiSIM-IGBT”,并于近日在該大學(xué)向新聞媒體作了發(fā)布。并披露,已經(jīng)面向車載集成電路設(shè)計人員等公開了該模型。
2010-05-17
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英飛凌推出大幅延長IGBT模塊使用壽命的全新.XT技術(shù)
英飛凌推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模塊內(nèi)部所有連接的使用壽命。
2010-05-11
- 利用運動喚醒功能優(yōu)化視覺系統(tǒng)的功耗
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司勝訴,美國國際貿(mào)易委員會終裁確認(rèn)英諾賽科侵權(quán)
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